阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，包括：提供一衬底基板；通过一次构图工艺，在衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层；在像素定义层上的颜色不同的各子像素区内依次形成发光结构；其中，在同一颜色的各子像素区内形成发光结构，具体包括：在像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层；通过一次构图工艺和干刻工艺，去除发光功能层和阴极层在其他子像素区内的部分，在该子像素区内形成发光功能层和阴极层的图案。通过一次构图工艺形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层，工艺比较简单；且通过干刻的方式分别制作不同颜色的子像素，可以省掉FMM，提高像素密度。

Fabrication of Array Substrate, Array Substrate, Display Panel and Display Device

【技术实现步骤摘要】
阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置。
技术介绍
有机电致发光显示面板(OLED)以轻薄、低耗、高响应、高分辨等特征在平板显示领域崭露头角，其潜在的市场前景被业界看好。目前，可直接利用精细金属掩膜板(FineMetalMask，FMM)分别蒸镀红绿蓝(RGB)三种颜色的子像素的发光材料来实现OLED显示面板的彩色显示。但是由于FMM精度的限制，现有技术中采用FMM的方式制作的OLED显示面板的像素密度(PPI)有限，而目前需要高PPI的应用产品却越来越多，例如微显示领域，现有OLED显示面板的PPI已然满足不了人眼的需求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，用以提高OLED显示面板的像素密度。因此，本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法，包括：提供一衬底基板；通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层；在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构；其中，在同一颜色的各子像素区内形成发光结构，具体包括：在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层；通过一次构图工艺和干刻工艺，去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分，在该子像素区内形成所述发光功能层和所述阴极层的图案。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层之后，还包括：在阴极层上形成保护层；去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分的同时，去除所述保护层在其他子像素区内的部分。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构之后，还包括：在所述发光结构所在层上形成与所述阴极层电连接的辅助阴极层；通过一次构图工艺，去除各所述开口区域内的所述辅助阴极层。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构之后，且在所述发光结构所在层上形成与所述阴极层电连接的辅助阴极层之前，还包括：在所述发光结构所在层上形成光刻胶层；通过一次构图工艺，在各所述子像素区的非开口区域形成自所述光刻胶层贯穿至所述阴极层的过孔。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，所述干刻工艺为离子轰击的方式。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层之前，还包括：通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各开口区域的阳极。相应地，本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板采用上述制作方法制备。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述阵列基板中，辅助阴极层在衬底基板上的正投影位于像素定义层在所述衬底基板上的正投影内。基于同一专利技术构思，本专利技术实施例还提供了一种显示面板，包括上述阵列基板。基于同一专利技术构思，本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。本专利技术有益效果如下：本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置，该制作方法包括：提供一衬底基板；通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层；在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构；其中，在同一颜色的各子像素区内形成发光结构，具体包括：在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层；通过一次构图工艺和干刻工艺，去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分，在该子像素区内形成所述发光功能层和所述阴极层的图案。通过一次构图工艺形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层，工艺比较简单；且干刻精度远大于FMM的蒸镀精度，基于此通过干刻的方式分别制作不同颜色的子像素，可以省掉FMM，提高像素密度，节省成本，避免混色风险。附图说明图1为本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法的流程图；图2至图14分别为本专利技术实施例提供的制作方法中各步骤对应阵列基板的结构示意图。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术实施例提供的阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细的说明。需要说明的是本说明书所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例；并且在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合；此外，基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供的一种阵列基板的制作方法，如图1所示，包括：S101、提供一衬底基板；S102、通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层；S103、在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构；其中，在同一颜色的各子像素区内形成发光结构，具体包括：在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层；通过一次构图工艺和干刻工艺，去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分，在该子像素区内形成所述发光功能层和所述阴极层的图案。在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，通过一次构图工艺形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层，工艺比较简单；且干刻精度远大于FMM的蒸镀精度，基于此通过干刻的方式分别制作不同颜色的子像素，可以省掉FMM，提高像素密度，节省成本，避免混色风险。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，为避免在制作子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层的图案的过程中，剥离液对阴极层的侵蚀，在执行步骤在像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层之后，还可以执行以下步骤：在阴极层上形成保护层；去除发光功能层和阴极层在其他子像素区内的部分的同时，去除保护层在其他子像素区内的部分。需要说明的是，发光功能层可以包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。保护层的材质可以为氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)。此外，为避免对发光功能层的损坏，造成亮度、视角、效率、功耗等不良，可以采用离子轰击的干刻方式对发光功能层、阴极层和保护层进行刻蚀。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，为便于向不同颜色的子像素区内的阴极加载驱动电压，且保证较高的出光率，在执行步骤S103在像素定义层上的颜色不同的各子像素区内依次形成发光结构之后，还可以执行以下步骤：在发光结构所在层上形成与阴极层电连接的辅助阴极层；通过一次构图工艺，去除各开口区域内的辅助阴极层。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述制作方法中，为了平坦化阴极层，并且保护阴极层不受后续制作辅助阴极层的过程中蒸镀及图形化工艺的伤害，在执行步骤S103在像素定义层上的颜色不同的各子像素区内依次形成发光结构之后，且在执行步骤在发光结构所在层上形成与阴极层电连接的辅助阴极层之前，还可以执行以下步骤：在发光结构所在层上形成光刻胶层；通过一次构图工艺，在各子像素区的非开口区域形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层；在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构；其中，在同一颜色的各子像素区内形成发光结构，具体包括：在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层；通过一次构图工艺和干刻工艺，去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分，在该子像素区内形成所述发光功能层和所述阴极层的图案。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底基板；通过一次构图工艺，在所述衬底基板上形成在各子像素区具有开口区域的像素定义层；在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构；其中，在同一颜色的各子像素区内形成发光结构，具体包括：在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层；通过一次构图工艺和干刻工艺，去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分，在该子像素区内形成所述发光功能层和所述阴极层的图案。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述像素定义层上依次形成该子像素区对应颜色的发光功能层和阴极层之后，还包括：在阴极层上形成保护层；去除所述发光功能层和所述阴极层在其他子像素区内的部分的同时，去除所述保护层在其他子像素区内的部分。3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述像素定义层上的颜色不同的各所述子像素区内依次形成发光结构之后，还包括：在所述发光结构所在层上形成与所述阴极层电连接的辅助阴极层；通过一次构图工艺，去除各所述开口区域内的所述辅助...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐国强，马国强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11