半导体器件接触孔开路检测结构及开路检测方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件接触孔开路检测结构，在所述半导体器件多晶硅栅两侧设置公共接触孔，所述公共接触孔自器件顶端连接硅衬底。本发明专利技术还提供了一种半导体器件接触孔开路检测方法。本发明专利技术在半导体器件/半导体器件阵列多晶硅栅两侧设计公共接触孔，在电子束检测仪扫描时电子束流过接触孔然后通过公共接触孔流到硅衬底，连接正常接触孔显示为明域，连接开路接触孔显示为暗域。本发明专利技术可以通过电子束检测仪准确定位接触孔开路位置。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件接触孔开路检测结构及开路检测方法
本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种半导体器件接触孔开路检测结构。本专利技术还涉及一种半导体器件接触孔开路检测方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展，半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的数据存储量以及更多的功能，晶片朝向更高的元件密度、高集成度方向发展。集成电路的制造向超大规模集成电路发展，其内部的电路密度越来越大，随着芯片中所含元件数量的不断增加，实际上就减少了表面连线的可用空间。这一问题的解决方法是采用多层金属导线设计，利用多层绝缘层和导电层相互叠加的多层连接，这其中就需要制作大量的接触孔。比如，现有的MOS晶体管工艺中，需要在有源区(源极和漏极)以及栅极(包括多晶硅栅极、金属栅极等)上形成接触孔。在90nm之前的技术节点，在CMOS产品的接触孔刻蚀(ContactEtch)之后，都会转入去胶机台(Asher)进行去胶(Ash)，然后进入湿法清洗机台进行去胶后清洗(WetClean)。接触孔刻蚀的步骤也相对简单，将表面上有SiN阻挡层和层间介质层的衬底送入刻蚀机后，一般只包含光刻胶旋涂(主要是底部抗反射涂层/电介质抗反本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：在所述半导体器件多晶硅栅两侧设置公共接触孔，所述公共接触孔自器件顶端连接硅衬底。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：在所述半导体器件多晶硅栅两侧设置公共接触孔，所述公共接触孔自器件顶端连接硅衬底。2.如权利要求1所述半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：在所述半导体器件形成器件阵列时，在所述半导体器件阵列多晶硅栅两侧设置公共接触孔。3.如权利要求1所述半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：所述公共接触孔的位置是在版图规划时根据设计规则确定的。4.如权利要求1所述半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：所述公共接触孔采用光刻和蚀刻方法制造。5.如权利要求1所述半导体器件接触孔开路检测结构，其特征在于：在半导体器件的层间介质(ILD)化学机械研磨(CMP)制程后，接触孔刻蚀同时刻蚀所述公共接触孔。6.如权利要求1所述半导体器件接触孔开路检测结构，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯俊伟，景旭斌，张亮，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31