感测装置及感测方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及感测装置及感测方法。一种感测方法，使用一包括发光器及接收器的检测装置，先将该发光器朝一目标物发射光线，且以该接收器接收该光线反射的状态得知该目标物的量值大小。

Sensing Device and Sensing Method

The invention relates to a sensing device and a sensing method. A sensing method uses a detection device including a light emitter and a receiver. The light emitter first emits light to a target, and the magnitude of the target is known by the state of the light reflected by the receiver.

【技术实现步骤摘要】
感测装置及感测方法
本专利技术关于一种检测制程，尤指一种检测目标物含量是否充足的感测装置及感测方法。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品在型态上趋于轻薄短小，在功能上则逐渐迈入高性能、高功能、高速度化的研发方向。为满足半导体装置的高积集度(Integration)及微型化需求，除传统打线式的半导体封装技术外，亦可通过覆晶方式，以提升布线密度。如图1所示，现有覆晶式半导体封装件1是将一半导体晶片12以多个焊锡凸块13结合至一封装基板11上，且该些焊锡凸块13上具有助焊剂(flux)14，以利于回焊该焊锡凸块13，进而提升该半导体晶片12与该封装基板11间的电性导通。然而，现有半导体封装件1于制作该助焊剂14时，并没有侦测该助焊剂14的储存量的检查作业，故往往发生该助焊剂14的储存量不足而未发出警示的情况，以导致于在覆晶封装过程中，部分焊锡凸块13上没有形成助焊剂14，因而造成该半导体晶片12与该封装基板11间的电性不良，导致产品异常的情形。因此，如何解决现有技术的缺失，实为目前各界亟欲解决的技术问题。
技术实现思路
为解决上述现有技术的种种问题，本专利技术遂揭示一种感测装置及感测方法，能提升半导体晶片与封装基板间的电性良率，进而提升产品的可靠度。本专利技术的感测装置，包括：发光器，其朝至少一目标物发射光线；以及接收器，其用以接收该光线的反射，并依据该光线的反射状态，得知该目标物的量值大小。本专利技术亦揭示一种感测方法，包括：提供一包括一发光器及接收器的检测装置；以及将该发光器朝一目标物发射光线，且以该接收器接收该光线的反射，并依据该光线的反射状态，得知该目标物的量值大小。前述的感测装置及感测方法中，该发光器为光纤或发光二极体。前述的感测装置及感测方法中，该接收器为光感测器。前述的感测装置及感测方法中，当该接收器未接收到该目标物所反射的光线时，表示该目标物的量值达到标准。前述的感测装置及感测方法中，当该接收器接收到该目标物所反射的光线时，表示该目标物的量值未达标准。前述的感测装置及感测方法中，还包括警示器，以当该接收器接收到该目标物所反射的光线时，该警示器发出警示讯号。前述的感测装置及感测方法中，该目标物为助焊剂。由上可知，本专利技术的感测装置及感测方法中，通过光感测方式进行目标物量值大小的判断，以得知该目标物的量值状态，故相较于现有技术，当该目标物为助焊剂时，本专利技术能立即发现该助焊剂的储存量不足而发出警示，以于覆晶封装过程中，避免焊锡凸块上没有助焊剂的问题，因而能提升半导体晶片与封装基板间的电性良率，进而提升产品的可靠度。附图说明图1为显示现有半导体封装件的剖面示意图；图2A至图2B为显示助焊剂的成型制程的侧视示意图；以及图3A至图3B为显示本专利技术的检测方法的侧视示意图。符号说明：1半导体封装件11封装基板12半导体晶片13焊锡凸块14,24助焊剂20承载件21成形件210容置空间24a助焊材料3检测装置30发光器31接收器32警示器A置放区L,L1,L2光线。具体实施方式以下通过特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其他优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、及“一”等的用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当也视为本专利技术可实施的范畴。首先，请参阅图2A至图2B，其为助焊剂的成型制程的侧视示意图。如图2A所示，于一承载件20上设置一具有容置空间210的成形件21，且将助焊材料24a装入该容置空间210中。