一种半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供待减薄晶圆和临时键合载体，并将待减薄晶圆的正面和临时键合载体临时键合；在待减薄晶圆的背面形成防粘层；在所述防粘层的表面形成凹槽从而在所述凹槽的外围形成凸起的环状结构，所述凹槽贯穿部分厚度的待减薄晶圆；对所述凹槽的表面进行化学刻蚀，以降低形成所述凹槽时所造成的减薄缺陷和减薄应力问题；将待减薄晶圆和临时键合载体进行解键合。采用本发明专利技术的方法，在形成凸起的环状结构之前，形成了防粘层，可有效阻挡化学刻蚀工艺所用的刻蚀液与环状结构表面的物质接触，从而避免刻蚀液造成的环状结构表面的粗糙度的增大，减小在解键合过程中发生破片的风险。

A Manufacturing Method of Semiconductor Devices

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制造方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。
技术介绍
随着科技的发展，电子产品的功能不断增强，而尺寸不断减小。在半导体器件的制造领域，半导体器件的尺寸不断减小，电子芯片的尺寸不断减小。为此，在半导体器件制造过程中，在晶圆的功能面上形成众多半导体器件之后，进行晶圆背面研磨工艺(BackGrinding，简称BG)，采用平坦化工艺研磨晶圆与功能面对应的背面去除部分厚度的晶圆，以减小后续形成的芯片厚度。IGBT(Insu1atedGateBipo1arTransistor，绝缘栅双极型晶体管)是一种常见的功率型器件，理想的IGBT具有高击穿电压、低导通压降、关断时间短、抗短路时间长等优点。在IGBT器件的制造过程中，进行背面工艺时晶圆通常已经减薄到200um以下。针对这种超薄晶圆，通常采用临时键合、解键合工艺以及Taiko研磨工艺来对其进行减薄，其中Taiko研磨工艺是仅研磨晶圆中心部分，而在晶圆边缘留3mm-5mm的区域不做研磨，从而在晶圆边缘形成一个凸起的环状结构，从而薄晶圆可以在后续的传送、制造和搬运中避免发生形变和破裂。按照目前的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待减薄晶圆和临时键合载体，并将所述待减薄晶圆的正面和所述临时键合载体进行临时键合；在所述待减薄晶圆的背面形成防粘层；在所述防粘层的表面形成凹槽从而在所述凹槽的外围形成凸起的环状结构，所述凹槽贯穿部分厚度的待减薄晶圆；对所述凹槽的表面进行化学刻蚀，以降低形成所述凹槽时所造成的减薄缺陷和减薄应力问题；将所述待减薄晶圆和所述临时键合载体进行解键合。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：提供待减薄晶圆和临时键合载体，并将所述待减薄晶圆的正面和所述临时键合载体进行临时键合；在所述待减薄晶圆的背面形成防粘层；在所述防粘层的表面形成凹槽从而在所述凹槽的外围形成凸起的环状结构，所述凹槽贯穿部分厚度的待减薄晶圆；对所述凹槽的表面进行化学刻蚀，以降低形成所述凹槽时所造成的减薄缺陷和减薄应力问题；将所述待减薄晶圆和所述临时键合载体进行解键合。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述防粘层包括单分子材料层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述防粘层的形成方法包括涂覆工艺。4.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：付俊，施林波，陈福成，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31