一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构制造技术

本实用新型专利技术属于半导体器件的制造技术领域，涉及一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构，半导体基板包括第一导电类型漂移层，在第一导电类型漂移层内的上部设有第二导电类型体区、沟槽及第一导电类型发射极，第二导电类型体区、第一导电类型发射极均与沟槽一侧邻接，在沟槽内设有被第一氧化层和第二氧化层一侧包裹的多晶硅栅极、位于第一氧化层外侧的半包围多晶硅栅极的半封闭式屏蔽栅，半封闭式屏蔽栅被第二氧化层包裹，第二氧化层紧贴沟槽内壁；本实用新型专利技术器件通过在多晶硅栅极外面设置有半包围的半封闭式屏蔽栅，能够有效消除器件在开启和关断时产生的横向感应电流，避免了栅极电压过冲的现象，减小了寄生电容，同时加快了开关速度，减小了开关损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构
本技术涉及一种功率半导体器件，尤其是一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构，属于半导体器件的制造

技术介绍
GBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，是集高频率、高耐压、低通态压降和简单的驱动电路为一体的新型电力半导体器件，广泛的应用于中高压领域。随着当今世界能源危机愈来紧迫以及环保意识的提高,节能高效、驱动简单的产品成为市场发展的新趋势。由于IGBT的各种突出优点,各国功率半导体器件厂商都在努力研发,希望进一步提高IGBT的耐压和通流能力以便应用在更高的电压领域。电子注入增强型栅极晶体管IEGT(InjectionEnhancementGateTransistor是由IGBT发展而来的，如图1所示，为现有IEGT器件单个元胞的剖视结构示意图，IEGT利用dummy区的设计，使大量的空穴在dummy区中堆积起来，为了达到电荷平衡，会引发发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构，包括有源区，所述有源区包括若干个相互并联的器件元胞单元，所述器件元胞单元包括半导体基板，在所述器件元胞单元截面方向上，所述半导体基板包括第一导电类型漂移层（3），在所述第一导电类型漂移层（3）内的上部设有第二导电类型体区（5）、沟槽（13）及位于第二导电类型体区（5）内上部的第一导电类型发射极（4），所述第二导电类型体区（5）、第一导电类型发射极（4）均与沟槽（13）一侧邻接，其特征在于，在所述沟槽（13）内设有被第一氧化层（7）和第二氧化层（11）一侧包裹的多晶硅栅极（6）、位于第一氧化层（7）外侧的半包围多晶硅栅极（6）的半封闭式屏蔽栅（10），所述...

【技术特征摘要】
1.一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构，包括有源区，所述有源区包括若干个相互并联的器件元胞单元，所述器件元胞单元包括半导体基板，在所述器件元胞单元截面方向上，所述半导体基板包括第一导电类型漂移层（3），在所述第一导电类型漂移层（3）内的上部设有第二导电类型体区（5）、沟槽（13）及位于第二导电类型体区（5）内上部的第一导电类型发射极（4），所述第二导电类型体区（5）、第一导电类型发射极（4）均与沟槽（13）一侧邻接，其特征在于，在所述沟槽（13）内设有被第一氧化层（7）和第二氧化层（11）一侧包裹的多晶硅栅极（6）、位于第一氧化层（7）外侧的半包围多晶硅栅极（6）的半封闭式屏蔽栅（10），所述半封闭式屏蔽栅（10）被第二氧化层（11）包裹，所述第二氧化层（11）紧贴沟槽（13）内壁。2.根据权利要求1所述的一种半封闭式屏蔽栅IEGT器件结构，其特征在于，所述半封闭式屏蔽栅（10）分布在多晶硅栅极（6）远离第一导电类型发射极（4）的一侧及其下方，且所述多晶硅栅极（6）远离第一导电类型发射极（4）的一侧与第一导电类型漂移层（3）间依次通过第一氧化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，叶鹏，华凌飞，
申请(专利权)人：无锡新洁能股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32