下载基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器的技术资料

文档序号:21144444

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本实用新型公开了一种基于高介陶瓷的铁氧体半填充式SIW环行器,包括水平设置的基板,基板中心设有圆形通孔,通孔内设有铁氧体基片,铁氧体基片上方设有永磁体,铁氧体基片上表面设有一金属盖板,金属盖板上表面与基板上表面平齐,并与表面微带电路连通,所...
该专利属于西南应用磁学研究所所有,仅供学习研究参考,未经过西南应用磁学研究所授权不得商用。

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