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本发明的公开了一种氮化镓基欧姆接触结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：提供表层为InxAlyGa1‑x‑yN的材料，通过共溅射的方法在所述InxAlyGa1‑x‑yN的材料表面沉积第一复合金属层，所述第一复合金属层为Ta/Ti/Al...
该专利属于芜湖启迪半导体有限公司;清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过芜湖启迪半导体有限公司;清华大学授权不得商用。

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