【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及无机固体的表面碳量测定方法，详细而言，涉及使附着于无机固体的表面的碳成分氧化并对所产生的二氧化碳进行定量的上述方法。
技术介绍
1、多晶硅被用作半导体器件等的制造中所需的硅单晶培育用的原料，对其纯度的要求逐年提高。
2、在大多情况下，多晶硅通过西门子法制造。所谓西门子法，是通过使三氯硅烷等硅烷原料气体与经加热的硅芯棒接触而使多晶硅在芯棒表面气相生长的方法。以西门子法制造的多晶硅被以杆状得到。该杆状的多晶硅通常是直径为80～150mm、长度为1000mm以上的大小。因此，在将杆状的多晶硅用于其他工序、例如基于cz法的硅单晶培育设备的情况下，将其切断为规定长度的杆、破碎为适当的块状。这些多晶硅破碎块根据需要使用筛子等进行分类。其后，为了将在表面附着的金属污染物去除，经过清洗工序、例如通常使氢氟酸或包含氢氟酸和硝酸的酸性溶液与多晶硅接触等方法，在包装工序中装入高纯度的包装袋中，并被出厂用于前述用途。
3、然而，在上述多晶硅破碎块的制造工序中，有时其表面不仅附着有多种金属污染物，还附着有有机系物质。这种有机...
【技术保护点】
1.无机固体的表面碳量测定方法，其特征在于，在含氧气氛下对收容于密闭容器中的无机固体进行加热并使表面燃烧，利用气相色谱法对该燃烧后的容器气氛中的二氧化碳量进行分析，根据所得分析结果来求出所述无机固体表面的碳量。
2.根据权利要求1所述的无机固体的表面碳量测定方法，其中，无机固体是多晶硅破碎块。
3.根据权利要求2所述的无机固体的表面碳量测定方法，其中，多晶硅破碎块的至少90质量％是长径的长度在10～1000mm的范围内的大小，该多晶硅破碎块在密闭容器中的收容量为40g以上。
4.根据权利要求1或2所述的无机固体的表面碳量测定方法，其...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.无机固体的表面碳量测定方法，其特征在于，在含氧气氛下对收容于密闭容器中的无机固体进行加热并使表面燃烧，利用气相色谱法对该燃烧后的容器气氛中的二氧化碳量进行分析，根据所得分析结果来求出所述无机固体表面的碳量。
2.根据权利要求1所述的无机固体的表面碳量测定方法，其中，无机固体是多晶硅破碎块。
3.根据权利要求2所述的无机固体的表面碳量测定方法，其中，多晶硅破碎块的至少90质量％是长径的长度在10～1000mm的范围内的大小，该多晶硅破碎块在密闭容器中的收容量为40g以上。
4.根据权利要求1或2所述的无机固体的表面碳量测定方法，其中，密闭容器的壁面的一部分向外方向延伸而形成延伸部，在该延伸部的外端面设有能够利用盖材开闭的无机固体的出入口。
5.根据权利要求4所述的无机固体的表面碳量测定方法，其中，密闭容器的延伸部的长度是使得在无机固体的表面燃烧时外端面处的内部空间温度成为200℃以下的长度。
6.根据权利要求1或2所述的无机固体的表面碳量测定方法，其中，密闭容器是圆筒构造，且是在一个外端侧的内部空间中设有收容并加热无机固体的收容加热部、在另一外端面设有所述无机固体的出入口的形态。
7.根据权利要求1或2所述的无机固体的表面碳量测定方法，其中，密闭容器为哈氏合金制。
8.根据权利要求6所述的无机固体的表面碳量测定方法，其中，密闭容器被以使设有收容加热...
【专利技术属性】
技术研发人员：保坂俊辅，中村靖夫，上田政树，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：
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