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本公开的实施例涉及集成电路。电容元件包括从第一侧垂直延伸到阱中的沟槽。沟槽填充有包覆有绝缘包层的导电中心部分。电容元件还包括：第一导电层，覆盖位于第一侧上的第一绝缘层；以及第二导电层，覆盖位于第一导电层上的第二绝缘层。导电中心部分和第一导电...该专利属于意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体（克洛尔2）公司;意法半导体(鲁塞)公司授权不得商用。