【技术实现步骤摘要】
存储器管理方法以及存储控制器
本专利技术涉及一种存储器管理方法,尤其涉及一种适用于配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置的存储器管理方法与存储控制器。
技术介绍
一般来说,可复写式非易失性存储器模块具有多个实体区块,每一实体区块会具有多个存储单元(MemoryCells),并且所述多个存储单元可构成多个字符线(Word-Lines)(每个实体区块具有所述多个字符线)。可复写式非易失性存储器模块中的所述多个存储单元会随着使用次数等因素而导致损坏,进而导致一或多个实体区块不能再被使用。传统上,可复写式非易失性存储器模块的控制器会检测或是判定此些不可再被使用的实体区块为坏实体区块,并且不使用所述坏实体区块来存储数据。然而,每个被判定的坏实体区块中的多个字符线并非皆是损坏的。如此一来,会因为坏实体区块的判定而过度减少了可复写式非易失性存储器模块整体的可用空间。举例来说,假设一实体区块经由传统作法被判定/标记为坏实体区块而不可存储数据并且其存在有好的字符线(没有损坏的字符线,并且可适当地存储数据)。在此情况下,所述实体区块的好的字符线会因为所述实体区块已被判定/标记为坏 ...
【技术保护点】
1.一种存储器管理方法,其特征在于,适用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述非易失性存储器模块具有多个字符线,并且每一所述字符线由一或多个存储单元构成,所述方法包括:对存储于所述多个字符线中的第一字符线的第一数据进行第一型解码操作,以判断所述第一型解码操作成功或失败,并且获得所述第一字符线的第一错误值;当判定所述第一型解码操作成功时,根据所述第一错误值与第一门槛值来判断是否标记所述第一字符线为坏字符线;以及当判定所述第一型解码操作失败时,获得相邻于所述第一字符线的第二字符线的第二错误值,根据所述第一错误值、所述第二错误值与第二门槛值来判断是否皆标记所述第一字符线与所述第二 ...
【技术特征摘要】
1.一种存储器管理方法,其特征在于,适用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述非易失性存储器模块具有多个字符线,并且每一所述字符线由一或多个存储单元构成,所述方法包括:对存储于所述多个字符线中的第一字符线的第一数据进行第一型解码操作,以判断所述第一型解码操作成功或失败,并且获得所述第一字符线的第一错误值;当判定所述第一型解码操作成功时,根据所述第一错误值与第一门槛值来判断是否标记所述第一字符线为坏字符线;以及当判定所述第一型解码操作失败时,获得相邻于所述第一字符线的第二字符线的第二错误值,根据所述第一错误值、所述第二错误值与第二门槛值来判断是否皆标记所述第一字符线与所述第二字符线为所述坏字符线。2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,根据所述第一错误值、所述第二错误值与所述第二门槛值来判断是否皆标记所述第一字符线与所述第二字符线为所述坏字符线的步骤包括:判断所述第一错误值与所述第二错误值的总和是否大于所述第二门槛值;当判定所述总和大于所述第二门槛值时,标记所述第一字符线为所述坏字符线并且标记所述第二字符线为所述坏字符线;以及当判定所述总和不大于所述第二门槛值时,不标记所述第二字符线为所述坏字符线,并且执行上述根据所述第一错误值与所述第一门槛值来判断是否标记所述第一字符线的步骤。3.根据权利要求2所述的存储器管理方法,其特征在于,根据所述第一错误值与所述第一门槛值来判断是否标记所述第一字符线为所述坏字符线的步骤包括:判断所述第一错误值是否大于所述第一门槛值;当判定所述第一错误值大于所述第一门槛值时,标记所述第一字符线为所述坏字符线;以及当判定所述第一错误值不大于所述第一门槛值时,不标记所述第一字符线为所述坏字符线,并且根据对应所述第一字符线的当前的所述第一错误值与已记录的旧的一或多个对应所述第一字符线的第三错误值计算对应所述第一字符线的第一平均错误值。4.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,获得相邻于所述第一字符线的所述第二字符线的所述第二错误值的步骤包括:对存储于所述第二字符线的第二数据进行所述第一型解码操作,以获得所述第二字符线的所述第二错误值。5.