【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开一般涉及传感器设备和相关方法，包括但不限于超声传感器系统和用于使用此类系统的方法。相关技术描述生物测定认证可以是用于控制对设备的访问等的重要特征。许多现有产品包括某种类型的生物测定认证。尽管一些现有的生物测定认证技术提供了令人满意的性能，但是改进的方法和设备将是合乎期望的。
技术介绍
技术实现思路
0、概述
1、本公开的系统、方法和设备各自具有若干创新性方面，其中并不由任何单个方面全权负责本文中所公开的期望属性。
2、本公开中所描述的主题内容的一个创新性方面可在一种装置中实现。在一些示例中，该装置可以是移动设备或者可以驻留在移动设备内。该装置可以包括超声传感器系统。该超声传感器系统可以包括超声收发器层、频率区分层以及驻留于该超声收发器层与该频率区分层之间的薄膜晶体管(tft)层。该tft层可以邻近该频率区分层的第一侧。根据一些示例，该装置可以包括邻近该频率区分层的第二侧的显示器堆叠。
3、该频率区分层可以包括与该超声传感器系统的较低频区域相对应并且包括具有第一声阻抗的第一材料的第一频率区分层区域。该频率区分层可以包括与该超声传感器系统的较高频区域相对应并且包括具有第二声阻抗的第二材料的第二频率区分层区域。例如，该第一声阻抗可以高于该第二声阻抗。根据一些实现，该频率区分层可以是或者可以包括该第二频率区分层区域中的粘合剂层。
4、在一些实现中，该第一材料可以是或者可以包括高阻抗层。在一些示例中，该高阻抗层可以是或者可以包括钢、镍、白铜、铜或玻璃
5、根据一些示例，该频率区分层进一步可以是或者可以包括该第二频率区分层区域中的第一谐振器。在一些此类示例中，该第一谐振器可以包括该第二材料。根据一些示例，该tft层可以邻近该第一谐振器的第一侧，并且高阻抗层可以邻近该第一谐振器的第二侧。例如,该高阻抗层可以具有比该第二材料的声阻抗更高的声阻抗。在一些示例中，该第一谐振器可以具有与一半波长相对应的厚度。在一些实例中，该波长可以与该超声传感器系统的该较高频区域的峰值频率相对应。在一些示例中，该较高频区域的该峰值频率可以在10mhz至20mhz的范围内。
6、在一些示例中，该频率区分层进一步可以是或者可以包括该第二频率区分层区域中的第二谐振器。该第二谐振器可以包括该超声收发器层。在一些示例中，该tft层可以邻近该第二谐振器的第一侧。在一些实例中，该第二谐振器可以包括该超声传感器系统的电极层。根据一些示例，该第二谐振器具有与四分之一波长相对应的厚度，该波长与该超声传感器系统的该较高频区域的峰值频率相对应。
7、在一些实例中，该频率区分层可以是或者可以包括该第一频率区分层区域中的第二谐振器。在一些示例中，该第二谐振器可以包括该tft层和该超声收发器层。根据一些示例，该第一材料可以邻近该第二谐振器的第一侧。在一些此类示例中，该第二谐振器可以包括该超声传感器系统的电极层。在一些示例中，该第二谐振器可以具有与四分之一波长相对应的厚度。该波长可以与该超声传感器系统的该较低频区域的峰值频率相对应。例如，该较低频区域的该峰值频率可以在1mhz到10mhz的范围中。
8、在一些示例中，该装置可包括控制系统。控制系统可包括一个或多个通用单芯片或多芯片处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其他可编程逻辑器件、分立的门或晶体管逻辑、分立的硬件组件或其组合。
9、根据一些示例，该控制系统可以被配置成控制该超声收发器层通过该第一频率区分层区域传送第一超声波。该第一超声波可以包括第一峰值频率。该控制系统可以被配置成控制该超声收发器层通过该第二频率区分层区域传送第二超声波。该第二超声波可以包括第二峰值频率。该控制系统可以被配置成从该超声传感器系统接收第一信号，该第一信号与该第一超声波从位于该装置外表面上的目标对象的第一部分的反射相对应。该控制系统可以被配置成从该超声传感器系统接收第二信号，该第二信号与该第二超声波从该目标对象的第二部分的反射相对应。
10、在一些实现中，该控制系统可被配置成执行至少部分地基于该第一信号、该第二信号或其组合的认证过程。根据一些实现，该第一信号可包括表皮下层信息，该表皮下层信息与在与表皮下区域相对应的时间区间内从该目标对象的该第一部分接收到的该第一超声波的反射相对应。在一些示例中，该控制系统可被配置成执行至少部分地基于该第一信号的活体检测过程。
11、本公开中所描述的主题内容的其他创新性方面可在一种装置中实现。在一些示例中，该装置可以是移动设备或者可以驻留在移动设备内。该装置可以包括超声传感器系统。该超声传感器系统可以包括超声收发器层以及邻近该超声收发器层的第一侧的显示器堆叠。
12、根据一些示例，该频率区分层可以包括与该超声传感器系统的较低频区域相对应并且包括具有第一声阻抗和第一厚度的第一材料的第一频率区分层区域。在一些此类示例中，该频率区分层可以包括具有第二声阻抗的第二材料。在一些示例中，该第一声阻抗可以高于该第二声阻抗。
