【技术实现步骤摘要】
一种有机薄膜晶体管及其制备方法
本专利技术涉及有机电子和光电子
，具体而言，涉及一种有机薄膜晶体管及其制备方法。
技术介绍
现有技术中，有机薄膜晶体管的制备方法通常是在基板上形成有机平坦层，再在有机平坦层上沉积金属或金属合金，形成电极层，可以是栅极层，或者形成源极层与漏极层。专利技术人发现，上述方法至少存在如下问题：平坦层通常需要高能量紫外固化以及高温、长时间热固化，才能得到高度交联的绝缘薄膜。制作工艺复杂，提高了生产成本，降低了器件基板制造效率。在平坦层上沉积金属或金属合金时，通常需要磁控溅射工艺，然而高电压的等离子体轰击在一定程度上会损伤平坦层表面。在电极层制作过程中，通常需要蚀刻工艺刻蚀金属或金属合金形成图案化的电极层，然而酸液蚀刻剂在刻蚀金属或金属合金的同时会一定程度上刻蚀平坦层。在去除光刻胶工艺过程中，为尽可能地去除沟道中残留的光刻胶，实现高质量的电极层制作，通常需要多重工序曝光和显影工艺，然而过多的显影液冲洗也会一定程度上损伤平坦层表面。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，不需要设置平坦层，直接用导电墨水使平坦层和...
【技术保护点】
1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、含有源极和漏极的源漏极层、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极层；所述基板的一表面为所述源漏极层，所述源漏极层的背离所述基板的表面为有机半导体层，所述有机半导体层的背离所述源漏极层的表面为栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的背离所述有机半导体层的表面为所述栅极层；其中，所述源漏极层由导电墨水制成。
【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、含有源极和漏极的源漏极层、有机半导体层、栅极绝缘层和栅极层；所述基板的一表面为所述源漏极层，所述源漏极层的背离所述基板的表面为有机半导体层，所述有机半导体层的背离所述源漏极层的表面为栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的背离所述有机半导体层的表面为所述栅极层；其中，所述源漏极层由导电墨水制成。2.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述导电墨水为碳系导电墨水。3.根据权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏极层的厚度为0.3－3000nm；可选地，所述源漏极层的厚度为0.5－2000nm；可选地，所述源漏极层的厚度为0.8－1000nm。4.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包括基板、栅极层、栅极绝缘层、有机半导体层以及含有源极和漏极的源漏极层；所述基板的一表面为所述栅极层，所述栅极层背离所述基板的表面为所述栅极绝缘层，所述栅极绝缘层的背离所述栅极层的表面为所述有机半导体层，所述有机半导体层的背离所述栅极绝缘层的表面为所述源漏极层；其中，所述栅极层由导电墨水制成。5.一种有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板的一表面涂布导电墨水，固化所述导电墨水形成电极层，对所述电极层进行曝光、显影和热处理得到源漏极层；在所述源漏极层的背离所述基...
【专利技术属性】
技术研发人员：卢珂鑫，张燕红，李伟伟，谷文翠，刘兆平，
申请(专利权)人：宁波石墨烯创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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