固态硬盘的数据写入方法及装置、计算机可读存储介质制造方法及图纸

本申请涉及固态硬盘控制技术领域，尤其涉及一种固态硬盘的数据写入方法及装置、计算机可读存储介质，用以提高flash的利用率，降低写入放大又提升使用寿命。上述数据写入方法包括：在DDR缓存中创建TLB节点资源池和头节点资源池；TLB节点资源池包含多个TLB节点资源，头节点资源池包含至少一个头节点资源，头节点资源的数量等于TLBPAGE的数量；在获取到任一TLB PAGE的待写入数据后，从TLB节点资源池中为待写入数据申请TLB节点资源，将待写入数据写入对应的TLB节点资源；以及，从头节点资源池中为任一TLB PAGE申请头节点资源，将存储待写入数据的TLB节点资源的地址信息写入头节点资源；在固态硬盘掉电时，将TLB节点资源池和头节点资源池中各节点资源的存储内容写入flash中。

Data Writing Method and Device of Solid State Hard Disk and Computer Readable Storage Media

【技术实现步骤摘要】
固态硬盘的数据写入方法及装置、计算机可读存储介质
本申请涉及固态硬盘控制
，具体而言，涉及一种固态硬盘的数据写入方法及装置、计算机可读存储介质。
技术介绍
相对于传统硬盘，即硬盘驱动器(HardDiskDrive，HDD)，固态硬盘(SolidStateDrives，SSD)以其读写速度快、低功耗、抗震动、体积小等优越性，已经被广泛应用于军事、车载、工控、视频监控、电力、医疗、航空等、导航设备等领域。以与非闪存(NANDFlash)为存储介质的SSD的寿命与写入操作次数息息相关。NANDFlash根据存储原理主要分为三类，单层单元(Single-LevelCell，SLC)、多层单元(Multi-LevelCell，MLC)、三层单元(Triple-LevelCell，TLC)。SLC类型容量小，寿命长且读写错误率低，TLC类型比MLC类型容量大，但相比SLC类型寿命较短、读写错误率较高，适合储存用户数据等，而前者更适合储存核心数据如转换后备缓冲区(TranslationLookasideBuffer，TLB)数据表。其中，每1条TLB数据对应储存一个逻辑区块地址(Logica本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固态硬盘的数据写入方法，其特征在于，所述固态硬盘包括双倍速率DDR缓存和闪存flash；所述DDR缓存中预先保存有所述flash中的转换后备缓冲区页TLB PAGE；所述方法包括：在所述DDR缓存中创建TLB节点资源池和头节点资源池；其中，所述TLB节点资源池包含多个TLB节点资源，所述头节点资源池包含至少一个头节点资源，所述头节点资源的数量等于TLB PAGE的数量；在获取到任一TLB PAGE的待写入数据后，从所述TLB节点资源池中为所述待写入数据申请TLB节点资源，将所述待写入数据写入对应的TLB节点资源；以及，从所述头节点资源池中为所述任一TLB PAGE申请头节点资源，将存储...

【技术特征摘要】
1.一种固态硬盘的数据写入方法，其特征在于，所述固态硬盘包括双倍速率DDR缓存和闪存flash；所述DDR缓存中预先保存有所述flash中的转换后备缓冲区页TLBPAGE；所述方法包括：在所述DDR缓存中创建TLB节点资源池和头节点资源池；其中，所述TLB节点资源池包含多个TLB节点资源，所述头节点资源池包含至少一个头节点资源，所述头节点资源的数量等于TLBPAGE的数量；在获取到任一TLBPAGE的待写入数据后，从所述TLB节点资源池中为所述待写入数据申请TLB节点资源，将所述待写入数据写入对应的TLB节点资源；以及，从所述头节点资源池中为所述任一TLBPAGE申请头节点资源，将存储所述待写入数据的TLB节点资源的地址信息写入所述头节点资源；在所述固态硬盘掉电时，将所述TLB节点资源池和所述头节点资源池中各节点资源的存储内容写入所述flash中。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在获取到任一TLBPAGE的待写入数据后，从所述TLB节点资源池中为所述待写入数据申请TLB节点资源，将所述待写入数据写入对应的TLB节点资源；以及，从所述头节点资源池中为所述任一TLBPAGE申请头节点资源，将存储所述待写入数据的TLB节点资源的地址信息写入所述头节点资源，包括：针对所述任一TLBPAGE，在获取到该TLBPAGE的任一条待写入数据后，从所述TLB节点资源池中为所述待写入数据申请一个TLB节点资源，将所述任一条待写入数据写入对应的TLB节点资源；以及，若所述任一TLBPAGE存在所述任一条待写入数据的下一条待写入数据，将存储所述下一条待写入数据的TLB节点资源的地址信息写入所述任一条待写入数据的TLB节点资源；以及，若所述任一条待写入数据为所述任一TLBPAGE的第一条待写入数据，从所述头节点资源池中申请头节点资源，将存储所述第一条待写入数据的TLB节点资源的地址信息写入所述头节点资源。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：监控所述TLB节点资源池中被写入所述待写入数据的TLB节点资源的数量；若监控到所述TLB节点资源的数量大于预设阈值，则将所述TLB节点资源池和所述头节点资源池中各节点资源的存储内容写入所述flash中。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：根据各TLBPAGE对应的被写入所述待写入数据的TLB节点资源的数量，确定每个所述TLBPAGE对应的老化等级；所述将所述TLB节点资源池和所述头节点资源池中各节点资源的存储内容写入所述flash中，包括：将最高老化等级对应的TLBPAGE对应的所述TLB节点资源池和所述头节点资源池中各节点资源的存储内容写入所述flash中。5.根据权利要求1～4任一所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述固态硬盘上电时，从所述flash中获取所述固态硬盘掉电时写入的所述TLB节点资源池和所述头节点资源池中各节点资源的存储内容，并恢复到所述DDR缓存中所述存储内容对应的TLBPAGE中；以及，从所述flash中获取掉电时写入的所述存储内容对应的TLBPAGE的其它剩余存储内容，并恢复到所述DDR缓存中的所述TLBPAGE中。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述从所述flash中获取所述固态硬盘掉电时写入的所述TLB节点资源池和所述头节点资源池中各节点资源的存储内容，并恢复到所述DDR缓存中所述存储内容对应的TLBPAGE中，包括：从所述头节点资源池中查找写入TLB节点资源的地址信息的头节点资源；从所述头节点资源中提取所述TLB节点资源的地址信息，并从所述地址信息对应的所述TLB节点资源中，提取占用所述头节点资源的TLBPAGE的第一条待写入数据，并将该第一条待写入数据写入到所述DDR缓存中对应该第一条待写入数据的TLBPAGE中；以及，若存在该TLBPAGE的下一条待写入数据，则提取存储该TLBPAGE的下一条待写入数据的TLB节点资源的地址信息；基于所述下一条待写入数据的TLB节点资源的地址信息，从该地址信息对应的TLB节点...

【专利技术属性】
技术研发人员：许靖，
申请(专利权)人：新华三技术有限公司合肥分公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34