一种复合透明导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种复合透明导电薄膜及其制备方法。本发明专利技术的复合透明导电薄膜主要包括银纳米线导电网络、存在于银纳米线上下表面的少量二氧化硅纳米颗粒、聚乙烯醇基体。银纳米线主要用于形成透明导电薄膜的导电网络；少量的二氧化硅纳米颗粒主要为了使银纳米线分散均匀及使银纳米线间堆垛紧密减少接触电阻；聚乙烯醇作为基体，使银纳米线不脱落，保证透明导电薄膜的稳定可靠。本发明专利技术的透明导电薄膜具有较好的导电性能，可以应用到实际生活中。

A transparent conductive composite film and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种复合透明导电薄膜及其制备方法
本专利技术属于导电材料
，特别涉及一种复合透明导电薄膜及其制备方法。
技术介绍
透明导电薄膜是一种能导电同时又在可见光范围内具有高透过率的一种薄膜，是很多光敏电子器件的重要组成部分，在平板显示器、太阳电池、发光二极管(LED)、低辐射玻璃、防电磁干扰透明窗等领域都有着广泛的应用。铟锡氧化物(ITO)透明导电薄膜应用比较广泛，但由于铟元素比较贵，且氧化物材料脆性比较大，很难满足电子器件的发展需求。因此，基于石墨烯、碳纳米管、金属纳米线等新兴纳米材料制备的透明导电薄膜越来越引起人们的关注。近年来，将银纳米线沉积在高分子基体上制备的银纳米线透明导电薄膜由于具有较高的透明度、表面电阻低、表面光滑等优点，在光电器件领域有着较为广泛的应用。银纳米线表面有一层绝缘的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)，PVP层会阻碍电子在银纳米线之间的传输，使得透明导电薄膜的电阻增加。因此，在以前的研究中科研工作者往往采用200℃以上的温度对银纳米线进行处理，除去PVP层，并且银纳米线会发生烧结，使得接触电阻降低。但是，这样的高温会使高分子基底发生变形、甚至会分解，影响了透明导电薄膜的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合透明导电薄膜包含银纳米线导电网络、存在于银纳米线上下表面的少量二氧化硅纳米颗粒、聚乙烯醇基体，其制备方法包括：(1)分别用丙酮、乙醇超声处理衬底，得到干净的衬底；将二氧化硅纳米颗粒分散液旋涂在衬底上，60℃进行干燥，得到带有少量二氧化硅纳米颗粒层；(2)将银纳米线分散液旋涂在带有少量二氧化硅纳米颗粒层的衬底上，自然条件下放置4‑8h，待溶剂缓慢挥发；(3)再旋涂少量二氧化硅纳米颗粒，60℃进行干燥，溶剂挥发后，得到银纳米线导电网络层，且上下都具有少量的二氧化硅纳米颗粒；随后放置马弗炉中，使银纳米线烧结；(4)将聚乙烯醇水分散液旋涂在表面，待水挥发后，将薄膜从衬底上剥离，得到透明导电...

【技术特征摘要】
1.一种复合透明导电薄膜包含银纳米线导电网络、存在于银纳米线上下表面的少量二氧化硅纳米颗粒、聚乙烯醇基体，其制备方法包括：(1)分别用丙酮、乙醇超声处理衬底，得到干净的衬底；将二氧化硅纳米颗粒分散液旋涂在衬底上，60℃进行干燥，得到带有少量二氧化硅纳米颗粒层；(2)将银纳米线分散液旋涂在带有少量二氧化硅纳米颗粒层的衬底上，自然条件下放置4-8h，待溶剂缓慢挥发；(3)再旋涂少量二氧化硅纳米颗粒，60℃进行干燥，溶剂挥发后，得到银纳米线导电网络层，且上下都具有少量的二氧化硅纳米颗粒；随后放置马弗炉中，使银纳米线烧结；(4)将聚乙烯醇水分散液旋涂在表面，待水挥发后，将薄膜从衬底上剥离，得到透明导电薄膜。2.权利要求1所述的复合透明导电薄膜及其制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪艳红，何本桥，李全，苗鹏，吴鑫，赵兰兰，周子权，薛旦阳，
申请(专利权)人：天津工业大学，
类型：发明
国别省市：天津,12