The invention proposes a method for measuring the thermal resistance of multi-chip hybrid power operational amplifier crusts. Firstly, the heating pin and the thermal diode of the multi-chip hybrid power operational amplifier to be tested are determined; the heating current of the first chip in N chips makes the multi-chip devices heat to the thermal equilibrium state, and then the test current is connected to all chips separately; at this time, the thermal resistance of the first shell of all chips is measured, and the thermal resistance of the first chip is measured. Repeat the previous step N times, I is an integer from 1 to N. According to the measured thermal resistance RiN of all the crusts and the power Q1 QN of the I mentioned, determine the temperature change of N times of multi-chip devices caused by the measurement of thermal resistance of the crusts T1 TN; and all the temperature changes T1 TN and the location of the multi-chip devices. Some of them apply power Q1-QN to determine the thermal resistance RN of multi-chip devices, and turn on the chip to test the current. The invention can provide a thermal resistance test method for integrated circuit products, especially for integrated circuit products encapsulated by multi-chip.
【技术实现步骤摘要】
一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法
本专利技术属于半导体器件封装与测试
,特别针对多芯片混合功率运放结壳热阻测试领域,特别涉及一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法。
技术介绍
半导体集成电路的热阻测试采用在芯片上设计专门的热阻测试模块来完成,其原理是在芯片上设计包含加热单元模块和和温度敏感测量单元模块,在加热单元模块上施加额定的功率,使整个芯片发热产生热源,然后对温度敏感单元电压与温度的关系进行测量,最后利用公式计算出结壳热阻,该方法需要制作专门的热阻测试单元。但此种方法使用热阻测试芯片进行热阻测试时,需要单独进行设计、流片和封装,这严重影响了测试的效率,并且不能对集成电路热阻特性进行百分之百的筛选。目前,针对二极管和三极管有较好的解决方法和成熟设备,能够准确测试二极管和三极管的结壳热阻,但是,对于集成电路产品,特别是针对多芯片封装的集成电路产品,没有相关的热阻测试设备。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供的一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法,为了解决上述技术问题,本专利技术所采用的技术解决方案是:提出一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法,首先确定待测多芯片混合功率运放加热管脚以及热敏二极管;对N个芯片中的第i个芯片通加热电流使多芯片器件发热至热平衡状态,再分别对所有芯片接通测试电流;测得此时所有芯片各自的第i结壳热阻,其用Ri1-RiN表示,相应地给多芯片器件施加第i功率Qi;重复前一个步骤步骤N次,i为从1取到N的整数;根据测得的所有结壳热阻RiN和所述的i个施加功率Q1-QN,确定因测定结壳热阻而引起的N次多芯片器件的温 ...
【技术保护点】
1.一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法,其特征在于,首先确定待测多芯片混合功率运放加热管脚以及热敏二极管;对N个芯片中的第i个芯片通加热电流使多芯片器件发热至热平衡状态,再分别对所有芯片接通测试电流;测得此时所有芯片各自的第i结壳热阻,其用Ri1‑RiN表示,相应地给多芯片器件施加第i功率Qi;重复前一个步骤步骤N次,i为从1取到N的整数;根据测得的所有结壳热阻RiN和所述的i个施加功率Q1‑QN,确定因测定结壳热阻而引起的N次多芯片器件的温度变化ΔT1‑ΔTN;根据所确定的所有的温度变化ΔT1‑ΔTN和所有的施加功率Q1~QN,确定多芯片器件的结壳热阻RN;对芯片接通测试电流。
【技术特征摘要】
1.一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法,其特征在于,首先确定待测多芯片混合功率运放加热管脚以及热敏二极管;对N个芯片中的第i个芯片通加热电流使多芯片器件发热至热平衡状态,再分别对所有芯片接通测试电流;测得此时所有芯片各自的第i结壳热阻,其用Ri1-RiN表示,相应地给多芯片器件施加第i功率Qi;重复前一个步骤步骤N次,i为从1取到N的整数;根据测得的所有结壳热阻RiN和所述的i个施加功率Q1-QN,确定因测定结壳热阻而引起的N次多芯片器件的温度变化ΔT1-ΔTN;根据所确定的所有的温度变化ΔT1-ΔTN和所有的施加功率Q1~QN,确定多芯片器件的结壳热阻RN;对芯片接通测试电流。2.根据权利要求1所诉的一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法,其特征在于,多芯片器件的结壳热阻RN由公式(1)确定RN=(ΔT1+ΔT2+···+ΔTN)/(N(Q1+Q2+···+QN))(1)。3.根据权利要求2所诉的一种多芯片混合功率运放结壳热阻测试方法,其特征在于,ΔT1-ΔTN根据以下矩阵确定,4.根据权利要求1所诉的一种多芯片混合功率运...
【专利技术属性】
技术研发人员:陆定红,
申请(专利权)人:贵州航天计量测试技术研究所,
类型:发明
国别省市:贵州,52
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