太赫兹开关及压力标定装置制造方法及图纸

本申请涉及一种太赫兹开关及压力标定装置。所述装置包括：太赫兹波接收端，用于接收太赫兹波；太赫兹波输出端，用于输出太赫兹波；核心材料层，所述核心材料层设置于所述太赫兹波接收端与所述太赫兹波输出端之间，所述核心材料层包括狄拉克半金属层，用于控制所述太赫兹波的输出；以及压力装置，用于向所述核心材料层施加压力，以使所述核心材料层控制所述太赫兹波在所述太赫兹波接收端与太赫兹波输出端之间的通断。所述太赫兹开关装置能够根据接受到的压力快速响应系统对太赫兹波通断的要求。

THz Switch and Pressure Calibration Device

This application relates to a terahertz switch and a pressure calibration device. The device comprises a terahertz wave receiving terminal for receiving terahertz wave, a terahertz wave output terminal for outputting terahertz wave, a core material layer between the terahertz wave receiving terminal and the terahertz wave output terminal, a core material layer comprising a Dirac semi-metallic layer for controlling the output of the terahertz wave, and a pressure device. A pressure is applied to the core material layer so that the core material layer controls the switching of the terahertz wave between the terahertz wave receiving end and the terahertz wave output end. The terahertz switching device can meet the requirement of the receiving pressure fast response system for terahertz wave on-off.

【技术实现步骤摘要】
太赫兹开关及压力标定装置
本申请涉及太赫兹
，特别是涉及一种太赫兹开关及压力标定装置。
技术介绍
随着太赫兹技术的不断发展，太赫兹波越来越多地被应用到实际生产运营中。然而，由于传统的电子器件和光学器件在太赫兹波段不再适用，因此可应用于太赫兹频段的功能材料和器件成为限制太赫兹技术发展和应用的关键因素。太赫兹开关是一种非常重要的太赫兹功能器件，用于控制太赫兹系统中太赫兹波的通断。因此，提升太赫兹开关的性能，简化太赫兹开关器件，实现快速精确控制太赫兹波的通断，开发具有优良性能的太赫兹波开关器件是太赫兹技术应用的关键之一。但是，现有太赫兹开关器件在控制太赫兹波通断时一般采用外加电流、热量、偏压等方式，开关器件对太赫兹波通断的响应速度慢，可控性较差。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种太赫兹开关及压力标定装置。一种太赫兹开关装置，其特征在于，所述装置包括：太赫兹波接收端，用于接收太赫兹波；太赫兹波输出端，用于输出太赫兹波；核心材料层，所述核心材料层设置于所述太赫兹波接收端与所述太赫兹波输出端之间，所述核心材料层包括狄拉克半金属层，用于控制所述太赫兹波的通断；以及压力装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太赫兹开关装置，其特征在于，所述装置包括：太赫兹波接收端(102)，用于接收太赫兹波；太赫兹波输出端(104)，用于输出太赫兹波；核心材料层(106)，所述核心材料层(106)设置于所述太赫兹波接收端(102)与所述太赫兹波输出端(104)之间，所述核心材料层(106)包括狄拉克半金属层(1061)，用于控制所述太赫兹波的通断；以及压力装置(108)，用于向所述核心材料层(106)施加压力，以使所述核心材料层(106)控制所述太赫兹波在所述太赫兹波接收端(102)与太赫兹波输出端(104)之间的通断。

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹开关装置，其特征在于，所述装置包括：太赫兹波接收端(102)，用于接收太赫兹波；太赫兹波输出端(104)，用于输出太赫兹波；核心材料层(106)，所述核心材料层(106)设置于所述太赫兹波接收端(102)与所述太赫兹波输出端(104)之间，所述核心材料层(106)包括狄拉克半金属层(1061)，用于控制所述太赫兹波的通断；以及压力装置(108)，用于向所述核心材料层(106)施加压力，以使所述核心材料层(106)控制所述太赫兹波在所述太赫兹波接收端(102)与太赫兹波输出端(104)之间的通断。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述压力装置(108)包括：间隔设置的第一组块结构(1081)以及第二组块结构(1082)，所述核心材料层(106)设置于所述第一组块结构(1081)和所述第二组块结构(1082)之间。3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述第一组块结构(1081)以及所述第二组块结构(1082)的材料为非极性材料。4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，所述第一组块结构(1081)及所述第二阻块结构(1082)为强硬度材料。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述压力装置(108)还包括：压力调节装置，与所述第一组块结构(1081)及第二组块结构(1082)连接，用于调节第一组块结构(1081)与第二组块结构(1082)之间的距离，以调节施加到所述核心材料层(106)的压力。6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述压力调节装置包括：第一压力调节单元(1083)以及第二压力调节单元(1084)，所述第一压力调节单元(1083)用于向所述第一组...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑小平，张珊，邓晓娇，耿华，欧湛，李志杰，李佳，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京,11