一种阵列基板、其制备方法及相关装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板、其制备方法及相关装置，该阵列基板包括多个子像素区域，各子像素区域包括位于衬底基板上的像素驱动电路和光学补偿电路，像素驱动电路包括与驱动晶体管连接的像素存储电容，光学补偿电路包括与感光器件连接的感光存储电容；像素存储电容和感光存储电容叠层设置，且像素存储电容和感光存储电容共用同一电极板。本发明专利技术通过将感光器件、感光存储电容和像素存储电容沿背离衬底基板的方向上依次叠层设置，即感光器件、感光存储电容和像素存储电容三者在衬底基板上的正投影具有重叠区域，减小了子像素区域像素存储电容的占用面积，相应地可以增加发光区的面积，从而提高子像素区域的开口率。

An array substrate, its preparation method and related device

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、其制备方法及相关装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板、其制备方法及相关装置。
技术介绍
OLED显示器件由于自身的特性，被广泛应用，目前OLED的显示画面亮度及均匀性补偿主要以电学补偿为主，包括内部补偿和外部补偿两种方式，也可以采用两种补偿方案相结合的方式，但是电学补偿只能对由于驱动TFT阈值电压和迁移率变化造成的显示Mura进行补偿，无法补偿由于OLED器件本身发光效率变化造成的显示不均的问题。现行的光学补偿方案是在panel出厂时对panel整体进行一次光学补偿，但无法解决伴随EL效率衰减造成的Mura，即无法实现与电学补偿类似的实时补偿。除此之外像素驱动TFT的像素存储电容占用版图设计的大部分面积，使得像素开口率较低。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种阵列基板、其制备方法及相关装置，用于提高子像素区域的开口率。因此，本专利技术实施例提供了一种阵列基板，包括多个子像素区域，各所述子像素区域包括位于衬底基板上的像素驱动电路和光学补偿电路，所述像素驱动电路包括与驱动晶体管连接的像素存储电容，所述光学补偿电路包括与感光器件连接的感光存储电容；所述像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个子像素区域，各所述子像素区域包括位于衬底基板上的像素驱动电路和光学补偿电路，所述像素驱动电路包括与驱动晶体管连接的像素存储电容，所述光学补偿电路包括与感光器件连接的感光存储电容；所述像素存储电容和所述感光存储电容叠层设置，且所述像素存储电容和所述感光存储电容共用同一电极板。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个子像素区域，各所述子像素区域包括位于衬底基板上的像素驱动电路和光学补偿电路，所述像素驱动电路包括与驱动晶体管连接的像素存储电容，所述光学补偿电路包括与感光器件连接的感光存储电容；所述像素存储电容和所述感光存储电容叠层设置，且所述像素存储电容和所述感光存储电容共用同一电极板。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光学补偿电路中的感光器件位于所述感光存储电容与所述衬底基板之间；所述像素存储电容位于所述感光存储电容背离所述衬底基板的一侧；在所述感光器件与所述衬底基板之间具有遮光金属层，所述遮光金属层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述感光器件在所述衬底基板上的正投影。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述感光存储电容包括位于所述感光器件之上依次叠层设置的第一电极、绝缘介质层、第二电极；所述像素存储电容包括依次叠层设置的所述第二电极、绝缘缓冲层和第三电极。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述光学补偿电路还包括位于所述绝缘缓冲层上的光学补偿控制晶体管；所述光学补偿控制晶体管的源极或漏极与所述遮光金属层电连接、且与所述第二电极电连接。5.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国英，宋振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11