一种氮化镓基欧姆接触结构及其制备方法技术

本发明专利技术的公开了一种氮化镓基欧姆接触结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供表层为InxAlyGa1‑x‑yN的材料，通过共溅射的方法在所述InxAlyGa1‑x‑yN的材料表面沉积第一复合金属层，所述第一复合金属层为Ta/Ti/Al复合金属层或Ta/Al复合金属层；将沉积完成的材料在500～1500℃退火，形成欧姆接触。并根据此种制备方法形成氮化镓基欧姆接触结构。这种结构设置可增加金属共融的程度，同时可避免Ta、Ti成为Al金属向下扩散时的阻挡层，以此降低合金退火的温度，并得到更平整的欧姆接触电极表面和更低的欧姆接触电阻率。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化镓基欧姆接触结构及其制备方法
本专利技术属于半导体
，具体涉及一种氮化镓基欧姆接触结构及其制备方法。
技术介绍
作为第三代宽禁带半导体材料的典型代表，GaN基材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、临界击穿场强高，热导率高，耐腐蚀和抗辐射性能优异等特点，可用于制作高温、高频及大功率电子器件。另外，GaN还具有优良的电子特性，可以和AlGaN形成调制掺杂的AlGaN/GaN异质结构，获得比第二代化合物半导体异质结构更高的二维电子气(2DEG)密度，电子浓度高达1012～1013cm-1，电子迁移率高达2000cm2/V·s，被誉为是研制微波功率器件的理想材料。因此，基于AlGaN/GaN异质结的微波功率器件在高频率、高功率的无线通信、雷达等领域具有非常好的应用前景。由于GaN具有宽禁带的特点，同时具有较高的表面态密度，制备稳定且高性能的欧姆接触一直是业界讨论的难点之一。典型方法制作氮化镓欧姆接触常常采用Ti/Al/Ni/Au依次层叠作为接触电极，需退火至800℃以上，方能得到比较理想的接触电阻率。但是高温下Al容易聚球，从而形成十分粗糙的表面；同时，即使在存在阻挡层的情况本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氮化镓基欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S0：提供表层为InxAlyGa1‑x‑yN的材料，其中0≤x<1，0≤y<1，x+y<1；步骤S1：在所述InxAlyGa1‑x‑yN的材料表面沉积第一复合金属层，所述第一复合金属层为Ta/Ti/Al复合金属层或Ta/Al复合金属层；步骤S2：将沉积完成的材料在500～1500℃退火，形成欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.一种氮化镓基欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S0：提供表层为InxAlyGa1-x-yN的材料，其中0≤x<1，0≤y<1，x+y<1；步骤S1：在所述InxAlyGa1-x-yN的材料表面沉积第一复合金属层，所述第一复合金属层为Ta/Ti/Al复合金属层或Ta/Al复合金属层；步骤S2：将沉积完成的材料在500～1500℃退火，形成欧姆接触。2.根据权利要求1所述的氮化镓基欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，第一复合金属层是通过共溅射的方法形成。3.根据权利要求1所述的氮化镓基欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，在步骤S1之后，在步骤S2之前，还包括：步骤S12：在所述第一复合金属层上继续使用溅射或蒸发方法由下至上依次形成Al层和金属帽层。4.根据权利要求1或3所述的氮化镓基欧姆接触结构的制备方法，其特征在于，在步骤S1之后，在步骤S12之前，还包括：步骤S11：在所述第一复合金属层上继续使用共溅射方法形成第二复合金属层，所述第二复合金属层为Ti/Al复合金属层。5.根据权利要求1或3所述的氮化镓基...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘煦冉，程海英，王敬，宋东波，
申请(专利权)人：芜湖启迪半导体有限公司，清华大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34