一种晶圆研磨载具制造技术

本实用新型专利技术提供了一种晶圆研磨载具，解决了现有的晶圆研磨载具一次加工的晶圆数量较少，加工效率较低的问题；一种晶圆研磨载具，包括载具体、设置在所述载具体顶面上的研磨装置和设置在所述载具体上的控制装置；所述研磨装置包括研磨体，所述研磨体包括挡板和若干个与所述挡板相连的工作件，所述挡板上设有与所述工作件数量一致的滑槽，所述滑槽一端研磨位置，另一端是换晶位置，且所述换晶位置在同一直线上；所述工作件上部均滑动设置在所述滑槽内，且一一对应；所述工作件包括一个主动件和若干个通过连杆与所述主动件相连的从动件；本实用新型专利技术的一种晶圆研磨载具通过研磨装置的设置在同一时间内加工多个晶圆，提高了加工效率。

A Wafer Grinding Vehicle

The utility model provides a wafer grinding tool, which solves the problem that the existing wafer grinding tool has fewer wafers in one processing and lower processing efficiency; a wafer grinding tool includes a grinding device with a specific load, a grinding device arranged on the specific top surface of the load and a control device arranged on the specific load; the grinding device includes a grinding body, and the grinding body bag. The baffle comprises a baffle and several workpieces connected with the baffle. The baffle is provided with a sliding groove with the same number of workpieces. One end of the sliding groove has a grinding position and the other end is a crystallization position, and the crystallization position is on the same straight line line line line. The upper part of the workpiece slides in the sliding groove and corresponds one by one. The workpiece includes an active part and several passes. The follower connected with the active member through the connecting rod; a wafer grinding carrier of the utility model can process multiple wafers at the same time through the setting of the grinding device, thereby improving the processing efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆研磨载具
本技术属于磨加工设备
，具体涉及一种晶圆研磨载具。
技术介绍
化学机械研磨(ChemicalMechanicalPolishing，CMP)是晶圆制造中，随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小，光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高，IBM公司于1985年发展CMOS产品引入，并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。1995年以后，CMP技术得到了快速发展，大量应用于半导体产业。化学机械研磨亦称为化学机械研磨，其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术，是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。化学机械研磨是在一定压力及研磨液的存在下，研磨机的研磨头夹持住被研磨工件相对于研磨垫做高速的相对运动，研磨液在工件与研磨点之间连续相对流动，研磨液中的氧化剂对裸露的工件表面进行腐蚀，并产生氧化膜；氧化膜在研磨液中微粒的机械研磨作用下被除去；由于工件表面微观不平整，凹处的氧化膜未被除去，并被研磨液中的缓蚀剂等化学成分反应生成钝化膜，保护工件不被氧化，而凸处的氧化膜被除去了，新的裸露的工件表面又被氧化剂腐蚀，产生氧化膜，氧化膜再次通过微粒的研磨作用被除去，反复重复后使被研磨表面形成光洁表面，达到全局平整化。现有的晶圆研磨载具一次加工的晶圆数量较少，加工效率较低。
