一种半导体激光模块制造技术

本发明专利技术公开了一种半导体激光模块，所述半导体激光模块包括底座和激光阵列结构，所述激光阵列结构设于所述底座上，所述激光阵列结构包括电极板和多条激光管芯，各所述激光管芯对应四种不同的波长，所述电极板的两端分别为正极端和负极端，用以对应连接电源的正负极，所述多条激光管芯沿正负极方向呈间隔布设于所述电极板上，以用以发出激光。本发明专利技术提供的技术方案中，通过将所述半导体激光模块的激光管芯设置有四种不同波长的激光管芯，不同波长可满足多种颜色的皮肤的需求，无需多次进行调节，操作更方便，且能达到更好的脱毛效果。

A Semiconductor Laser Module

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光模块
本专利技术涉及医学美容、工业泵浦、照明技术应用领域，具体涉及一种半导体激光模块。
技术介绍
半导体激光模块，又称"半导体激光模组"，是成熟较早、进展较快的一类激光器。由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种。半导体激光模块在激光测距、激光雷达、引燃引爆、检测仪器、美容仪器等方面获得了广泛的应用，形成了广阔的市场。激光脱毛是依据选择性的光热动力学原理，通过合理调节激光波长能量脉宽，激光便能穿过皮肤表层到达毛发的根部毛囊，光能被吸收并转化为破坏毛囊组织的热能，从而使毛发失去再生能力同时又不损伤周边组织、痛感轻微的技术。但现有的激光脱毛模块，一般一个模块只有一种波长，对不同颜色的皮肤脱毛效果会差异很大，不能进行调节波长，另外有一些仪器虽然具有多个不同波长的激光，但往往需要设置多个激光模块，以进行调节切换，以满足不同客户皮肤的需求，过于繁琐。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术的主要目的在于提供一种半导体激光模块，旨在解决现有的一种激光模块不能满足多种皮肤需求的问题。为了实现上述目的，本专利技术提出的一种半导体激光模块，包括：底座；激光阵列结构，设于所述底座上，所述激光阵列结构包括电极板和多条激光管芯，各所述激光管芯对应四种不同的波长，所述电极板的两端分别为正极端和负极端，用以对应连接电源的正负极，所述多条激光管芯沿正负极方向呈间隔布设于所述电极板上，以用以发出激光。可选地，所述激光管芯对应的四种不同的波长分别为λ1、λ2、λ3和λ4，所述λ1的取值范围为735nm～785nm，所述λ2的取值范围为783nm～833nm，所述λ3的取值范围为925nm～955nm，所述λ4的取值范围为1035nm～1085nm。可选地，λ1为760nm，λ2为810nm，λ3为940nm，λ4为1060nm。可选地，所述760nm波长激光管芯输出光功率为60瓦到360瓦、所述810nm波长激光管芯输出光功率为60瓦到360瓦、所述940nm波长激光管芯输出光功率为40瓦到120瓦、以及所述1060nm波长激光管芯输出光功率为60瓦到360瓦。可选地，所述940nm波长激光管芯设置有一个，所述760nm波长激光管芯、所述810nm波长激光管芯和所述1060nm波长激光管芯分别设置有多个，且多个所述激光管芯沿所述电极板正负极方向交替排列设置，所述940nm波长激光管芯设于所述电极板的中部。可选地，所述各激光管芯呈长条状设置，所述电极板设有所述激光管芯的表面上与所述电极板正负极方向相垂直的方向为横向，所述各激光管芯的长端面沿横向沿伸设置，多个所述激光管芯沿所述电极板表面横向设置有多条。可选地，所述半导体激光模块还包括散热结构，所述散热结构连接所述激光阵列结构设置，所述散热结构包括：安装座，设于所述底座上；散热片，安装于所述安装座上，且设于所述电极板上与所述激光管芯呈相对设置的一面，用以对所述激光阵列结构进行散热。可选地，所述安装座和所述底座上分别设有呈相对应设置的水路通道。可选地，所述半导体激光模块还包括壳体，所述壳体呈包覆所述激光阵列结构和所述散热结构设置，所述壳体上与所述激光管芯呈相对应处设置有开口。可选地，所述开口处设置有玻璃片。本专利技术提供的技术方案中，通过将所述半导体激光模块的激光管芯设置有四种不同波长的激光管芯，不同波长可满足不同皮肤颜色的需求以及治疗效果，无需多次进行调节，操作更方便，且能达到更好的脱毛效果。