13、在一些示例中，该频率区分层可以包括与该超声传感器系统的较高频区域相对应并且包括具有第二厚度的该第一材料和该第二材料的第二频率区分层区域。在一些实例中，该第一厚度可以大于该第二厚度。在一些实现中，该频率区分层的该第一材料可以是或者可以包括该超声传感器系统的电极层。
14、在一些实现中，该第一材料可以是或者可以包括印刷电路板材料的导电部分。在一些此类示例中，该第二材料可以是或者可以包括印刷电路板材料的绝缘部分。
15、根据一些实现，该装置可以包括邻近该超声收发器层的第二侧的高阻抗层。在一些此类示例中，该高阻抗层可以具有比该超声收发器层声阻抗更高的声阻抗。在一些示例中，该高阻抗层可以是或者可以包括tft层和/或玻璃层。
16、在一些实现中，该装置可以包括邻近该高阻抗层的第一侧的显示器堆叠。在一些此类示例中，该超声收发器层可以邻近该高阻抗层的第二侧。
17、本公开中所描述的主题内容的再另一创新性方面可在一种装置中实现。在一些示例中，该装置可以是移动设备或者可以驻留在移动设备内。该装置可以包括超声传感器系统。该超声传感器系统可以包括tft层、超声收发器层、频率区分层以及驻留于该超声收发器层与该频率区分层之间的电极层。在一些示例中，该电极层可以邻近该频率区分层的第一侧。根据一些示例，该装置可以包括邻近该频率区分层的第二侧的显示器堆叠。
18、在一些实现中，该频率区分层可以包括与该超声传感器系统的较低频区域相对应并且包括具有第一声阻抗的第一材料的第一频率区分层区域。根据一些示例，该频率区分层可以包括与该超声传感器系统的较高频区域相对应并且包括具有第二声阻抗的第二材料的第二频率区分层区域。在一些示例中，该第一声阻抗本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种装置，包括：
2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一材料包括高阻抗层。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述高阻抗层包括钢、镍、白铜、铜或玻璃。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述第二材料包括低阻抗层。
5.如权利要求4所述的装置，其中所述低阻抗层包括聚酰亚胺、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一者。
6.如权利要求1所述的装置，进一步包括邻近所述频率区分层的第二侧的显示器堆叠。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述频率区分层包括在所述第二频率区分层区域中的粘合剂层。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述频率区分层进一步包括在所述第二频率区分层区域中的第一谐振器，所述第一谐振器包括所述第二材料。
9.如权利要求8所述的装置，其中所述TFT层邻近所述第一谐振器的第一侧，并且其中高阻抗层邻近所述第一谐振器的第二侧，所述高阻抗层具有比所述第二材料的声阻抗更高的声阻抗。
10.如权利要求8所述的装置，其中所述第一谐振器具有与一半波长相对应的厚度，并且其中所述波长与所
11.如权利要求10所述的装置，其中所述较高频区域的所述峰值频率在10MHz到20MHz的范围中。
12.如权利要求8所述的装置，其中所述频率区分层进一步包括所述第二频率区分层区域中的第二谐振器，所述第二谐振器包括所述超声收发器层。
13.如权利要求12所述的装置，其中所述TFT层邻近所述第二谐振器的第一侧，并且其中所述第二谐振器包括所述超声传感器系统的电极层。
14.如权利要求12所述的装置，其中所述第二谐振器具有与四分之一波长相对应的厚度，所述波长与所述超声传感器系统的所述较高频区域的峰值频率相对应。
15.如权利要求8所述的装置，其中所述频率区分层进一步包括所述第一频率区分层区域中的第二谐振器，所述第二谐振器包括所述TFT层和所述超声收发器层。
16.如权利要求15所述的装置，其中所述第一材料邻近所述第二谐振器的第一侧，并且其中所述第二谐振器包括所述超声传感器系统的电极层。
17.如权利要求15所述的装置，其中所述第二谐振器具有与四分之一波长相对应的厚度，并且其中所述波长与所述超声传感器系统的所述较低频区域的峰值频率相对应。
18.如权利要求17所述的装置，其中所述较低频区域的所述峰值频率在1MHz到10MHz的范围中。
19.如权利要求1所述的装置，进一步包括控制系统，所述控制系统被配置成：
