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本发明公开了一种基于积累模式阻变场效应晶体管的与非型存储器阵列，该阵列包括若干矩阵式排布的存储单元，存储单元为积累模式阻变场效应晶体管：行方向上，每行的存储单元通过栅极相接，共同接至字线，通过控制字线的电位大小对选择的存储单元进行信息的读写...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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