半导体装置用接合线制造方法及图纸

提供一种新型的半导体装置用接合线，其即使在严酷的高温环境下也抑制电化学腐蚀而带来良好的第二接合部的接合可靠性。该接合线的特征在于，包括由Cu或Cu合金构成的芯材以及在该芯材的表面形成的含有Cu以外的导电性金属的被覆层，在通过俄歇电子能谱法(AES)进行测定而得到的该线的深度方向的浓度分布中，关于被覆层的测定点的Pd的浓度CPd(原子％)与Ni的浓度CNi(原子％)的合计CPd+CNi的平均值为50原子％以上，并且关于被覆层的测定点的CPd与CNi之比CPd/CNi的平均值为0.2以上20以下，被覆层的厚度dt为20nm以上180nm以下，该线的表面的Au的浓度CAu为10原子％以上85原子％以下，通过电子背散射衍射(EBSD)法对该线的表面进行分析而得到的晶粒的线圆周方向的平均尺寸为35nm以上200nm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及半导体装置用接合线。并且，涉及包括该接合线的半导体装置。

技术介绍

1、在半导体装置中，通过接合线将形成于半导体芯片上的电极与引线框或基板上的电极之间进行连接。接合线的连接工艺通过与半导体芯片上的电极进行第一次接合，接着在形成环后，将线部与引线框或基板上的外部电极进行第二次接合而完成。第一次接合是利用电弧热输入将线前端加热熔融，通过表面张力形成无空气焊球(fab：free air ball；以下，也简称为“球”。)后，将该球部压接接合于半导体芯片上的电极(以下，称为“球接合”)。另外，第二次接合不形成球，而是通过施加超声波、载荷而将线部压接接合于外部电极上(以下，称为“楔接合”)。然后，在连接工艺之后，利用密封树脂将接合部密封而得到半导体装置。

2、至今为止，接合线的材料以金(au)为主流，但以lsi用途为中心，向铜(cu)的替代正在推进(例如，专利文献1～3)，另外，以近年来的电动汽车、混合动力汽车的普及为背景而在车载用设备用途中，以及在空调、太阳能发电系统等大功率设备中的功率设备(功率半导体装置)用途中，由于热导率及熔断电流高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置用接合线，其是包括由Cu或Cu合金构成的芯材以及在该芯材的表面形成的含有Cu以外的导电性金属的被覆层的半导体装置用接合线，

2.如权利要求1所述的接合线，

3.如权利要求1或2所述的接合线，

4.如权利要求1至3的任意一项所述的接合线，

5.如权利要求1至4的任意一项所述的接合线，

6.如权利要求1至5的任意一项所述的接合线，

7.如权利要求1至6的任意一项所述的接合线，

8.如权利要求1至7的任意一项所述的接合线，

9.一种半导体装置，

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置用接合线，其是包括由cu或cu合金构成的芯材以及在该芯材的表面形成的含有cu以外的导电性金属的被覆层的半导体装置用接合线，

2.如权利要求1所述的接合线，

3.如权利要求1或2所述的接合线，

4.如权利要求1至3的任意一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：宇野智裕，小山田哲哉，小田大造，江藤基稀，
申请(专利权)人：日铁化学材料株式会社，
类型：发明
国别省市：