透明导电性薄膜及透明导电性薄膜层叠体制造技术

本发明专利技术提供透明导电性薄膜及透明导电性薄膜层叠体。透明导电性薄膜具备：透明基材；配置于透明基材的厚度方向一侧的透明导电层；配置于透明基材的厚度方向另一侧的阻气层；和配置于阻气层的厚度方向另一侧的覆盖层，阻气层含有Zn、Al及Si中的至少2种成分以上，覆盖层为含有Si的氧化物层，覆盖层的厚度方向另一面的水接触角为40度以上，利用X射线光电子能谱法测定覆盖层的厚度方向另一面时相对于包含Si的金属元素的、Si的元素比率为40％以上。

【技术实现步骤摘要】
透明导电性薄膜及透明导电性薄膜层叠体与相关申请的相互关系本申请主张2017年10月23日申请的日本专利申请No.2017-204216的优先权，将其公开内容原样并入本申请中。
本专利技术涉及透明导电性薄膜及透明导电性薄膜层叠体，详细而言，涉及适合用于光学用途的透明导电性薄膜及透明导电性薄膜层叠体。
技术介绍
一直以来，形成有包含铟锡复合氧化物(ITO)等的透明导电层的透明导电性薄膜被用于触摸面板等图像显示装置。作为图像显示装置，例如用于有机EL显示装置时，有机EL元件容易因氧气、水蒸气等气体而劣化，因此，对配置于有机EL元件的触摸面板用透明导电性薄膜要求阻气性。作为对触摸面板用透明导电性薄膜赋予阻气性的方法，探讨了在与透明导电层相反侧的表面设置阻气层的方法。另一方面，作为折射率低、具有良好的阻气性的阻气层，已知Al-Zn-O(铝掺杂氧化锌：AZO)膜(参照日本特开2017-132225号公报)。专利文献1中公开了具有如下成分组成的、非晶质的透明氧化物膜，其中，相对于全部金属成分量，含有Al：0.9～20.0at％、Si：25.5～68.0at％，剩余部分由Zn及不可避免杂质构成。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种透明导电性薄膜，其特征在于，具备：透明基材；配置于所述透明基材的厚度方向一侧的透明导电层；配置于所述透明基材的厚度方向另一侧的阻气层；和配置于所述阻气层的厚度方向另一侧的覆盖层，所述阻气层含有Zn、Al及Si中的至少2种成分以上，所述覆盖层为含有Si的氧化物层，所述覆盖层的厚度方向另一面的水接触角为40度以上，利用X射线光电子能谱法测定所述覆盖层的厚度方向另一面时相对于包含Si的金属元素的、Si的元素比率为40％以上。

【技术特征摘要】
2017.10.23 JP 2017-2042161.一种透明导电性薄膜，其特征在于，具备：透明基材；配置于所述透明基材的厚度方向一侧的透明导电层；配置于所述透明基材的厚度方向另一侧的阻气层；和配置于所述阻气层的厚度方向另一侧的覆盖层，所述阻气层含有Zn、Al及Si中的至少2种成分以上，所述覆盖层为含有Si的氧化物层，所述覆盖层的厚度方向另一面的水接触角为40度以上，利用X射线光电子能谱法测定所述覆盖层的厚度方向另一面时相对于包含Si的金属元素的、Si的元素比率为40％以上。2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜，其特征在于，所述覆盖层为含有金属原子及Si的氧化物层。3.根据权利要求2所述的透明导电性薄膜，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：松本圭祐，酒井和也，安藤豪彦，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP