【技术实现步骤摘要】
基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器
本技术涉及一种SIW环行器，尤其涉及一种基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器。
技术介绍
SIW环行器因其小型化、低损耗、高功率等优点，是微波工程中一类重要的基础性器件，主要起到起到信号定向传输、收发双工、隔离信号、保护前级系统的作用。广泛应用于民用通讯、微波测量、雷达、通信、电子对抗、航空航天等各种民用、军用设备中。传统的SIW环行器中心节与微带线间的连接，都是采用各种圆弧、抛物线或其他图形作为过渡线过渡，起到匹配电路的作用。金属化通孔主要起到模拟波导壁的作用，将电磁波约束在波导壁内，在介质内进行传播，但金属化通孔的大小和间距在一定程度上对器件电性能有影响。传统的SIW环行器技术问题及缺陷主要体现在以下两个方面：1.传统的SIW器件多采用PCB板、三氧化二铝及高阻硅作为腔体介质材料，这些材料的介电常数较低，限制了SIW环行器在低频段（X波段及以下）的尺寸，很难实现器件的小型化。2.现有SIW环行器主要通过表面电路来匹配，可操作空间小，器件在实现高性能、宽带、小型化上有困难。
技术实现思路
本技术的目的就在于提供一种解决上...
【技术保护点】
1.一种基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器，包括水平设置的基板，基板中心设有圆形通孔，所述通孔内设有铁氧体基片，铁氧体基片上方设有永磁体，基板上表面设有由金属图形构成的表面微带电路、以及贯穿基板用以形成信号传输通道金属壁的数个金属化通孔，所述金属化通孔形成三个电磁波信号传输通道，基板三个边沿处各设有一输出端口，所述输出端口分别位于三个电磁波信号传输通道中，其特征在于：所述铁氧体基片下表面与基板下表面平齐，厚度小于基板厚度，铁氧体基片上表面设有一形状与之相同的金属盖板，所述金属盖板上表面与基板上表面平齐，并与表面微带电路连通，所述永磁体下表面与金属盖板上表面固定连接；所...
【技术特征摘要】
1.一种基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器，包括水平设置的基板，基板中心设有圆形通孔，所述通孔内设有铁氧体基片，铁氧体基片上方设有永磁体，基板上表面设有由金属图形构成的表面微带电路、以及贯穿基板用以形成信号传输通道金属壁的数个金属化通孔，所述金属化通孔形成三个电磁波信号传输通道，基板三个边沿处各设有一输出端口，所述输出端口分别位于三个电磁波信号传输通道中，其特征在于：所述铁氧体基片下表面与基板下表面平齐，厚度小于基板厚度，铁氧体基片...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋运石，闫欢，韩晓川，任士晶，刘峰，李红炬，倪经，周俊，
申请(专利权)人：西南应用磁学研究所，
类型：新型
国别省市：四川,51
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