【技术实现步骤摘要】
一种反应腔内衬
本技术涉及半导体
，具体涉及一种反应腔内衬。
技术介绍
在半导体制造中，等离子体刻蚀是用来刻蚀导电和介电材料的。等离子体刻蚀的问题之一是，随着时间的推移，当多个晶片在槽内加工时，就会在加工室的腔壁上堆积起一层膜来。这种薄膜的积累可能会造成如下问题：首先，该薄膜可能从腔壁剥落，引入微粒。随着集成电路器件的特征尺寸的不断减小，加工过程中颗粒的耐受性程度正在迅速下降。因此，在加工过程中避免颗粒的产生及其细化变得越来越重要。第二，薄膜可能改变射频接地路径，从而影响在晶片上获得的结果。目前设备中多采用对工艺室进行湿式清洗操作，用物理方法擦洗反应腔室的内壁，以清除积层。在商业半导体制造中，工艺室的湿式清洗是不可取的，为此，一些工艺室设置了内衬，以保护室壁。然而，目前在工艺室中使用的圆柱形内衬至少有两个主要缺点。第一个缺点是，由于真空中的热传递很差，这种内衬的整体位于真空中，缺乏足够的热连接。因此，当射频功率被循环和关闭时，内衬的温度会剧烈波动。这种温度波动会引起不希望的变化。在晶片的加工过程中，第二个缺点是很难在真空中与内衬进行电气连接，从而提供令人满意...
【技术保护点】
1.一种反应腔内衬，其特征在于，包括圆环状侧壁(2)主体和设置于其上部的法兰(3)，其中，法兰(3)的端面沿着径向延伸超出侧壁(2)，在法兰(3)外边缘沿径向延伸出固定用凸缘(31)，其上开有孔(32)，侧壁(2)上开有长方形槽(4)，与反应腔室(50)的侧壁上的机械手进出口(51)位置相对应，侧壁2设有通孔(22)及蜂窝状小孔(21)，与侧壁(2)底部相接面具有沿径向向内延伸的圆盘(5)，圆盘(5)的延伸末端与反应腔室(50)中心放置的电极组件(80)的外边缘配合，圆盘(5)上环向设置有多圈长槽孔(6)。
【技术特征摘要】
1.一种反应腔内衬，其特征在于，包括圆环状侧壁(2)主体和设置于其上部的法兰(3)，其中，法兰(3)的端面沿着径向延伸超出侧壁(2)，在法兰(3)外边缘沿径向延伸出固定用凸缘(31)，其上开有孔(32)，侧壁(2)上开有长方形槽(4)，与反应腔室(50)的侧壁上的机械手进出口(51)位置相对应，侧壁2设有通孔(22)及蜂窝状小孔(21)，与侧壁(2)底部相接面具有沿径向向内延伸的圆盘(5)，圆盘(5)的延伸末端与反应腔室(50)中心放置的电极组件(80)的外边缘配合，圆盘(5)上环向设置有多圈长槽孔(6)。2.根据权利要求1所述的反应腔内衬，其特征在于，所述法兰(3)的端面是圆形或方形。3.根据权利要求1所述的反应腔内衬，其特征在于，所述法兰(3)的端面沿径向延伸超出所述侧壁(2)的长度为6mm～35mm，厚度为5mm～10mm。4.根据权利要求1所述的反应腔内衬，其特征在于，在所述法兰(3)的端面设置有密封槽(33)及导电线圈...
【专利技术属性】
技术研发人员：李娜，程实然，刘海洋，陈兆超，侯永刚，王铖熠，胡冬冬，许开东，
申请(专利权)人：江苏鲁汶仪器有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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