基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

公开了一种基板处理装置。基板处理装置包括：腔室，在其内部具有处理空间；支承单元，其配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，其配置为向处理空间中供应气体；以及等离子体产生单元，其配置为从气体产生等离子体，其中，该支承单元包括：静电卡盘，所述静电卡盘包括具有吸附基板的支承表面的上主体以及从上主体延伸至下侧的下主体，其中，下主体具有从上主体侧向延伸的延伸部；聚焦环，其设置在所述静电卡盘的延伸部上；以及金属环，其设置在所述静电卡盘的所述上主体与所述聚焦环之间并配置为控制所述基板的末端边缘中的等离子体。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及基板处理方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月30日提交韩国工业产权局、申请号为10-2017-0142658的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
本文中描述的本专利技术构思的实施例涉及一种基板处理装置及基板处理方法，尤其涉及一种向基板的全部区域均匀地供应等离子体的基板处理装置，及其基板处理方法。
技术介绍
为了制造半导体设备，通过执行各种工艺在基板上形成期望的图案，例如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜的沉积和清洁。在这些工艺中，蚀刻工艺为去除形成在基板上的膜的选定的加热区域的工艺，且包括湿法蚀刻和干法蚀刻。对于干法蚀刻，使用利用等离子体的蚀刻装置。通常，为了形成等离子体，在腔室的内部空间中形成电磁场，并且该电磁场将提供到腔室中的工艺气体激发至等离子状态。等离子体是指包括离子、电子、和自由基的电离气态。该等离子体由非常高的温度、强电场、或射频(RF)电磁场产生。在半导体设备制造工艺中，通过使用等离子体执行蚀刻工艺。对于蚀刻工艺，向工艺腔室供应工艺气体。根据相关技术，执行蚀刻工艺的ICP或CCP等离子体产生装置中，在其上吸附有基板的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：腔室，在其内部具有处理空间；支承单元，其配置为在所述处理空间内支承基板；气体供应单元，其配置为向所述处理空间中供应气体；以及等离子体产生单元，其配置为从所述气体产生等离子体，其中，所述支承单元包括：静电卡盘，其包括具有吸附所述基板的支承表面的上主体、以及从所述上主体延伸至下侧的下主体，其中，所述下主体具有从所述上主体侧向延伸的延伸部；聚焦环，其设置在所述静电卡盘的所述延伸部上；以及金属环，其设置在所述静电卡盘的所述上主体与所述聚焦环之间，并配置为控制所述基板的末端边缘中的等离子体。

【技术特征摘要】
2017.10.30 KR 10-2017-01426581.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：腔室，在其内部具有处理空间；支承单元，其配置为在所述处理空间内支承基板；气体供应单元，其配置为向所述处理空间中供应气体；以及等离子体产生单元，其配置为从所述气体产生等离子体，其中，所述支承单元包括：静电卡盘，其包括具有吸附所述基板的支承表面的上主体、以及从所述上主体延伸至下侧的下主体，其中，所述下主体具有从所述上主体侧向延伸的延伸部；聚焦环，其设置在所述静电卡盘的所述延伸部上；以及金属环，其设置在所述静电卡盘的所述上主体与所述聚焦环之间，并配置为控制所述基板的末端边缘中的等离子体。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括：电压源，其连接至所述金属环并配置为向所述金属环施加电压。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述电压源为直流电源，其配置为向所述金属环施加直流电压。4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括：控制器，其配置为通过控制所述电压源调节施加到所述金属环的电压；以及检测器，其配置为测量所述基板的中心区域和末端边缘的等离子体密度，其中，所述控制器调节施加到所述金属环的电压，以使所述基板的中心区域和末端边缘的等离子体密度相同。5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述金属环设置成与所述聚焦环和所述静电卡盘间隔开。6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述金属环...

【专利技术属性】
技术研发人员：哈鲁琼·梅利基扬，安宗焕，具滋明，李相起，金荣斌，南信佑，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR