A polyimide film with a non-thermoplastic polyimide layer is composed of a non-thermoplastic polyimide layer. The non-thermoplastic polyimide layer is preferred to consist of more than 80 moles of BPDA residues derived from 3,3', 4,4'biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) and TAHQ residues derived from 1,4 phenylene bis (tribenzoic acid monoester) dianhydride (TAHQ) relative to 100 moles of tetracarboxylic acid residues. At least one of the radicals and at least one of the PMDA residues derived from pyromellitic dianhydride (PMDA) and the NTCDA residues derived from 2,3,6,7 naphthalene tetracarboxylic anhydride (NTCDA), preferably under dielectric tangent (Df) of 0.004.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】聚酰亚胺膜、铜张层叠板及电路基板
本专利技术涉及一种聚酰亚胺膜、铜张层叠板及电路基板。
技术介绍
近年来，伴随着电子设备的小型化、轻量化、省空间化的进展，对于薄且轻量、具有可挠性并且即便反复弯曲也具有优异的耐久性的挠性印刷配线板(挠性印刷电路板(FlexiblePrintedCircuits，FPC))的需要增大。关于FPC，即便在有限的空间也可实现立体性且高密度的安装，因此例如在硬式磁盘机(HardDiskDrive，HDD)、数字影音光盘(DigitalVideoDisk，DVD)、智能手机等电子设备的可动部分的配线、或者电缆、连接器等零件中其用途逐渐扩大。除了所述高密度化以外，设备的高性能化得到推进，因此也需要对于传输信号的高频化的应对。在传输高频信号时，在信号的传输路径的传输损失大的情况下，会产生电信号的损耗或信号的推迟时间变长等不良情况。因此，FPC的传输损失的减少变得重要。为了应对高频化，使用将以低介电常数、低介电正切为特征的液晶聚合物作为介电层的FPC。然而，液晶聚合物虽介电特性优异，但耐热性或与金属箔的接着性存在改善的余地。为了改善耐热性或接着性，提出了使聚酰亚胺为绝缘层的金属张层叠板(专利文献1)。根据专利文献1可知通常通过高分子材料的单体使用脂肪族系单体而介电常数下降，使用脂肪族(链状)四羧酸二酐而获得的聚酰亚胺的耐热性显著低，因此无法供于焊接等加工而在实用上存在问题，但若使用脂环族四羧酸二酐，则与链状四羧酸二酐相比可获得耐热性提高的聚酰亚胺。然而，关于由所述聚酰亚胺形成的聚酰亚胺膜，虽然10GHz下的介电常数为3.2以下，但介电正切超...
【技术保护点】
1.一种聚酰亚胺膜，其在包含非热塑性聚酰亚胺的非热塑性聚酰亚胺层的至少一面具有包含热塑性聚酰亚胺的热塑性聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺膜的特征在于满足下述条件(a‑i)～条件(a‑iv)：(a‑i)构成所述非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺为包含四羧酸残基及二胺残基者，且相对于所述四羧酸残基的100摩尔份，由3,3'、4,4'‑联苯四羧酸二酐(BPDA)所衍生的四羧酸残基(BPDA残基)及由1,4‑亚苯基双(偏苯三甲酸单酯)二酐(TAHQ)所衍生的四羧酸残基(TAHQ残基)中的至少一种以及由均苯四甲酸二酐(PMDA)所衍生的四羧酸残基(PMDA残基)及2,3,6,7‑萘四羧酸二酐(NTCDA)所衍生的四羧酸残基(NTCDA残基)中的至少一种的合计为80摩尔份以上，所述BPDA残基及所述TAHQ残基中的至少一种、与所述PMDA残基及所述NTCDA残基中的至少一种的摩尔比{(BPDA残基+TAHQ残基)/(PMDA残基+NTCDA残基)}处于0.6～1.3的范围内；(a‑ii)构成所述热塑性聚酰亚胺层的热塑性聚酰亚胺为包含四羧酸残基及二胺残基者，且相对于所述二胺残基的100摩尔份，由选自下述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.29 JP 2016-191786;2016.09.29 JP 2016-191781.