高压电子模拟负载用多场效应管并联组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高压电子模拟负载用多场效应管并联组件，包括：一高压电源；一驱动电路；以及至少两个并联于高压电源之间的场效应管Vn(n≥1)；其中，场效应管Vn的漏极与高压电源的高电位端相连，场效应管Vn的源极串联一均流电阻R2n(n≥1)后与高压电源的低电位端相连，场效应管Vn的栅极串联一驱动电阻R2n‑1(n≥1)后与驱动电路相连。采用本实用新型专利技术的多场效应管并联组件，在进行高压电子模拟负载的情况下，使流过各场效应管的电流处于均流状态，以避免流经各场效应管上的电流过大、过小而被损坏的弊端，保护场效应管的使用安全，延长其使用年限。

Multi-Field Effect Transistor Parallel Module for High Voltage Electronic Analog Load

【技术实现步骤摘要】
高压电子模拟负载用多场效应管并联组件
本技术涉及一种多场效应管并联组件。更具体地说，本技术涉及高压电子模拟负载用多场效应管并联组件。
技术介绍
场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，主要有两种类型(junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。通常情况下，即使同一型号同一批次MOSFET也存在特性差异，MOSFET直接并联存在流过各MOSFET的电流不均匀问题。现有的MOSFET无论用于开关电源还是用于模拟电子负载，均没有采用均流电路，导致其存在流过各MOSFET电流严重不均匀甚至损坏MOSFET的风险，而当用于模拟电子负载，在某些MOSFET按预期受控的情况下，还会存在某些MOSFET流过电流过小或过大甚至短路而损坏的问题。
技术实现思路
本技术的一个目的是解决至少上述问题和/或缺陷，并提供至少后面将说明的优点。为了实现根据本技术的这些目的和其它优点，提供了高压电子模拟负载用多场效应管并联组件，包括：一高压电源；一驱动电路；以及至少两个并联于所述高压电源之间的场效应管Vn(n≥1)；其中，所述场效应管Vn的漏极与所述高压电源的高电位端相连，所述场效应管Vn的源极串联一均流电阻R2n(n≥1)后与所述高压电源的低电位端相连，所述场效应管Vn的栅极串联一驱动电阻R2n-1(n≥1)后与所述驱动电路相连。优选的是，其中，所述高压电源的高电位端与所述驱动电路，以及所述驱动电路与所述高压电源的低电位端均并接有一瞬态抑制二极管D1、D2，以用于浪涌保护，避免损坏场效应管。优选的是，其中，流经所述高压电源之间的总电流为I，流经各所述场效应管Vn上的电流分别为In(n≥1)。优选的是，其中，所述场效应管Vn的开通栅源极间电压的最大值与最小值的差小于I/n×R2n乘积的大小。本技术至少包括以下有益效果：采用本技术的多场效应管并联组件，在高压供电模拟电子负载的情况下，利用负反馈原理，使自动流过各MOSFET组件的电流基本实现均流，解决了现目前在多个MOSFET并联时，各MOSFET上的电流不均匀问题，避免MOSFET被损坏的风险以及在某些MOSFET按预期受控的情况下，某些MOSFET电流过小或过大甚至短路而损坏的问题。本技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。附图说明图1为本技术高压电子模拟负载用多场效应管并联组件的电路原理图。具体实施方式下面结合附图对本技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。应当理解，本文所使用的诸如“具有”、“包含”以及“包括”术语并不配出一个或多个其它元件或其组合的存在或添加。图1示出了根据本技术高压电子模拟负载用多场效应管并联组件的一种实现形式，其中包括：一高压电源1；一驱动电路2；以及至少两个并联于所述高压电源之间的场效应管Vn(n≥1)3；其中，所述场效应管Vn的漏极301与所述高压电源的高电位端101相连，所述场效应管Vn的源极302串联一均流电阻R2n(n≥1)4后与所述高压电源的低电位102端相连，所述场效应管Vn的栅极303串联一驱动电阻R2n-1(n≥1)5后与所述驱动电路相连。通过在各并联的场效应管的源极以及栅极上串联的均流电阻和驱动电阻，使各个并联的场效应管上流过的电流均流，解决了现有的高压电子模拟负载用多场效应管并联组件电流不均的问题，避免各场效应管上流过电流过小或过大甚至短路而被损坏的弊端。采用这种方案具有电流均流效果好、延长场效应管使用寿命的有利之处。并且，这种方式只是一种较佳实例的说明，但并不局限于此。在实施本技术时，可以根据使用者需求进行适当的替换和/或修改。在另一种实例中，所述高压电源的高电位端与所述驱动电路，以及所述驱动电路与所述高压电源的低电位端均并接有一瞬态抑制二极管D1、D2，以用于浪涌保护，避免损坏场效应管。采用这种方案具有浪涌保护效果好的有利之处。并且，这种方式只是一种较佳实例的说明，但并不局限于此。在实施本技术时，可以根据使用者需求进行适当的替换和/或修改。在另一种实例中，流经所述高压电源之间的总电流为I，流经各所述场效应管Vn上的电流分别为In(n≥1)。采用这种方案具有可实施效果好的有利之处。并且，这种方式只是一种较佳实例的说明，但并不局限于此。在实施本技术时，可以根据使用者需求进行适当的替换和/或修改。在另一种实例中，所述场效应管Vn的开通栅源极间电压的最大值与最小值的差小于I/n×R2n乘积的大小。将场效应管Vn的开通栅源极间电压的最大值与最小值的差设置为小于I/n×R2n乘积的大小，是为了保证流过各场效应管的电流基本相等，同时R2、R4、R6、…R2n，作为负载的一部分可以选取较大的值，阻值越大，流过各场效应管上的电流误差越小。采用这种方案具有均流效果好的有利之处。并且，这种方式只是一种较佳实例的说明，但并不局限于此。在实施本技术时，可以根据使用者需求进行适当的替换和/或修改。这里说明的设备数量和处理规模是用来简化本技术的说明的。对本技术的高压电子模拟负载用多场效应管并联组件的应用、修改和变化对本领域的技术人员来说是显而易见的。尽管本技术的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用。它完全可以被适用于各种适合本技术的领域。对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改。因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本技术并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.高压电子模拟负载用多场效应管并联组件，其特征在于，包括：一高压电源；一驱动电路；以及至少两个并联于所述高压电源之间的场效应管Vn(n≥1)；其中，所述场效应管Vn的漏极与所述高压电源的高电位端相连，所述场效应管Vn的源极串联一均流电阻R2n(n≥1)后与所述高压电源的低电位端相连，所述场效应管Vn的栅极串联一驱动电阻R2n‑1(n≥1)后与所述驱动电路相连。

【技术特征摘要】
1.高压电子模拟负载用多场效应管并联组件，其特征在于，包括：一高压电源；一驱动电路；以及至少两个并联于所述高压电源之间的场效应管Vn(n≥1)；其中，所述场效应管Vn的漏极与所述高压电源的高电位端相连，所述场效应管Vn的源极串联一均流电阻R2n(n≥1)后与所述高压电源的低电位端相连，所述场效应管Vn的栅极串联一驱动电阻R2n-1(n≥1)后与所述驱动电路相连。2.如权利要求1所述的高压电子模拟负载用多场效应管并联组件，其特征在于，所述高压电源...

【专利技术属性】
技术研发人员：包兴富，林筱，甘兵，杜定梁，李霞，张小军，
申请(专利权)人：四川灵通电讯有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51