耗尽型MOSFET器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种耗尽型MOSFET器件，包括：第一导电类型重掺杂衬底，以及在第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型轻掺杂外延层，衬底和外延层构成形成半导体基板；半导体基板上包括有源区、栅极引出区和终端保护区；有源区位于半导体基板中央区域，栅极引出区位于有源区外侧，终端保护区位于有源区和栅极引出区外圈；在有源区内，第一导电类型轻掺杂外延层上部有第二导电类型轻掺杂体区和沟槽状的栅电极，栅电极两侧有第一导电类型耗尽层，栅电极顶部侧面设有第一导电类型源极；栅电极与第一导电类型源极、第一导电类型耗尽层、第二导电类型轻掺杂体)、外延层通过栅氧层电绝缘；本实用新型专利技术降低了成本。

【技术实现步骤摘要】
耗尽型MOSFET器件
本技术涉及半导体器件及其制造方法，尤其是一种耗尽型MOSFET器件。
技术介绍
MOSFET按导电方式可分两大类：耗尽型与增强型，当栅压为零时，导电沟道为开通状态，有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，导电沟道关闭，漏极电流也为零，必须在一定的栅压之后沟道道通才有漏极电流的称为增强型。平面型MOSFET由于结构原因，器件元胞密度低，无法像沟槽型MOSFET一样元胞高度集成，同比相同电流能力下芯片面积会较大；从工艺成本上看平面型MOSFET器件工艺步骤多，光刻次数多，晶圆生产成本相对高。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供一种耗尽型MOSFET器件，以及制造方法，使用沟槽栅的结构，通过带角度的离子注入工艺在有源区的栅极沟槽的两个侧壁形成耗尽层，工艺流程简化，使用光刻板层数减少，降低芯片生产成本。本技术采用的技术方案是：一种耗尽型MOSFET器件的制造方法，包括以下步骤：步骤(a)，提供第一导电类型重掺杂衬底，并在第一导电类型重掺杂衬底上形成第一导电类型轻掺杂外延层；形成半导体基板；步骤(b)，在半导体基板的第一导电类型轻掺杂外延层表面注入本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耗尽型MOSFET器件，包括：第一导电类型重掺杂衬底(1)，以及在第一导电类型重掺杂衬底(1)上形成的第一导电类型轻掺杂外延层(2)，衬底(1)和外延层(2)构成形成半导体基板；其特征在于，半导体基板上包括有源区(A)、栅极引出区(B)和终端保护区；有源区(A)位于半导体基板中央区域，栅极引出区(B)位于有源区(A)外侧，终端保护区位于有源区(A)和栅极引出区(B)外圈；在有源区(A)内，第一导电类型轻掺杂外延层(2)上部有第二导电类型轻掺杂体区(3)和沟槽状的栅电极(301′)，栅电极(301′)两侧有第一导电类型耗尽层（5），栅电极(301′)顶部侧面设有第一导电类型源极(7)；栅...

【技术特征摘要】
1.一种耗尽型MOSFET器件，包括：第一导电类型重掺杂衬底(1)，以及在第一导电类型重掺杂衬底(1)上形成的第一导电类型轻掺杂外延层(2)，衬底(1)和外延层(2)构成形成半导体基板；其特征在于，半导体基板上包括有源区(A)、栅极引出区(B)和终端保护区；有源区(A)位于半导体基板中央区域，栅极引出区(B)位于有源区(A)外侧，终端保护区位于有源区(A)和栅极引出区(B)外圈；在有源区(A)内，第一导电类型轻掺杂外延层(2)上部有第二导电类型轻掺杂体区(3)和沟槽状的栅电极(301′)，栅电极(301′)两侧有第一导电类型耗尽层（5），栅电极(301′)顶部侧面设有第一导电类型源极(7)；栅电极(301′)与第一导电类型源极(7)、第一导电类型耗尽层（5）、第二导电类型轻掺杂体区(3)、外延层(2)通过栅氧层电绝缘；在有源区(A)内，有源区(A)内的外延层(2)表面覆盖绝缘介质层(8)，第二导电类型轻掺杂体区(3)上方的绝缘介质层(8)中设有引线孔(9)，源极金属(11)淀积在绝缘介质层(8)表面和有源区(A)内引线孔中，与第二导电类型轻掺杂体区(3)和第一导电类型源极(7)连接；栅电极(301′)通过其顶部的绝缘介质层(8)与源极金属(11)隔离；在栅极引出区(B)内，第一导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，周永珍，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32