The present invention discloses a cylindrical cathode nonequilibrium magnetron plasma gas aggregation cluster source and its use method. The cluster source includes a cylindrical sputtering target assembly and a condensation chamber, which are interconnected with each other. The invention uses cylindrical sputtering target and annular magnet group to make magnetron sputtering have large sputtering area and produce high yield atoms and ions; uses coaxial sputtering gas with sputtering target to fill the cylinder to form inert gas flow to guide the sputtering product to the condensation zone, and is further restrained by inert gas flowing out from the buffer gas filling the wall of the cylinder, so as to make the condensation growth zone of clusters be further restrained. It is defined in a definite space to achieve the high efficiency and uniform growth of clusters. The non-equilibrium magnetic field is formed by confining magnets in the condensation zone, and the high plasma density is formed by confining electrons to obtain a high cluster ion ratio. The invention can realize the generation of high strength and high ionization cluster and nanoparticle beam.
【技术实现步骤摘要】
筒状阴极非平衡磁控等离子体气体聚集团簇源及其使用方法
本专利技术属于原子分子物理与纳米科学
,涉及一种广泛应用于薄膜与纳米结构材料的制备、材料的表面加工的装置,具体为筒状阴极非平衡磁控等离子体气体聚集团簇源及其使用方法。
技术介绍
团簇源是原子团簇(纳米粒子)束流的产生、团簇物理/化学性质研究与团簇束流沉积装置中的关键部件,在原子分子物理与纳米科学的基础研究与薄膜及纳米结构材料的制备、材料的表面加工等方面具有广泛应用。目前被普遍采用的团簇束流源有两类:气体聚集法团簇源和脉冲激光烧融法团簇源。脉冲激光烧融法团簇源主要用于对包含200原子以下的自由团簇的奇异结构与物理化学性质的基础研究。由于团簇源工作于低重复频率的脉冲形式,团簇束流的平均通量较低,经尺寸选择后强度更弱,一般难于用在团簇沉积制备纳米结构材料上。气体聚集法团簇源主要有高温蒸发惰性气体冷凝源及磁控等离子体气体聚集源。前者只能用于在低于2000K温度时具有高蒸气压的少数金属和半导体材料团簇的产生,应用面甚窄。1990年前后,德国佛莱堡大学Haberland等发展了磁控等离子体气体聚集团簇源,克服了材料蒸气压的限制,可获得难熔金属、半导体、氧化物等多种材料的团簇束流,除了可进行自由团簇的原位分析,更适合于团簇束流沉积等,成为当前主流的团簇源。这类团簇源采用射频或直流磁控溅射将原子/离子等从靶材中打出,形成高密度等离子体,在冷凝室靶材原子间的碰撞及其与惰性气体分子的碰撞导致有效的聚集生长,形成团簇。但是,由于采用平面磁控溅射靶结构,这类源存在团簇产额、特别是团簇离子产额有限的不足。
技术实现思路
解决的 ...
【技术保护点】
1.筒状阴极非平衡磁控等离子体气体聚集团簇源,其特征在于,所述团簇源包括筒状溅射靶组件(1)和冷凝腔(2),二者之间相互连通;筒状溅射靶组件(1)内依次设有一包裹于密封夹层(13)内的环形阴极磁铁组(12),筒状溅射靶(3)、溅射气充入筒(6),溅射气通过溅射气入口(9)由溅射气充入筒(6)底板(14)上的通气管(16)充入,并经侧壁(15)上的开孔流出至筒状溅射靶(3)与溅射气充入筒(6)之间的辉光区;冷凝腔(2)为一真空密封腔体,腔体内形成冷凝区(10),腔体一端中心处设有喷嘴(11),并通过喷嘴(11)与腔外高真空环境形成差分抽气条件;冷凝腔内壁(5)上密布小孔阵列,内外壁夹层内设有金属冷却管,并通过冷却管入口(7)连续向管内通入液氮或水;冷凝腔(2)外壁上设有缓冲气入口(8),向内外壁夹层充入惰性气体,冷却后经冷凝腔内壁(5)上小孔流至冷凝区(10);冷凝腔(2)两端均设有约束磁铁(4)。
【技术特征摘要】
1.筒状阴极非平衡磁控等离子体气体聚集团簇源,其特征在于,所述团簇源包括筒状溅射靶组件(1)和冷凝腔(2),二者之间相互连通;筒状溅射靶组件(1)内依次设有一包裹于密封夹层(13)内的环形阴极磁铁组(12),筒状溅射靶(3)、溅射气充入筒(6),溅射气通过溅射气入口(9)由溅射气充入筒(6)底板(14)上的通气管(16)充入,并经侧壁(15)上的开孔流出至筒状溅射靶(3)与溅射气充入筒(6)之间的辉光区;冷凝腔(2)为一真空密封腔体,腔体内形成冷凝区(10),腔体一端中心处设有喷嘴(11),并通过喷嘴(11)与腔外高真空环境形成差分抽气条件;冷凝腔内壁(5)上密布小孔阵列,内外壁夹层内设有金属冷却管,并通过冷却管入口(7)连续向管内通入液氮或水;冷凝腔(2)外壁上设有缓冲气入口(8),向内外壁夹层充入惰性气体,冷却后经冷凝腔内壁(5)上小孔流至冷凝区(10);冷凝腔(2)两端均设有约束磁铁(4)。2.根据权利要求1所述的筒状阴极非平衡磁控等离子体气体聚集团簇源,其特征在于,冷凝腔(2)、密封夹层(13)和溅射气充入筒(6)的材质均为非磁性金属。3.根据权利要求1所述的筒状阴极非平衡磁控等离子体气体聚集团簇源,其特征在于,环形阴极磁铁组(12)由4-8块磁铁环构成,或由方形、圆弧形、柱状的非环状磁铁拼接组成。4.根据权利要求1所述的筒状阴极非平衡磁控等离子体气体聚集团簇源,其特征在于,筒状溅射靶(3)为熔点大于350K的金属或非金属材料,筒的内径为50mm-200mm,筒壁厚度为0.5mm-20mm,筒的高度为40-200mm。5.根据权利要求1所述的筒状阴极非平衡磁控等离子体气体聚集团簇源,其特征在于,溅射气充入筒(6)与筒状溅射靶(3)共轴安...
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