一种高频低损耗软磁铁氧体材料制造技术

本发明专利技术公开了一种高频低损耗软磁铁氧体材料，所述铁氧体材料包括主成分与添加剂，所述主成份包括氧化铁(Fe2O3)、氧化锰(MnO)及氧化锌(ZnO)。本发明专利技术通过调整铁氧体材料主成份的摩尔比例，并且添加一定的添加剂，适应电子行业向高频化方向发展的趋势。与市面上流行的MP4A、MP4B、MP4C主流牌号铁氧体材料相比，本发明专利技术提供的材料制备的磁芯各项性能均有了大幅度提升，高频环境下磁芯使用中的损耗更低，使用寿命也更长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及磁性材料
，具体地，本专利技术涉及一种高频低损耗软磁铁氧体材料。
技术介绍
软磁铁氧体材料是以Fe2O3为主成分，用来制备具有软磁特性铁氧体的材料，主要特点为容易磁化，也容易退磁。软磁铁氧体材料是一种用途广、产量大、成本低的基础材料，是电子、机电工业重要的支柱产品之一，它的推广应用直接影响到电子信息、家电工业、计算机与通讯、环保及节能技术的发展，也是衡量一个国家经济发达程度的标志之一。软磁铁氧体材料具有高磁导率、高电阻率、低损耗、良好的高频特性及陶瓷的耐磨性，因而在电视机的电子束偏转线圈、回扫变压器、收音机扼流圈、中周变压器、电感器、开关电源、通讯设备、滤波器、计算机、电子镇流器、LED等绿色照明、太阳能及风能等新能源、汽车电子、物联网等领域得到广泛应用；随着电子技术日益广泛的应用，特别是数字电路和开关电源应用的普及，电磁干扰(EMI)问题日益重要，世界各国对电子仪器及测量设备抗电磁干扰性能提出的标准越来越高。因此，以软磁铁氧体为基础的EMI磁性元件发展迅速，产品种类繁多，如电磁干扰抑制器、电波吸收材料、倍频器、调制器等，己成为现代军事电子设备、工业和民用电子仪器不可缺少的组成部分。CN102194561A公开了一种软磁铁氧体材料及其制备方法，CN1627454A公开了一种低损耗软磁锰锌铁氧体，CN102942356B公开了一种软磁铁氧体材料，上述的三件专利均是对氧化铁(Fe2O3)、氧化锰(MnO)与氧化锌(ZnO)的摩尔配比及各种常规添加剂份量的限定。我公司在生产实验中得出一些能够有效提升适应高频环境，并在运行中损耗较低的的添加剂组方。我公司之前应用中的铁氧体材料主要MP4A、MP4B及MP4C牌号的产品，也是目前市场上铁氧体材料的主流产品，其各个牌号产品的配方组成与组成含量如下：MP4A铁氧体材料的配方组成与组成含量为：MP4B铁氧体材料的配方组成与组成含量为：MP4C铁氧体材料的配方组成与组成含量为：所述MP4A、MP4B及MP4C的性能及损耗测试结果如表1所示，测试条件为500Kc/50mT环境。表1：MP4A、MP4B及MP4C的性能及损耗测试表随着电子行业向高频化方向发展的趋势越来越快，因而磁性材料的高频化也是将来的重要发展方向。其表征特性为在高频下实现磁芯的低损耗。一般对材料的要求为：磁芯损耗在500kc、50mT及100℃的测试条件下应小于130mW/cm3。并且初始磁导率在1600左右，而经过测试，由表1可知目前所通常使用的材料在高频的状态下无法实现高频低损耗的目标，故需研发一种新型的高频低损耗软磁铁氧体材料，以适应市场发展的需要。
技术实现思路
专利技术目的：针对现有技术的不足，本专利技术提供一种高频低损耗软磁铁氧体材料，在常规铁氧体材料配方中加入数种添加剂，以达到高频环境下低损耗运行的效果。本公司将这种高频低损耗软磁铁氧体材料命名为MP1K4材料，故本说明书下文中如果提到MP1K4材料，统一视为本专利技术一种高频低损耗软磁铁氧体材料。技术方案：为了实现上述专利技术目的，本专利技术所采用的技术方案如下：一种高频低损耗软磁铁氧体材料，所述铁氧体材料包括主成分与添加剂，所述主成份包括氧化铁(Fe2O3)、氧化锰(MnO)及氧化锌(ZnO)。