集成电路制造技术

本公开的实施例涉及集成电路。电容元件包括从第一侧垂直延伸到阱中的沟槽。沟槽填充有包覆有绝缘包层的导电中心部分。电容元件还包括：第一导电层，覆盖位于第一侧上的第一绝缘层；以及第二导电层，覆盖位于第一导电层上的第二绝缘层。导电中心部分和第一导电层电连接以形成电容元件的第一电极。第二导电层和阱电连接以形成电容元件的第二电极。绝缘包层、第一绝缘层和第二绝缘层形成电容元件的介电区域。

Integrated circuit

【技术实现步骤摘要】
集成电路
本技术的实施例和实施方式涉及集成电路，尤其涉及以累积模式或反转模式运行的电容元件。
技术介绍
电容元件，例如电荷存储电容器，通常是集成电路架构中的庞大部件。此外，制造集成电路部件的工艺步骤通常数量众多且昂贵，并且限制实施专用于制造单个元件或单个类型元件的步骤。因此，期望增加集成电路电容元件架构的每单位面积的电容，并且期望与集成电路的其他部件的生产一起实施其制造步骤。
技术实现思路
本公开的实施例目的在于提供至少部分解决现有技术中的以上缺点的集成电路。根据一些实施例，提供了一种集成电路。该集成电路包括：半导体衬底，包含掺杂有第一导电类型的至少一个半导体阱；电容元件，包括：至少一个沟槽，从所述半导体衬底的第一侧垂直延伸到所述至少一个半导体阱中，所述至少一个沟槽包括包覆有绝缘包层的导电中心部分；第一导电层，覆盖位于所述第一侧上的第一绝缘层；和第二导电层，覆盖位于所述第一导电层上的第二绝缘层；其中所述导电中心部分和所述第一导电层电耦合以形成所述电容元件的第一电极；其中所述第二导电层和所述至少一个半导体阱电耦合以形成所述电容元件的第二电极；和其中所述绝缘包层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，其特征在于，包括：半导体衬底，包含掺杂有第一导电类型的至少一个半导体阱；电容元件，包括：至少一个沟槽，从所述半导体衬底的第一侧垂直延伸到所述至少一个半导体阱中，所述至少一个沟槽包括包覆有绝缘包层的导电中心部分；第一导电层，覆盖位于所述第一侧上的第一绝缘层；和第二导电层，覆盖位于所述第一导电层上的第二绝缘层；其中所述导电中心部分和所述第一导电层电耦合以形成所述电容元件的第一电极；其中所述第二导电层和所述至少一个半导体阱电耦合以形成所述电容元件的第二电极；和其中所述绝缘包层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成所述电容元件的介电区域。

【技术特征摘要】
2017.08.28 FR 17579071.一种集成电路，其特征在于，包括：半导体衬底，包含掺杂有第一导电类型的至少一个半导体阱；电容元件，包括：至少一个沟槽，从所述半导体衬底的第一侧垂直延伸到所述至少一个半导体阱中，所述至少一个沟槽包括包覆有绝缘包层的导电中心部分；第一导电层，覆盖位于所述第一侧上的第一绝缘层；和第二导电层，覆盖位于所述第一导电层上的第二绝缘层；其中所述导电中心部分和所述第一导电层电耦合以形成所述电容元件的第一电极；其中所述第二导电层和所述至少一个半导体阱电耦合以形成所述电容元件的第二电极；和其中所述绝缘包层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成所述电容元件的介电区域。2.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，所述第一绝缘层将所述导电中心部分和所述绝缘包层与所述第一导电层分开而不进行物理接触。3.根据权利要求1所述的集成电路，其特征在于，还包括在所述半导体衬底中的辅助半导体层，所述辅助半导体层被配置为在所述至少一个半导体阱中形成少数载流子源。4.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述辅助半导体层掺杂有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，并且还包括所述辅助半导体层的耦合部以接收偏置电压。5.根据权利要求3所述的集成电路，其特征在于，所述辅助半导体层包括：在所述至少一个半导体阱下方并且在所述至少一个沟槽下方的掩埋层，以及从所述第一侧延伸到所述掩埋层的接触段。6.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，所述辅助半导体层包括辅助接触区域，所述辅助接触区域与所述第一侧齐平并且电耦合到所述第二电极。7.根据权利要求5所述的集成电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·马扎基，A·雷尼耶，S·尼埃尔，Q·休伯特，T·卡鲍特，
申请(专利权)人：意法半导体克洛尔二公司，意法半导体鲁塞公司，
类型：新型
国别省市：法国,FR