于本实施例中，该承载件20具有一置放区A，以供置放电子元件(如图1所示的半导体晶片12)。具体地，该电子元件为主动元件、被动元件或其二者组合等，其中，该主动元件为例如半导体晶片，且该被动元件为例如电阻、电容及电感。再者，该成形件21为刮环，且该容置空间210与该承载件20的表面连通(即该承载件20的表面外露于该容置空间210)，其形状例如为球形或其它适用的形状。又，该助焊材料24a用以于回焊作业中，提升覆晶制程用的焊锡凸块的结合性。如图2B所示，移动该成形件21以带动该助焊材料24a配合该容置空间210的形状变形，使该助焊材料24a成为助焊剂24。于本实施例中，是沿该承载件20的平面方向移动该成形件21，使该助焊剂24呈现如球状的凸块体。还请配合参阅图3A至图3B，其为显示本专利技术的检测方法的侧视示意图。本专利技术的检测方法是使用一检测装置3检测至少一目标物，其中，该检测装置3包括一发光器30及接收器31，且该目标物为该助焊剂24。所述的发光器30为光纤、发光二极体或其它适用的光源。所述的接收器31为光感测器或其它适用的讯号接收器。如图3A所示，将该检测装置3的发光器30朝该成形件21发射光线L，若该助焊剂24的储存量充足(该助焊剂24的体积符合预期)时，该光线L会抵达该助焊剂24，而该助焊剂24会将光线L1反射至别处，使该检测装置3的接收器31无法接收来自该助焊剂24的反射光线L1。因此，该接收器31的接收状态代表该助焊剂24的储存量充足而无需补充。于本实施例中，该助焊剂24形成球状，使抵达至该助焊剂24的光线L造成散射，而使该接收器31不会接收到反射光线L1。如图3B所示，若该助焊剂24的储存量过少(该助焊剂24的体积过小)时，来自该发光器30的光线L会抵达该承载件20而不会抵达该助焊剂24，因而该承载件20会将光线L2朝该接收器31反射，使该接收器31会接收来自该承载件20的反射光线L2。因此，该接收器31的接收状态代表该助焊剂24的储存量不足而需补充该助焊剂24。于本实施例中，该检测装置3可包括一警示器32，例如，警示灯、蜂鸣器、振动器、制程暂停机制或其它适用的的警示机制。当该接收器31的接收状态代表该助焊剂24的储存量不足时，该警示器32会发生警示讯号，以提醒作业员补充该助焊剂24的储存量。综上所述，本专利技术的感测装置3及感测方法中，主要通过光感测方式进行该助焊剂24的储存量的判断，以即时侦测该助焊剂24的储存量状态，故相较于现有技术，本专利技术能立即发现该助焊剂24的储存量不足而发出警示，以于覆晶封装过程中，避免焊锡凸块上没有助焊剂的问题，因而能提升半导体晶片与封装基板间的电性良率，进而提升产品的可靠度。上述该些实施例仅例示性说明本专利技术的功效，而非用于限制本专利技术，任何所属领域技术人员均可在不违背本专利技术的精神及范畴下，对上述该些实施态样进行修饰与改变。此外，在上述该些实施态样中的元件的数量仅为例示性说明，也非用于限制本专利技术。因此本专利技术的权利保护范围，应如后述权利要求书所列。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感测装置，其特征在于，该感测装置包括：发光器，其朝至少一目标物发射光线；以及接收器，其用以接收该光线的反射，并依据该光线的反射状态，得知该目标物的量值大小。

【技术特征摘要】
2017.11.15 TW 1061394911.一种感测装置，其特征在于，该感测装置包括：发光器，其朝至少一目标物发射光线；以及接收器，其用以接收该光线的反射，并依据该光线的反射状态，得知该目标物的量值大小。2.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该发光器为光纤或发光二极体。3.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该接收器为光感测器。4.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该接收器未接收到该目标物所反射的光线时，表示该目标物的量值达到标准。5.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该接收器接收到该目标物所反射的光线时，表示该目标物的量值未达标准。6.根据权利要求1所述的感测装置，其特征在于，该感测装置还包括警示器，以于该接收器接收到该目标物所反射的光线时，该警示器发出警示讯号。7.根据权利要求1所述的感测装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王维宾，林恩立，庄孟宗，陈金发，郑坤一，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71