其中，主成分按照摩尔百分比包括：52.8～54.3mol％氧化铁(Fe2O3)38.9～40.8mol％氧化锰(MnO)5.5～7.2mol％氧化锌(ZnO)；所述添加剂为氧化硅(SiO2)、碳酸钙(CaCO3)、五氧化二铌(Nb2O5)、四氧化三钴(Co3O4)、五氧化二钒(V2O5)、氧化亚镍(NiO)、碳酸锂(Li2CO3)、二氧化锆(ZrO2)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二磷(P2O5)及三氧化二铋(Bi2O3)，各自占所述高频低损耗软磁铁氧体材料的重量百分比计包括：其中，四氧化三钴(Co3O4)、氧化亚镍(NiO)、碳酸锂(Li2CO3)、二氧化钛(TiO2)、五氧化二磷(P2O5)、三氧化二铋(Bi2O3)作为可选择添加剂，所以其范围值为从0至某个数值。所述所述Fe2O3的含量可以为52.8mol％、52.9mol％、53mol％、53.1mol％、53.2mol％、53.3mol％、53.4mol％、53.5mol％、53.6mol％、53.7mol％、53.8mol％、53.9mol％、54mol％、54.1mol％、54.2mol％、54.3mol％。所述MnO的含量可以为38.9mol％、39mol％、39.1mol％、39.2mol％、39.3mol％、39.4mol％、39.5mol％、39.6mol％、39.7mol％、39.8mol％、39.9mol％、40mol％、40.1mol％、40.2mol％、40.3mol％、40.4mol％、40.5mol％、40.6mol％、40.7mol％、40.8mol％、40.9mol％。所述ZnO的含量可以为5.5mol％、5.6mol％、5.7mol％、5.8mol％、5.9mol％、6mol％、6.1mol％、6.2mol％、6.3mol％、6.4mol％、6.5mol％、6.6mol％、6.7mol％、6.8mol％、6.9mol％、7.0mol％、7.1mol％、7.2mol％。所述氧化硅(SiO2)的含量可以为50ppm、51ppm、60ppm、62ppm、64ppm、67ppm、73ppm、77ppm、80ppm、82ppm、85ppm、86ppm、90ppm、97ppm、100ppm等。所述碳酸钙(CaCO3)的含量可以为：400ppm、410ppm、442ppm、450ppm、480ppm、500ppm、523ppm、530ppm、580ppm、587ppm、600ppm、635ppm、650ppm、700ppm、760ppm、800ppm、等。所述五氧化二铌(Nb2O5)的含量可以为：200ppm、210ppm、220ppm、230ppm、300ppm、350ppm、370ppm、400ppm、410ppm、450ppm、475ppm、481ppm、490ppm、500ppm等。所述四氧化三钴(Co3O4)的含量可以为：0ppm、80ppm、100ppm、150ppm、200ppm、300ppm、400ppm、450ppm、500ppm、600ppm、700ppm、800ppm、900ppm、1000ppm等。所述五氧化二钒(V2O5本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高频低损耗软磁铁氧体材料，由以下组分组成：

【技术特征摘要】
1.一种高频低损耗软磁铁氧体材料，由以下组分组成：
2.一种高频低损耗软磁铁氧体材料，由以下组分组成：
3.一种高频低损耗软磁铁氧体材料，由以下组分组成：
4.一种高频低损耗软磁铁氧体材料，由以下组分...

【专利技术属性】
技术研发人员：李前军，颜茂山，杜兴龙，徐宸，袁翔，季长贵，马鑫圣，王亮，叶乃俊，
申请(专利权)人：泰州茂翔电子器材有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32