制造系统、半导体工艺机台以及电弧放电保护方法技术方案

一种制造系统，包括半导体工艺机台、计算装置以及故障检测与分类系统。半导体工艺机台包括电极以及射频感测器以执行半导体制造程序来制造集成电路。射频感测器无线地感测射频信号的强度。计算装置基于所感测到的射频信号的强度提取统计特征值。故障检测与分类系统根据所提取的统计特征值确定射频信号的强度是否符合阈值或阈值范围。当所感测的射频信号的强度超过阈值或阈值范围时，故障检测与分类系统通知半导体工艺机台调整射频信号，或停止半导体工艺机台以检查部件损坏。

Manufacturing System, Semiconductor Processing Machine and Arc Discharge Protection Method

【技术实现步骤摘要】
制造系统、半导体工艺机台以及电弧放电保护方法
本公开涉及集成电路制造技术，特别是具有关于电弧放电保护方法的集成电路制造系统。
技术介绍
集成电路(ICs)变得越来越重要。数百万的人使用着使用了集成电路的应用，例如手机、智能手机、平板电脑、笔记本电脑、携带型电脑、PDAs、无线电子邮件终端、MP3播放器和影片拨放器、携带式无线网络浏览器等等。用于信号控制以及信号处理的集成电路越来越多地包括强大且高效的板上数据存储(on-boarddatastorage)以及逻辑电路。在集成电路的演进过程中，当几何尺寸(即用工艺可作出的最小部件(或线路))下降时，功能密度(即每一芯片区域的相连元件数量)通常都会增加。此微缩过程通过增加生产效率及降低相关成本提供了优势。各种半导体工艺已被使用来制造集成电路，并且在半导体工艺中可能需要不同强度的射频(RF)信号，尤其是蚀刻工艺以及化学气相沉积(CVD)工艺。虽然现有的蚀刻以及化学气相沉积的系统和工艺已经通常足以达到其预期目的，但它们在所有方面上并不完全令人满意。
技术实现思路
本公开提供了一种制造系统。制造系统包括一半导体工艺机台。此半导体工艺机台包括至少一电极，被配置以在一半导体工艺的期间中从一射频信号产生器接收一射频信号；以及一射频感测器，被配置以无线地感测射频信号的强度；此制造系统包括一计算装置，被配置以基于所感测到的射频信号的强度来提取多个统计特征值；以及一故障检测与分类系统，被配置以根据所提取的统计特征值确定所感测到的射频信号的强度是否超过一阈值或一阈值范围，其中当所感测到的射频信号的强度超过阈值或阈值范围时，故障检测与分类系统通知半导体工艺机台调整射频信号，或停止半导体工艺机台以检查部件损坏。本公开提供了一种半导体工艺机台。此半导体工艺机台包括一射频信号产生器，被配置以产生一射频信号；至少一电极，被配置以接收射频信号来执行一半导体工艺；以及至少一射频感测器，与电极以及射频信号产生器分开地被配置，以无线地感测射频信号的强度，其中所感测到的射频信号的强度用于通过一计算装置提取多个统计特征值，并且统计特征值被传输至一故障检测与分类系统。本公开提供了一种电弧放电保护方法。此电弧放电保护方法包括通过一射频感测器无线地感测从一射频信号产生器传输至一半导体工艺机台的至少一电极的一射频信号的强度，其中射频感测器是与射频信号产生器以及半导体工艺机台分开设置；基于所感测到的射频信号的强度，提取多个统计特征值；根据所提取的统计特征值确定所感测到的射频信号的强度是否超过一阈值或一阈值范围；以及当射频信号的强度超过阈值或阈值范围时，调整射频信号。附图说明本公开的观点从后续实施例以及附图可以优选理解。须知示意图为范例，并且不同特征并无示意。不同特征的尺寸可能任意增加或减少以清楚论述。图1A为根据本公开实施例的集成电路制造系统的示意图。图1B为根据本公开实施例的故障检测与分类(FDC)系统的示意图。图2为根据本公开实施例的制造系统的示意图。图3为根据本公开实施例的用以感测射频信号的强度射频感测器的示意图。图4为根据本公开实施例的通过射频感测器所感测的射频信号的强度。图5为根据本公开实施例的的电弧放电保护方法的流程图。附图标记说明：10～集成电路制造系统100～制造系统102～集成电路设计厂104～集成电路设计布局106～掩模厂110～故障检测与分类系统112～参数准备120～半导体工艺机台122～晶圆130～集成电路装置150～射频感测器160～计算装置1101～处理器1102～存储器1103～通信模块1104～显示器1105～输入/输出装置1106～硬件部件1107～总线124～等离子体区域126～下电极128～上电极129～工艺腔体150A～射频感测器150B～射频感测器152～同轴连接器180～射频信号产生器183～匹配网络184～分配网络185～阀门HF～高频信号源LF～低频信号源S1～射频信号154～金属线圈156～电路板T1-T3～周期S500-S510～操作具体实施方式以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本公开的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。举例来说，若是本公开书叙述了一第一特征形成于一第二特征的上或上方，即表示其可能包含所述第一特征与所述第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于所述第一特征与所述第二特征之间，而使所述第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。另外，以下公开书的不同范例可能重复使用相同的参考符号及/或标记。这些重复为了简化与明确的目的，并非用以限定所讨论的不同实施例及/或结构之间有特定的关系。此外，其与空间相关用词。例如“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。除此之外，设备可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。以下描述本公开的一些实施例。额外的操作可以提供至在这些实施例中所描述的站点(或阶段)的前、站点之间及/或站点之后。对于不同的实施例，所描述的一些站点可以被替换或移除。额外的特征可以被加入至半导体装置中。对于不同的实施例，下面所描述的一些特征可以被替换或移除。虽然一些实施例被讨论执行在特定顺序的操作，但这些操作可以在另一种逻辑顺序被执行。图1A为根据本公开实施例中与集成电路制造流程相关的集成电路制造系统10的示意图。集成电路制造系统10包括多个实体(entities)，例如集成电路设计厂102、掩模厂106以及制造系统100，所述实体在设计、开发以及制造过程及/或相关服务上彼此交流，以制造集成电路装置130。集成电路装置130可包括多个半导体装置。另外，制造系统100包括故障检测与分类(FDC)系统110、半导体工艺机台120以及计算装置160。为了简化及明确，图1仅显示易于理解本公开各方面的整个系统的选定部分。额外特征可以被加入至集成电路制造系统10，并且下面所述的一些特征在集成电路制造系统10的其他实施例中可以被替换或移除。所述实体可以通过通信网络连接，该通信网络可以是单一网络或各种不同网络，例如内部网络或网际网络，并可以包括有线及/或无线通信频道。每一个实体可以与其他实体互动，并且可以提供服务至其他实体及/或从其他实体接收服务。集成电路设计厂102、掩模厂106、故障检测与分类系统110及半导体工艺机台120的一或多者可为一单一公司所有，并共存在一共同场所及使用共同资源。集成电路设计厂(或设计团队)102产生集成电路设计布局104。在一些实施例中，集成电路设计布局104包括工艺数据，其用于半导体工艺以制造集成电路装置130。工艺数据可包括集成电路装置130的半导体装置的薄膜的蚀刻工艺的至少一设计参数以及至少一蚀刻参数。举例来说，设计参数可以是图案密度(PD)。另外，工艺数据可包括集成电路装置130的半导体装置的薄膜的化学气相沉积工艺的至少一设计参数以及至少一沉积参数。集成电路设计厂102产生集成电路设计布局104(亦称为集本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造系统，包括：一半导体工艺机台，包括：至少一电极，被配置以在一半导体工艺的期间中从一射频信号产生器接收一射频信号；以及一射频感测器，被配置以无线地感测所述射频信号的强度；一计算装置，被配置以基于所感测到的所述射频信号的强度来提取多个统计特征值；以及一故障检测与分类系统，被配置以根据所提取的所述统计特征值，确定所感测到的所述射频信号的强度是否超过一阈值或一阈值范围，其中当所感测到的所述射频信号的强度超过所述阈值或所述阈值范围时，所述故障检测与分类系统通知所述半导体工艺机台调整所述射频信号，或停止所述半导体工艺机台以检查部件损坏。

