一种3D NAND存储器制造技术

本申请公开了一种3D NAND存储器，该3D NAND存储器的堆叠结构设置有沟道孔，所述沟道孔的内壁上形成有存储器层和覆盖于所述存储器层之上的第一沟道层，其中，所述第一沟道层的底部设置有第一开口，所述存储器层的底部设置有第二开口，其中，第二开口是在干法刻蚀形成第一开口之后，通过湿法腐蚀工艺或气体刻蚀工艺形成的。因湿法腐蚀工艺和气体刻蚀工艺均具有各向同性的特点，因此，第二开口的口径大于第一开口的口径，如此，该开口较大的第二开口有利于后续沉积的第二沟道层与沟道孔底部的外延结构的连接，进而有利于提高3D NAND存储器的性能。

A 3D NAND Memory

【技术实现步骤摘要】
一种3DNAND存储器
本申请涉及半导体制造
，尤其涉及一种3DNAND存储器。
技术介绍
3DNAND存储器是一种拥有三维堆叠结构的闪存器件，其存储核心区是由交替堆叠的金属栅层和绝缘层结合垂直沟道孔组成。相同面积条件下，垂直堆叠的金属栅层越多，意味着闪存器件的存储密度越大、容量越大。目前常见的存储结构的字线堆叠层数可达数十上百层。在3DNAND存储器的制造过程中，需要去除掉形成于沟道孔底部的部分存储器层。现有去除沟道孔底部的部分存储器层的方法一般是通过干法刻蚀工艺实现。然而，由于干法刻蚀工艺的各向异性的特点，等离子体只能沿着沟道孔竖直方向向下进行刻蚀，又由于在3DNAND存储器中，沟道孔的深度较深，导致刻蚀的沟道孔底部的关键尺寸较小，如此，导致后续形成的沟道层与沟道孔底部的外延结构的连接性较差，从而影响3DNAND存储器的性能。此外，当3DNAND存储器为多个子堆叠结构形成的整体结构时，等离子体还会破坏堆叠结构的临近子堆叠结构的对接位置处的薄膜，降低3DNAND存储器的性能。
技术实现思路
有鉴于此，本申请提供了一种3DNAND存储器，以解决上述技术问题。为了解决上述技术问题，本申请本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种3D NAND存储器，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构设置有沟道孔，所述沟道孔的内壁上形成有存储器层和覆盖于所述存储器层之上的第一沟道层，其中，所述第一沟道层的底部设置有第一开口，所述存储器层的底部设置有第二开口，所述第一开口和第二开口连通，且所述第一开口的口径小于所述第二开口的口径；覆盖于所述第一沟道层、第一开口以及第二开口的侧壁和底部的第二沟道层。

【技术特征摘要】
1.一种3DNAND存储器，其特征在于，包括：衬底，位于所述衬底上的堆叠结构，所述堆叠结构设置有沟道孔，所述沟道孔的内壁上形成有存储器层和覆盖于所述存储器层之上的第一沟道层，其中，所述第一沟道层的底部设置有第一开口，所述存储器层的底部设置有第二开口，所述第一开口和第二开口连通，且所述第一开口的口径小于所述第二开口的口径；覆盖于所述第一沟道层、第一开口以及第二开口的侧壁和底部的第二沟道层。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述沟道孔的底部形成有由衬底外延生长的外延结构，所述外延结构位于所述存储器层、第一沟道层和第二沟道层的下方，所述第二沟道层与所述外延结构接触连接。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器层包括沿所述沟道孔的径向向内的方向依次层叠的电荷阻挡层、存储层和电荷遂穿层。4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述存储层为电荷存储层或电荷捕获层。5.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨永刚，苏界，王二伟，夏余平，宋冬门，孙文斌，蒋阳波，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42