单电源域转多电源域及DDR接口参考电流的实现方法技术

技术编号:19906174 阅读:35 留言:0更新日期:2018-12-26 03:45
本发明专利技术公开了DDR接口用单电源域转换为多电源域的方法,在每相邻的CA区域和Data区域之间,放置用于切断电源与地的电源/地隔断单元。所述电源/地隔断单元为方向相反的二极管对。实现CA区域中时钟信号的低抖动噪声。本发明专利技术还公开了DDR接口参考电流的实现方法,将偏置电压换成偏置电流降低耦合噪声,提高信号接收器性能。

【技术实现步骤摘要】
单电源域转多电源域及DDR接口参考电流的实现方法
本专利技术涉及DDR(双倍速率同步动态随机存储器)

技术介绍
现有技术中,随着集成电路接口工作速度的越来越高,噪声的影响越来越大,越具有挑战,尤其DDR接口的时钟命令地址区域(CA区域)中的时钟信号,抖动要比较小,但数据区域(Data区域)高速数据传输导致电源地噪声较大,该电源地随之导致CA区域的时钟信号抖动变大。另一方面,Data区域信号接收器需要的偏置电压通常由CA区域中的校准电路产生,偏置电压穿过CA及所有的data区域,因而耦合噪声极大,影响信号接收器精度。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供单电源域转换为多电源域的方法,实现CA区域中时钟信号的低抖动噪声。本专利技术的目的还在于提供DDR接口参考电流的实现方法,将偏置电压换成偏置电流降低耦合噪声,提高信号接收器性能。实现上述目的的技术方案是:本专利技术之一的DDR接口用单电源域转换为多电源域的方法,在每相邻的CA区域和Data区域之间,放置用于切断电源与地的电源/地隔断单元。优选的,所述电源/地隔断单元为方向相反的二极管对。优选的,在每相邻的两个Data区域之间,放置电源/地隔断单元。本专利技术之二的基于单电源域转换为多电源域方法的DDR接口参考电流的实现方法,将CA区域产生的偏置电压换成n个偏置电流,n为Data区域的数量;该n个偏置电流流到相应的n个Data区域中的DQS(数据采样信号)单元。优选的,每个Data区域DQS单元产生的偏置电流进一步复制出m个偏置电流,m为Data区域DQ(数据信号)的数量。本专利技术的有益效果是:本专利技术通过放置用于切断电源与地的电源/地隔断单元,把单电源域换成多电源域,实现CA区域中时钟信号的低抖动噪声。同时,通过将偏置电压换成偏置电流降低耦合噪声,提高信号接收器性能。附图说明图1是本专利技术中CA区域和Data区域之间放置电源/地隔断单元的示意图;图2是本专利技术中n个偏置电流流到相应的n个Data区域中的DQS单元的示意图。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术作进一步说明。本专利技术的DDR接口用单电源域转换为多电源域的方法,在每相邻的CA区域和Data区域之间,放置用于切断电源与地的电源/地隔断单元,如图1所示。电源/地隔断单元为方向相反的二极管对。二级管在阈值电压(约0.6V)以下为关断,因而噪声(约0.1V)不能通过,起到隔绝data区域噪声的目的。CA区域的电源、地干净,其中的时钟信号也因之抖动较小。同时,二级管的阈值电压远远低于静电防护(ESD)电压,电源、地通过二极管依然在CA区域及所有data区域连成环,ESD泄放电流不受影响。进一步地,在相邻的两个Data区域之间也放置电源/地隔断单元,隔离Data区域之间噪声的互相影响。在单电源域转换为多电源域的方法的基础上,本专利技术的DDR接口参考电流的实现方法,将CA区域产生的偏置电压换成n个偏置电流,n为Data区域的数量;该n个偏置电流流到相应的n个Data区域中的DQS单元,如图2所示。参考偏置电流的地为CA区域的地,生成偏置电流的地为每个Data区域的地,不再受CA区域及其他Data区域地噪声的影响。每个Data区域DQS单元产生的偏置电流进一步复制出m个偏置电流,m为Data区域DQ的数量,一般为8。从而降低耦合噪声,提高信号接收器性能。以上实施例仅供说明本专利技术之用,而非对本专利技术的限制,有关
的技术人员,在不脱离本专利技术的精神和范围的情况下,还可以作出各种变换或变型,因此所有等同的技术方案也应该属于本专利技术的范畴,应由各权利要求所限定。本文档来自技高网
...

【技术保护点】
1.一种DDR接口用单电源域转换为多电源域的方法,其特征在于,在每相邻的CA区域和Data区域之间,放置用于切断电源与地的电源/地隔断单元。

【技术特征摘要】
1.一种DDR接口用单电源域转换为多电源域的方法,其特征在于,在每相邻的CA区域和Data区域之间,放置用于切断电源与地的电源/地隔断单元。2.根据权利要求1所述的DDR接口用单电源域转换为多电源域的方法,其特征在于,所述电源/地隔断单元为方向相反的二极管对。3.根据权利要求1所述的DDR接口用单电源域转换为多电源域的方法,其特征在于,在每相邻的两个Data区域之间,放置电源/地隔断...

【专利技术属性】
技术研发人员:孔亮刘亚东桑建东戴冬梅
申请(专利权)人:灿芯半导体上海有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1