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本专利技术提供的一种半导体激光模块的一实施例的结构示意图；图2为图1中所述半导体激光模块不包含外壳的结构示意图；图3为图1中所述半导体激光模块的主视图；图4为图1中所述半导体激光模块的左视图；图5为图1中所述半导体激光模块的仰视图。附图标号说明：标号名称标号名称1底座3壳体2激光阵列结构4散热结构21激光管芯41散热片22电极板42安装座本专利技术目的的实现、功能特点及优异效果，下面将结合具体实施例以及附图做进一步的说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明，若本专利技术实施例中有涉及方向性指示，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。另外，若本专利技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。半导体激光模块，又称"半导体激光模组"，是成熟较早、进展较快的一类激光器。由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种。半导体激光模块在激光测距、激光雷达、引燃引爆、检测仪器、美容仪器等方面获得了广泛的应用，形成了广阔的市场。激光脱毛是依据选择性的光热动力学原理，通过合理调节激光波长能量脉宽，激光便能穿过皮肤表层到达毛发的根部毛囊，光能被吸收并转化为破坏毛囊组织的热能，从而使毛发失去再生能力同时又不损伤周边组织、痛感轻微的技术。但现有的激光脱毛模块，一般一个模块只有一种波长，对不同颜色的皮肤脱毛效果会差异很大，不能进行调节波长，另外有一些仪器虽然具有多个不同波长的激光，但往往需要设置多个激光模块，以进行调节切换，以满足不同客户皮肤的需求，过于繁琐。鉴于此，本专利技术提供一种半导体激光模块，所述半导体激光模块主要用于脱毛仪器中，图1至图5为本专利技术提供的半导体激光模块的一实施例。请参阅图1至图2，在本实施例中，所述半导体激光模块包括底座1和激光阵列结构2，所述激光阵列结构2设于所述底座1上，所述激光阵列结构2包括电极板22和多条激光管芯21，各所述激光管芯21对应四种不同的波长，所述电极板22的两端分别为正极端和负极端，用以对应连接电源的正负极，所述多条激光管芯21沿正负极方向呈间隔布设于所述电极板22上，所述激光管芯21包括四种不同波长的管芯，以发出不同波长的激光，以适于对各种皮肤的用户使用。本专利技术提供的技术方案中，通过将所述半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光模块，其特征在于，包括：底座；激光阵列结构，设于所述底座上，所述激光阵列结构包括电极板和多条激光管芯，各所述激光管芯对应四种不同的波长，所述电极板的两端分别为正极端和负极端，用以对应连接电源的正负极，所述多条激光管芯沿正负极方向呈间隔布设于所述电极板上，以用以发出激光。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光模块，其特征在于，包括：底座；激光阵列结构，设于所述底座上，所述激光阵列结构包括电极板和多条激光管芯，各所述激光管芯对应四种不同的波长，所述电极板的两端分别为正极端和负极端，用以对应连接电源的正负极，所述多条激光管芯沿正负极方向呈间隔布设于所述电极板上，以用以发出激光。2.如权利要求1所述的半导体激光模块，其特征在于，所述激光管芯对应的四种不同的波长分别为λ1、λ2、λ3和λ4，所述λ1的取值范围为735nm～785nm，所述λ2的取值范围为783nm～833nm，所述λ3的取值范围为925nm～955nm，所述λ4的取值范围为1035nm～1085nm。3.如权利要求2所述的半导体激光模块，其特征在于，λ1为760nm，λ2为810nm，λ3为940nm，λ4为1060nm。4.如权利要求3所述的半导体激光模块，其特征在于，所述760nm波长激光管芯输出光功率为60瓦到360瓦、所述810nm波长激光管芯输出光功率为60瓦到360瓦、所述940nm波长激光管芯输出光功率为40瓦到120瓦、以及所述1060nm波长激光管芯输出光功率为60瓦到360瓦。5.如权利要求3所述的半导体激光模块，其特征在于，所述940nm波长激光管芯设置有一条，...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵景峰，
申请(专利权)人：武汉森普拓光电有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42