一种IGBT合封单管制造技术

本发明专利技术提供一种IGBT合封单管，所述IGBT合封单管至少包括：导电底板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片、二极管芯片、电阻芯片以及金属端子；所述IGBT芯片和二极管芯片固定在所述导电底板上；所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极相连；所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极相连；所述电阻芯片的一端通过所述陶瓷覆铜板固定在所述导电底板上且所述电阻芯片的这一端与所述IGBT芯片的门极相连；所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极相连；所述IGBT芯片门极、发射极和集电极分别通过金属端子引出信号。本发明专利技术通过在所述IGBT芯片的门极和发射极之间添加电阻芯片，可防止门极悬空，从而降低在运输、传递和使用过程中由于门极静电所造成IGBT单管损坏的风险。

【技术实现步骤摘要】
一种IGBT合封单管
本专利技术涉及半导体器件
，特别是涉及一种IGBT合封单管。
技术介绍
IGBT是绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor)的英文缩写，IGBT根据封装不同可以分为IGBT模块和IGBT单管，IGBT单管是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。IGBT合封单管是一种标准尺寸的产品，由于其优越的开关性能被广泛的应用于电机驱动、感应加热、风能发电、光伏等领域。由于IGBT是栅极敏感器件，容易受到来自栅极的静电造成失效。而目前公开的IGBT合封单管，采用在管脚位置增加外壳进行防静电保护。但是客户在使用IGBT合封单管时，需要手动将IGBT合封单管取出，然后进行电路连接。在电路连接过程中，IGBT合封单管本身处于不进行防静电保护措施的状态，在此时间内对产品的触摸、焊接、运输均存在静电击穿的风险。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种IGBT合封单管，用于解决现有技术中的IGBT合封单管在运输和使用等过程中容易出现静电击穿的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种IGBT合封单管，所述IGBT合封单管至少包括：导电底板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片、二极管芯片、电阻芯片以及金属端子；所述IGBT芯片和二极管芯片固定在所述导电底板上；所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极相连；所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极相连；所述电阻芯片的一端通过所述陶瓷覆铜板固定在所述导电底板上且所述电阻芯片的这一端与所述IGBT芯片的门极相连；所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极相连；所述IGBT芯片门极、发射极和集电极分别通过金属端子引出信号。作为本专利技术IGBT合封单管的一种优化的方案，所述导电底板为铜底板。作为本专利技术IGBT合封单管的一种优化的方案，所述陶瓷覆铜板包括陶瓷层以及分别制备在所述陶瓷层正面和背面的铜层，所述电阻芯片固定在所述正面的铜层表面。作为本专利技术IGBT合封单管的一种优化的方案，所述电阻芯片的一端通过所述正面铜层表面的金属连接线与所述IGBT芯片的门极相连。作为本专利技术IGBT合封单管的一种优化的方案，所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极之间、所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极之间、所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极之间均通过金属连接线相连。作为本专利技术IGBT合封单管的一种优化的方案，所述金属连接线为铝丝。作为本专利技术IGBT合封单管的一种优化的方案，所述IGBT芯片和二极管芯片通过焊料焊接固定在所述导电底板上。作为本专利技术IGBT合封单管的一种优化的方案，所述二极管芯片为快恢复二极管芯片。作为本专利技术IGBT合封单管的一种优化的方案，所述IGBT合封单管还包括塑封件，所述塑封件灌封在所述导电底板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片、二极管芯片和电阻芯片的外周部。如上所述，本专利技术的IGBT合封单管，包括：导电底板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片、二极管芯片、电阻芯片以及金属端子；所述IGBT芯片和二极管芯片固定在所述导电底板上；所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极相连；所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极相连；所述电阻芯片的一端通过所述陶瓷覆铜板固定在所述导电底板上且所述电阻芯片的这一端与所述IGBT芯片的门极相连；所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极相连；所述IGBT芯片门极、发射极和集电极分别通过金属端子引出信号。本专利技术通过在所述IGBT芯片的门极和发射极之间添加电阻芯片，可防止门极悬空，从而降低在运输、传递和使用过程中由于门极静电所造成IGBT单管损坏的风险。附图说明图1为本专利技术IGBT合封单管内部结构侧视图。图2为本专利技术IGBT合封单管内部结构俯视图。图3为本专利技术IGBT合封单管外观俯视图。图4为本专利技术IGBT合封单管外观侧视图元件标号说明1导电底板2陶瓷覆铜板3IGBT芯片31发射极32门极4二极管芯片41阳极5电阻芯片6金属端子7塑封件8金属连接线具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅附图。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想，遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。本专利技术提供一种IGBT合封单管，如图1和图2所示，所述IGBT合封单管至少包括：导电底板1、陶瓷覆铜板2、IGBT芯片3、二极管芯片4、电阻芯片5以及金属端子6等等。所述IGBT芯片3和二极管芯片4固定在所述导电底板1上；所述二极管芯片4的阴极与所述IGBT芯片3的集电极相连；所述二极管芯片4的阳极41与所述IGBT芯片3的发射极31相连；所述电阻芯片5的一端通过所述陶瓷覆铜板2固定在所述导电底板1上且所述电阻芯片5的这一端与所述IGBT芯片3的门极32相连；所述电阻芯片5的另一端与所述IGBT芯片3的发射极31相连；所述IGBT芯片门极32、发射极31和集电极分别通过金属端子6引出信号。如图2所示，所述导电底板1上固定有所述IGBT芯片3和二极管芯片4。作为示例，所述导电底板1为铜底板，当然，也可以是其他适合的导电底板，在此不限。作为示例，所述IGBT芯片3和二极管芯片4通过焊料焊接固定在所述导电底板1上。所述IGBT芯片3和二极管芯片4优选通过锡焊焊接固定在所述导电底板1上。作为示例，所述二极管芯片4为快恢复二极管芯片(FRD)。所述快恢复二极管(fastrecoverydiode，FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用，本专利技术中FRD是作为续流二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压(耐压值)较高。所述电阻芯片5的一端通过所述陶瓷覆铜板2固定在所述导电底板1上，即所述导电底板1上先固定所述陶瓷覆铜板2，再在所述陶瓷覆铜板2上固定电阻芯片5的一端，进而固定整个电阻芯片5。再通过塑封件7的进一步固定，可以进一步降低合封单管在运输过程中造成电阻芯片5脱落的风险。优选地，所述电阻芯片5可以通过焊锡焊接在所述陶瓷覆铜板2上，所述陶瓷覆铜板2可以通过焊锡焊接在所述金属底板1上。本本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT合封单管，其特征在于，所述IGBT合封单管至少包括：导电底板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片、二极管芯片、电阻芯片以及金属端子；所述IGBT芯片和二极管芯片固定在所述导电底板上；所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极相连；所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极相连；所述电阻芯片的一端通过所述陶瓷覆铜板固定在所述导电底板上且所述电阻芯片的这一端与所述IGBT芯片的门极相连；所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极相连；所述IGBT芯片门极、发射极和集电极分别通过金属端子引出信号。

【技术特征摘要】
1.一种IGBT合封单管，其特征在于，所述IGBT合封单管至少包括：导电底板、陶瓷覆铜板、IGBT芯片、二极管芯片、电阻芯片以及金属端子；所述IGBT芯片和二极管芯片固定在所述导电底板上；所述二极管芯片的阴极与所述IGBT芯片的集电极相连；所述二极管芯片的阳极与所述IGBT芯片的发射极相连；所述电阻芯片的一端通过所述陶瓷覆铜板固定在所述导电底板上且所述电阻芯片的这一端与所述IGBT芯片的门极相连；所述电阻芯片的另一端与所述IGBT芯片的发射极相连；所述IGBT芯片门极、发射极和集电极分别通过金属端子引出信号。2.根据权利要求1所述的IGBT合封单管，其特征在于：所述导电底板为铜底板。3.根据权利要求1所述的IGBT合封单管，其特征在于：所述陶瓷覆铜板包括陶瓷层以及分别制备在所述陶瓷层正面和背面的铜层，所述电阻芯片固定在所述正面的铜层表面。4.根据权利要求3所述的IGBT合封单...

【专利技术属性】
技术研发人员：李向凯，夏玉龙，李春林，
申请(专利权)人：华润微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50