技术实现思路
本技术目的在于提供一种晶圆研磨载具，解决了现有的晶圆研磨载具一次加工的晶圆数量较少，加工效率较低的问题。本技术所采用的技术方案为：一种晶圆研磨载具，包括载具体、设置在所述载具体顶面上的研磨装置和设置在所述载具体上的控制装置；所述研磨装置包括研磨体，所述研磨体包括挡板和若干个与所述挡板相连的工作件，所述挡板上设有与所述工作件数量一致的滑槽，所述滑槽一端研磨位置，另一端是换晶位置，且所述换晶位置在同一直线上；所述工作件上部均滑动设置在所述滑槽内，且一一对应；所述工作件包括一个主动件和若干个通过连杆与所述主动件相连的从动件；研磨时，所述工作件均处于对应所述滑槽的研磨位置上；研磨完成换晶时，所述主动件通过第一传动机构沿着对应滑槽从研磨位置滑动至换晶位置时，所述连杆驱动所述从动件沿着对应的滑槽从研磨位置滑动至换晶位置。进一步，所述研磨装置还包括旋转设置在所述载具体上的立柱、通过第二传动机构上下滑动设置在所述立柱上的水平臂和设置在所述研磨体下方的研磨垫，且所述立柱上还设有与第一盛液箱连通的喷枪，所述喷枪的喷嘴悬置在所述研磨垫上方；所述研磨体设置在所述水平臂上。由于传送带固定在本晶圆研磨载具一侧，一组晶圆研磨完毕后在控制装置的控制下，通过立柱旋转使所述工作件悬置在传送带上方，进而完成换晶；所述研磨装置能够完成研磨、换晶两个动作，实现一机多用，减少其余装置的设置，简化设计、节约加工时间。进一步，所述滑槽分为与所述主动件相连的第一滑槽和与两个所述从动件相连的第二滑槽，所述第一滑槽平行于所述水平臂设置在所述挡板上，所述第二滑槽均对称于所述第一滑槽设置在所述挡板上。由于传送带是直带，所以加工后换晶时所述工作件需要在同一直线上，而所述工作件的位移受到所述滑槽的限制，故为了方便换晶和通过便于所述主动件驱动所述从动件运动，使所述第二滑槽对称于所述第一滑槽。进一步，所述第一滑槽是直槽，所述第二滑槽均是弧形槽；所述主动件有一个，所述从动件有两个。所述滑槽均起到限制设置在对应所述滑槽内的所述工作件的位移方向，同时通过所述滑槽形状的不同，使所述工作件在滑槽的研磨位置进行晶圆的研磨，在换晶位置进行晶圆的更换，同时通过槽形的限制保证在所述第二传动机构和所述连杆系的共同作用下，所述工作件准确进行位置的变换。进一步，所述第一传动机构固定在所述水平臂上，所述第二传动机构固定在所述立柱上，且所述第一传动机构和所述第二传动机构均是液压传动。液压传动可以输出大的推力或大转矩，可实现低速大吨位运动；液压传动能很方便地实现无级调速，调速范围大，且可在系统运行过程中调速；在相同功率条件下，液压传动装置体积小、重量轻、结构紧凑，液压元件之间可采用管道连接、或采用集成式连接，其布局、安装有很大的灵活性，可以构成用其它传动方式难以组成的复杂系统；液压传动能使执行元件的运动十分均匀稳定，可使运动部件换向时无换向冲击，而且由于其反应速度快，故可实现频繁换向；操作简单，调整控制方便，易于实现自动化，特别是和机、电联合使用时，能方便地实现复杂的自动工作循环；液压系统便于实现过载保护，使用安全、可靠，由于各液压元件中的运动件均在油液中工作，能自行润滑，故元件的使用寿命长。进一步，所述研磨垫四周设有环形的研磨液收集槽，所述研磨液收集槽通过过滤装置与所述第一盛液箱连通，所述第一盛液箱内装有研磨液。通过将所述研磨液收集槽、所述过滤装置和所述第一盛液装置连通，实现研磨液的循环利用，节约资源，提高研磨液的使用率。进一步，所述过滤装置是顶端与所述研磨液收集槽连通、底端与所述第一盛液箱连通的过滤箱，过滤箱内设有过滤网。晶圆研磨过程中，由于各种原因脱落的颗粒会在所述研磨液的带动下进入相连通的研磨液循环使用过程中，而大尺寸的颗粒会在晶圆加工面划伤，故设置过滤箱过滤大尺寸颗粒以减小晶圆划伤的可能性，增加晶圆加工的合格率。进一步，所述控制装置包括控制研磨装置和过滤装置工作的控制模块和与终端相连的通信模块；所述控制模块是型号为STC89C52的单片机，所述通信模块通过WIFI无线通信方式与终端相连。STC89C52RC是STC公司生产的一种低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K字节系统可编程Flash存储器。STC89C52使用经典的MCS-51内核，但是做了很多的改进使得芯片具有传统51单片机不具备的功能。在单芯片上，拥有灵巧的8位CPU和在系统可编程Flash，使得STC89C52为众多嵌入式控制应用系统提供高灵活、超有效的解决方案。WIFI无线通信方式的覆盖范围广，数据传输速度快，使用门槛低、节约资金。本技术的有益效果为：本晶圆研磨载具加工晶圆时，工作件夹持待加工的晶圆后，在所述控制模块的控制下，所述第二传动机构驱动所述水平臂向下移动，同时带动设置在所述水平臂上的所述研磨体向下移动，从而使待加工的晶圆与设置在所述工作件下方的所述研磨垫相接触，并通过旋转的研磨垫进行CMP加工，且设置在所述立柱上的所述喷枪在待加工的晶圆与所述研磨垫接触前已经将所述研磨液喷洒在所述研磨垫上；在所述研磨垫、所述研磨液的共同作用下，待加工的晶圆的表面被加工；加工完成后，所述控制模块控制所述第二传动机构带动所述水平臂向上移动，使已加工的晶圆与所述研磨垫脱离接触；当所述水平臂移动至初始位置后，所述第二传动机构停止运动，所述控制模块控制所述第一传动机构带动所述主动件沿着所述第一滑槽滑动，与所述主动件相连的所述从动件在所述连杆的驱动下沿着对应的所述第二滑槽滑动，通过所述第一传动机构的驱动使所述工作件从研磨位置移动至同一直线上的换晶位置后，所述第一传动机构停止运动；此时，所述立柱旋转使所述工作件悬置在设置在本晶圆研磨载具旁的传送带上方，通过控制模块控制所述第二传动机构驱动所述水平臂向下移动，进而进行晶圆的更换，使已加工的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆研磨载具，其特征在于：包括载具体(1)、设置在所述载具体(1)顶面上的研磨装置(2)和设置在所述载具体(1)上的控制装置；所述研磨装置(2)包括研磨体(22)，所述研磨体(22)包括挡板(222)和若干个与所述挡板(222)相连的工作件(223)，所述挡板(222)上设有与所述工作件(223)数量一致的滑槽(221)，所述滑槽(221)一端是研磨位置，另一端是换晶位置，且所述换晶位置均在同一直线上；所述工作件(223)上部均滑动设置在所述滑槽(221)内，且一一对应；所述工作件(223)包括一个主动件(223b)和若干个通过连杆(7)与所述主动件(223b)相连的从动件(223a)；研磨时，所述工作件(223)均处于对应所述滑槽(221)的研磨位置上；研磨完成换晶时，所述主动件(223b)通过第一传动机构沿着对应滑槽(221)从研磨位置滑动至换晶位置时，所述连杆(7)驱动所述从动件(223a)沿着对应的滑槽(221)从研磨位置滑动至换晶位置。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨载具，其特征在于：包括载具体(1)、设置在所述载具体(1)顶面上的研磨装置(2)和设置在所述载具体(1)上的控制装置；所述研磨装置(2)包括研磨体(22)，所述研磨体(22)包括挡板(222)和若干个与所述挡板(222)相连的工作件(223)，所述挡板(222)上设有与所述工作件(223)数量一致的滑槽(221)，所述滑槽(221)一端是研磨位置，另一端是换晶位置，且所述换晶位置均在同一直线上；所述工作件(223)上部均滑动设置在所述滑槽(221)内，且一一对应；所述工作件(223)包括一个主动件(223b)和若干个通过连杆(7)与所述主动件(223b)相连的从动件(223a)；研磨时，所述工作件(223)均处于对应所述滑槽(221)的研磨位置上；研磨完成换晶时，所述主动件(223b)通过第一传动机构沿着对应滑槽(221)从研磨位置滑动至换晶位置时，所述连杆(7)驱动所述从动件(223a)沿着对应的滑槽(221)从研磨位置滑动至换晶位置。2.根据权利要求1所述的晶圆研磨载具，其特征在于：所述研磨装置(2)还包括旋转设置在所述载具体(1)上的立柱(21)、通过第二传动机构上下滑动设置在所述立柱(21)上的水平臂(23)和设置在所述研磨体(22)下方的研磨垫(24)，且所述立柱(21)上还设有与第一盛液箱(6)连通的喷枪(3)，所述喷枪(3)的喷嘴悬置在所述研磨垫(24)上方；所述研磨体(22)设置在所述水平臂(23)上。3.根据权利要求2所述的晶圆研磨载具...

【专利技术属性】
技术研发人员：李法政，
申请(专利权)人：武汉震奎科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42