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本发明公开了一种半导体器件接触孔开路检测结构，在所述半导体器件多晶硅栅两侧设置公共接触孔，所述公共接触孔自器件顶端连接硅衬底。本发明还提供了一种半导体器件接触孔开路检测方法。本发明在半导体器件/半导体器件阵列多晶硅栅两侧设计公共接触孔，在电...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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