一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列制造技术

本发明专利技术公开了一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储器阵列，该阵列包括若干矩阵式排布的存储单元，存储单元为积累模式阻变场效应晶体管：行方向上，每行的存储单元通过栅极相接，共同接至字线，通过控制字线的电位大小对选择的存储单元进行信息的读写和擦除；列方向上，每列首行至末行存储单元依次漏、源相接，首行存储单元源极引出到源端位线，末行存储单元漏极引出到漏端位线；该阵列基于的晶体管可以调节栅氧的电阻状态，不同阻态下晶体管的阈值电压不同，通过阈值附近的漏端电流大小来判断晶体管电阻状态，因此可实现数据的擦除、写入和读取。本发明专利技术可有效简化工艺、降低制备成本、降低功耗，本发明专利技术与标准CMOS工艺兼容。

An Accumulated Mode Variable Field Effect Transistor and Non-miniature Storage Array

【技术实现步骤摘要】
一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列
本专利技术属于半导体与集成电路技术邻域，具体涉及一种基于积累模式阻变场效应晶体管的电可编程、读取和擦除的与非型存储阵列。
技术介绍
一方面，非易失性存储器(Non-volatileMemory,NVM)，例如阻变式存储器(ResistiveRandomAccessMemory,RRAM)和磁性随机存储器(MagneticRandomAccessMemory,MRAM)，由于其具有操作速度快、功耗低、高可靠性以及良好的尺寸缩小能力等优势，被提出可应用于高密度存储和片上系统。但是，和传统的快闪存储器(Flash)相比，这些非易失性存储器自身不能实现逻辑控制，需要额外的晶体管辅助进行信息存储提取，这不仅会增加电路设计的复杂度而且会增加工艺成本。另一方面，以金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)为基础的存储电路中，Flash等主流存储技术存在工作电压高、速度慢、耐久力差以及尺寸缩小困难等问题。本专利技术涉及的基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列，其特征在于，包括若干矩阵式排布的存储单元，所述存储单元为积累模式阻变场效应晶体管：行方向上，每行的存储单元通过栅极相接，共同接至字线，通过控制字线的电位大小对选择的存储单元进行信息的读写和擦除；列方向上，每列首行至末行存储单元依次漏、源相接，首行存储单元源极引出到源端位线，末行存储单元漏极引出到漏端位线；所述积累模式阻变场效应晶体管的衬底采用绝缘层上p型锗膜结构，栅极采用导电电极层、阻变记忆层堆栈结构，源区和漏区采用p型离子注入结构或NiGe合金结构。

【技术特征摘要】
1.一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列，其特征在于，包括若干矩阵式排布的存储单元，所述存储单元为积累模式阻变场效应晶体管：行方向上，每行的存储单元通过栅极相接，共同接至字线，通过控制字线的电位大小对选择的存储单元进行信息的读写和擦除；列方向上，每列首行至末行存储单元依次漏、源相接，首行存储单元源极引出到源端位线，末行存储单元漏极引出到漏端位线；所述积累模式阻变场效应晶体管的衬底采用绝缘层上p型锗膜结构，栅极采用导电电极层、阻变记忆层堆栈结构，源区和漏区采用p型离子注入结构或NiGe合金结构。2.根据权利要求1所述的一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列，其特征在于，所述积累模式阻变场效应晶体管衬底的p型锗膜厚度不超过10nm。3.根据权利要求1所述的一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列，其特征在于，所述积累模式阻变场效应晶体管栅极采用的导电电极层材料选自氮化钛、氮化钽、钨、铂或钯中的一种，阻变记忆层材料选自氧化铪、氧化铝、氧化钽、氧化镍、氧化锌、氧化镧、氧化锗中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储阵列，其特征在于，所述积累模式阻变场效应晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵毅，魏娜，陈冰，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33