一种聚酰亚胺膜，其在包含非热塑性聚酰亚胺的非热塑性聚酰亚胺层的至少一面具有包含热塑性聚酰亚胺的热塑性聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺膜的特征在于满足下述条件(a-i)～条件(a-iv)：(a-i)构成所述非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺为包含四羧酸残基及二胺残基者，且相对于所述四羧酸残基的100摩尔份，由3,3'、4,4'-联苯四羧酸二酐(BPDA)所衍生的四羧酸残基(BPDA残基)及由1,4-亚苯基双(偏苯三甲酸单酯)二酐(TAHQ)所衍生的四羧酸残基(TAHQ残基)中的至少一种以及由均苯四甲酸二酐(PMDA)所衍生的四羧酸残基(PMDA残基)及2,3,6,7-萘四羧酸二酐(NTCDA)所衍生的四羧酸残基(NTCDA残基)中的至少一种的合计为80摩尔份以上，所述BPDA残基及所述TAHQ残基中的至少一种、与所述PMDA残基及所述NTCDA残基中的至少一种的摩尔比{(BPDA残基+TAHQ残基)/(PMDA残基+NTCDA残基)}处于0.6～1.3的范围内；(a-ii)构成所述热塑性聚酰亚胺层的热塑性聚酰亚胺为包含四羧酸残基及二胺残基者，且相对于所述二胺残基的100摩尔份，由选自下述通式(B1)～通式(B7)表示的二胺化合物中的至少一种二胺化合物所衍生的二胺残基为70摩尔份以上；(a-iii)热膨胀系数为10ppm/K～30ppm/K的范围内；(a-iv)10GHz下的介电正切(Df)为0.004以下，[化1][式(B1)～式(B7)中，R1独立地表示碳数1～6的一价烃基或烷氧基，连结基A独立地表示选自-O-、-S-、-CO-、-SO-、-SO2-、-COO-、-CH2-、-C(CH3)2-、-NH-或-CONH-中的二价基，n1独立地表示0～4的整数；其中，自式(B3)中去除与式(B2)重复者，自式(B5)中去除与式(B4)重复者]。2.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，相对于构成所述非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺中的二胺残基的100摩尔份，由下述通式(A1)表示的二胺化合物所衍生的二胺残基为80摩尔份以上，[化2][式(A1)中，连结基X表示单键或选自-COO-中的二价基，Y独立地表示氢、碳数1～3的一价烃基或烷氧基，n表示0～2的整数，p及q独立地表示0～4的整数]。3.根据权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其中相对于构成所述热塑性聚酰亚胺的热塑性聚酰亚胺中的所述二胺残基的100摩尔份，由选自所述通式(B1)～通式(B7)表示的二胺化合物中的至少一种二胺化合物所衍生的二胺残基为70摩尔份以上且99摩尔份以下的范围内，由所述通式(A1)表示的二胺化合物所衍生的二胺残基为1摩尔份以上且30摩尔份以下的范围内。4.一种聚酰亚胺膜，其在包含非热塑性聚酰亚胺的非热塑性聚酰亚胺层的至少一面具有包含热塑性聚酰亚胺的热塑性聚酰亚胺层，且所述聚酰亚胺膜的特征在于满足下述条件(b-i)～条件(b-iv)：(b-i)热膨胀系数为10ppm/K～30ppm/K的范围内；(b-ii)构成所述非热塑性聚酰亚胺层的非热塑性聚酰亚胺为包含四羧酸残基及二胺残基者，且相对于所述四羧酸残基的100摩尔份，由选自3,3',4,4'-联苯四羧酸二酐(BPDA)及1,4-亚苯基双(偏苯三甲酸单酯)二酐(TAHQ)中的至少一种四羧酸二酐所衍生的四羧酸残基为30摩尔份以上且60摩尔份以下的范围内，由均苯四甲酸二酐(PMDA)所衍生的四羧酸残基为40摩尔份以上且70摩尔...
【专利技术属性】
技术研发人员：安藤智典，西山哲平，须藤芳树，森亮，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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