20.如权利要求19所述的装置，其中所述控制系统被配置成执行至少部分地基于所述第一信号、所述第二信号或其组合的认证过程。
21.如权利要求19所述的装置，其中所述第一信号包括表皮下层信息，所述表皮下层信息与在与表皮下区域相对应的时间区间内从所述目标对象的所述第一部分接收到的所述第一超声波的反射相对应，并且其中所述控制系统被配置成执行至少部分地基于所述第一信号的活体检测过程。
22.如权利要求1所述的装置，其中所述装置驻留于移动设备内。
23.一种装置，包括：
24.如权利要求23所述的装置，其中所述第一材料包括印刷电路板材料的导电部分，并且其中所述第二材料包括所述印刷电路板材料的绝缘部分。
25.如权利要求23所述的装置，进一步包括邻近所述超声收发器层的第二侧的高阻抗层，所述高阻抗层具有比所述超声收发器层的声阻抗更高的声阻抗。
26.如权利要求25所述的装置，其中所述高阻抗层包括薄膜晶体管(TFT)层或玻璃层。
27.如权利要求25所述的装置，进一步包括邻近所述高阻抗层的第一侧的显示器堆叠，其中所述超声收发器层邻近所述高阻抗层的第二侧。
28.一种装置，包括：
29.如权利要求28所述的装置，其中所述第一材料包括钢、镍、白铜、铜、玻璃或其组合，并且其中所述第二材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或其组合。
30.如权利要求28所述的装置，进一步包括邻近所述频率区分层的第二侧的显示器堆叠。
31.一种装置，包括：
32.如权利要求31所述的装置，进一步包括驻留于所述超声传感器系统和所述显示器堆叠之间的高阻抗层。
33.如权利要求32所述的装置，进一步包括驻留于所述超声传感器系统和所述高阻抗层之间的低阻抗层，其中第三谐振器包括所述低阻抗层并由所述高阻抗层和所述TFT层界定，所述第三谐振器具有在所述第一频率范围中的第三谐振...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种装置，包括：
2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一材料包括高阻抗层。
3.如权利要求2所述的装置，其中所述高阻抗层包括钢、镍、白铜、铜或玻璃。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述第二材料包括低阻抗层。
5.如权利要求4所述的装置，其中所述低阻抗层包括聚酰亚胺、聚碳酸酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一者。
6.如权利要求1所述的装置，进一步包括邻近所述频率区分层的第二侧的显示器堆叠。
7.如权利要求1所述的装置，其中所述频率区分层包括在所述第二频率区分层区域中的粘合剂层。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述频率区分层进一步包括在所述第二频率区分层区域中的第一谐振器，所述第一谐振器包括所述第二材料。
9.如权利要求8所述的装置，其中所述tft层邻近所述第一谐振器的第一侧，并且其中高阻抗层邻近所述第一谐振器的第二侧，所述高阻抗层具有比所述第二材料的声阻抗更高的声阻抗。
10.如权利要求8所述的装置，其中所述第一谐振器具有与一半波长相对应的厚度，并且其中所述波长与所述超声传感器系统的所述较高频区域的峰值频率相对应。
11.如权利要求10所述的装置，其中所述较高频区域的所述峰值频率在10mhz到20mhz的范围中。
12.如权利要求8所述的装置，其中所述频率区分层进一步包括所述第二频率区分层区域中的第二谐振器，所述第二谐振器包括所述超声收发器层。
13.如权利要求12所述的装置，其中所述tft层邻近所述第二谐振器的第一侧，并且其中所述第二谐振器包括所述超声传感器系统的电极层。
14.如权利要求12所述的装置，其中所述第二谐振器具有与四分之一波长相对应的厚度，所述波长与所述超声传感器系统的所述较高频区域的峰值频率相对应。
15.如权利要求8所述的装置，其中所述频率区分层进一步包括所述第一频率区分层区域中的第二谐振器，所述第二谐振器包括所述tft层和所述超声收发器层。
16.如权利要求15所述的装置，其中所述第一材料邻近所述第二谐振器的第一侧，并且其中所述第二谐振器包括所述超声传感器系统的电极层。
17.如权利要求15所述的装置，其中所述第二谐振器具有与四分之一波长相对应的厚度，并且其中所述波长与所述超声传感器系统的所述较低频区域的峰值频率相对应。
【专利技术属性】
技术研发人员：J·L·斯特罗曼，卢奕鹏，H·V·潘查瓦赫，K·D·约尔捷夫，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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