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,还包括:记录所获得的所述第一错误值于字符线错误值表中,以更新对应所述第一字符线的第一条目组中的第一条目,其中所述字符线错误值表包括所述多个字符线与分别对应所述多个字符线的多个条目组,其中每一条目组包括一或多个条目,并且所述一或多个条目记录其所属的条目组所对应的字符线的错误值;以及当判定所述第一型解码操作成功时,判断所述第一错误值是否大于第一门槛值,其中当判定所述第一错误值非大于所述第一门槛值时,根据所述字符线错误值表计算对应所述第一字符线的第一平均错误值。6.根据权利要求5所述的存储器管理方法,其特征在于,还包括:当判定所述第一型解码操作失败且在获得所述第二错误值之前,判断所述第一错误值减去所述第一平均错误值的差值是否大于第三门槛值;当判定所述差值大于所述第三门槛值时,从所述字符线错误值表读取对应所述第二字符线的第二条目组中最新的第二条目,以获得所述第二错误值,并且执行上述根据所述第一错误值、所述第二错误值与第二门槛值来判断是否皆标记所述第一字符线与所述第二字符线为所述坏字符线的步骤;以及当判定所述差值不大于所述第三门槛值时,执行上述根据所述第一错误值与所述第一门槛值来判断是否标记所述第一字符线为所述坏字符线的步骤。7.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,所述第一错误值与所述第二错误值包括错误位元数或校验子,其中若所述第一错误值与所述第二错误值的值属于所述错误位元数,所述存储器管理方法还包括:当判定所述第一型解码操作失败且在获得所述第二错误值之前,对所述第一数据进行第二型解码操作,以判断所述第二型解码操作成功或失败,并且获得所述第一字符线的第四错误值;当判定所述第二型解码操作成功时,将所述第四错误值作为对应所述第一字符线的所述第一错误值;以及当判定所述第二型解码操作失败时,对所述第一数据进行第三型解码操作,以获得所述第一字符线的第五错误值,并且将获得的所述第五错误值作为对应所述第一字符线的所述第一错误值,其中所述第四错误值、第五错误值的值也属于所述错误位元数。8.根据权利要求7所述的存储器管理方法,其特征在于,所述第一型解码操作为硬位元解码操作,所述第二型解码操作为软位元解码操作,并且所述第三型解码操作为冗余阵列解码操作。9.根据权利要求7所述的存储器管理方法,其特征在于,还包括:当将所述第四错误值或所述第五错误值作为所述第一错误值后,判断所述第一错误值减去对应所述第一字符线的第一平均错误值的差值是否大于第三门槛值;当判定所述差值大于所述第三门槛值时,获得对应所述第二字符线的所述第二错误值,并且执行上述根据所述第一错误值、所述第二错误值与所述第二门槛值来判断是否皆标记所述第一字符线与所述第二字符线为所述坏字符线的步骤;以及当判定所述差值不大于所述第三门槛值时,执行上述根据所述第一错误值与所述第一门槛值来判断是否标记所述第一字符线为所述坏字符线的步骤。10.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,所述多个字符线被划分为多个实体区块,所述存储器管理方法还包括:选择所述多个实体区块中的目标实体区块;以及识别所述目标实体区块中被标记的一或多个字符线,并且根据被标记为所述坏字符线的所述一或多个字符线的数目与坏字符线门槛值来判断所述目标实体区块是否为坏实体区块。11.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,还包括:在执行写入指令以将写入数据写入至一或多个目标实体地址之前,根据判断所述一或多个目标实体地址所属的字符线是否被标记为所述坏字符线来写入所述写入数据。12.一种存储控制器,其特征在于,用于控制配置有可复写式非易失性存储器模块的存储装置,其中所述非易失性存储器模块具有多个字符线,并且每一所述字符线由一或多个存储单元构成,所述存储控制器包括:连接接口电路,用以耦接至主机系统;存储器接口控制电路,用以耦接至所述可复写式非易失...
【专利技术属性】
技术研发人员:萧又华,
申请(专利权)人:深圳大心电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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