【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器耦合装置
[0001]本技术属于半导体激光器
,具体涉及一种半导体激光器耦合装置。
技术介绍
[0002]半导体激光器又称激光二极管,是用半导体材料作为工作物质的激光器。由于物质结构上的差异,不同种类产生激光的具体过程比较特殊。常用工作物质有砷化镓(GaAs)、硫化镉(CdS)、磷化铟(InP)、硫化锌(ZnS)等。各类激光器的激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。半导体二极管激光器是最实用最重要的一类激光器,它体积小、寿命长,由于这些优点,半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面得到了广泛的应用。
[0003]在激光应用领域,半导体激光器和光纤耦合,其目的是对半导体激光器输出的光场进行整形,一定程度上使得入射光场与光纤本征光场分布实现最大程度的匹配吻合。现有的半导体激光器与光纤耦合,每一根光纤需与激光器一个发光点单独直接耦合,一个激光器需经过十几次耦合才能完成激光器全部发光点的耦合完成。在这个过程中,每一根光纤耦合都需调整,操作复杂,耗时较多;同时封装 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器耦合装置,包括基座(8),盖板(6),连接块(5),所述盖板(6)固定连接在所述基座(8)的顶部,所述连接块(5)固定连接在所述基座(8)的左侧,所述基座(8)内部固定设置有半导体激光器(7),其特征在于,所述连接块(5)上固定连接光纤限位块(3),所述光纤限位块(3)的内部长度方向上设置有光纤凹槽(303),所述光纤凹槽(303)用于固定光纤(2),所述光纤限位块(3)的一端依次贯穿连接块(5)、基座(8)且与所述的半导体激光器(7)左侧发光面耦合。2.如权利要求1所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,所述光纤凹槽(303)彼此之间相互平行。3.如权利要求1所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,所述光纤限位块(3)的一端与所述的半导体激光器(7)左侧发光面不相连、留有间隙,所述间隙长度在10
‑
100微米之间;所述光纤凹槽(303)中的光纤(2)和所述的半导体激光器(7)左侧发光面上的发光点一一对应耦合。4.如权利要求3所述的半导体激光器耦合装置,其特征在于,所述光纤限位块(3)一端包括凸部(304),所述凸部(304)与所...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵景峰,
申请(专利权)人:武汉森普拓光电有限公司,
类型:新型
国别省市:
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