支承单元和包括该支承单元的基板处理装置制造方法及图纸

基板处理装置包括：腔室，在该腔室内部具有处理空间；支承单元，其配置为支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到处理空间中；和等离子体源，其配置为生成等离子体，其中，支承单元包括：支承板，基板定位在该支承板上；环组件，其围绕支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向环形电极施加电压来控制等离子体到基板上的入射角，且其中，电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向底板施加直流电压；和多个连接体，其连接底板和环形电极，由导电材料形成。

【技术实现步骤摘要】
支承单元和包括该支承单元的基板处理装置相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月30日提交韩国工业产权局、申请号为10-2017-0142659的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
在此，所描述的本专利技术构思的实施例涉及一种基板处理装置和基板处理方法，尤其涉及一种调节等离子体到基板上的入射角(incidentangle)的基板处理装置、和基板处理方法。
技术介绍
半导体制造工艺可包括通过使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体工艺的蚀刻工艺中，可通过使用等离子体去除基板上的薄膜。在基板处理工艺中，例如使用等离子体的蚀刻工艺，必须将等离子体区域扩展到基板的周边区域，以将工艺均匀性增加到基板的周边。为此，将可以呈现电场耦合的环构件设置成围绕基板支承件，并且使用环形绝缘体将环组件与设备的下模块电隔离。同时，环构件包括诸如Si、SiC、或石英的材料，并且随着环构件与因等离子体工艺期间产生的离子的碰撞而被磨损或蚀刻，等离子体鞘(plasmasheath)的电位会随时间降低。因此，如图7中，虽然在环构件被磨损或蚀刻之前，等离子体离子在基板上具有角度，但是在环构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其包括：腔室，在所述腔室的内部具有处理空间；支承单元，其配置为在所述处理空间中支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到所述处理空间中；和等离子体源，其配置为从所述气体生成等离子体，其中，所述支承单元还包括：支承板，所述基板定位在所述支承板上；环组件，其围绕所述支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向所述环形电极施加电压来控制等离子体到所述基板上的入射角，且其中，所述电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向所述底板施加直流电压；和多个连接体，其连接所述底板和所述环形电极，由导电材料形成，并彼此间隔开。

【技术特征摘要】
2017.10.30 KR 10-2017-01426591.一种基板处理装置，其包括：腔室，在所述腔室的内部具有处理空间；支承单元，其配置为在所述处理空间中支承基板；气体供应单元，其配置为将气体供应到所述处理空间中；和等离子体源，其配置为从所述气体生成等离子体，其中，所述支承单元还包括：支承板，所述基板定位在所述支承板上；环组件，其围绕所述支承板的周围并具有环形电极；和电压施加单元，其配置为通过向所述环形电极施加电压来控制等离子体到所述基板上的入射角，且其中，所述电压施加单元包括：导电材料的底板；直流电源，其配置为向所述底板施加直流电压；和多个连接体，其连接所述底板和所述环形电极，由导电材料形成，并彼此间隔开。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述环组件包括：聚焦环，其围绕定位在所述支承板上的所述基板；和绝缘材料的下环，其围绕所述支承板并设置在所述聚焦环下方。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述环形电极设置在所述下环内，并且所述多个连接体以相同间隔设置。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述底板具有环形形状，并且所述多个连接体具有棒状。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述底板包括：连接件，其设置在所述底板的一个表面上，且其中，所述直流电源连接至所述底板的所述连接件。6.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述环组件还包括：金属材料的金属环，其设置在所述聚焦环和所述下环之间。7.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述环组件还包括：石英材料的石英环，其设置在所述聚焦环和所述下环之间。8.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：具滋明，具重谟，李俊虎，安宗焕，罗世源，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR