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本发明提供一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供待减薄晶圆和临时键合载体,并将待减薄晶圆的正面和临时键合载体临时键合;在待减薄晶圆的背面形成防粘层;在所述防粘层的表面形成凹槽从而在所述凹槽的外围形成凸起的环状结构,所述凹槽贯穿部分厚度...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。