【技术特征摘要】
2017.11.08 US 62/583,062;2018.02.22 US 15/901,9701.一种制造系统，包括：一半导体工艺机台，包括：至少一电极，被配置以在一半导体工艺的期间中从一射频信号产生器接收一射频信号；以及一射频感测器，被配置以无线地感测所述射频信号的强度；一计算装置，被配置以基于所感测到的所述射频信号的强度来提取多个统计特征值；以及一故障检测与分类系统，被配置以根据所提取的所述统计特征值，确定所感测到的所述射频信号的强度是否超过一阈值或一阈值范围，其中当所感测到的所述射频信号的强度超过所述阈值或所述阈值范围时，所述故障检测与分类系统通知所述半导体工艺机台调整所述射频信号，或停止所述半导体工艺机台以检查部件损坏。2.如权利要求1所述的制造系统，其中所述射频感测器包括一射频电流感测器，所述射频电流感测器通过电磁感应产生对应于所述射频信号的强度的一感应电流。3.如权利要求2所述的制造系统，其中当通过所述半导体工艺机台执行一蚀刻工艺时，所述故障检测与分类系统确定所检测到的所述射频信号的强度是否大于所述阈值。4.如权利要求2所述的制造系统，其中当通过所述半导体工艺机台执行一化学气相沉积工艺时，所述故障检测与分类系统确定所检测到的所述射频信号的强度是否落在所述阈值范围之外。5.一种半导体工艺机台，包括：一射频信号产生器，被配置以产生一射频信号；至少一电极，被配置以接收所述射频信号来执行一半导体工艺；以及至少一射频感测器，与所述电极以及所述射频信号产生器分开地被配置，以无线地感测所述射频信号的强度，其中所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡文凯，梁文哲，李肇耿，许正杰，张致国，李幸璁，吴丰光，刘旭水，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71