【技术实现步骤摘要】
有机薄膜晶体管与显示装置
本专利技术是关于一种有机薄膜晶体管及一种具有有机薄膜晶体管的显示装置。
技术介绍
现今有机薄膜晶体管技术中，有机绝缘层材料的介电常数(Dielectricconstant)不足，但为了达到理想的充电目标，须将有机薄膜晶体管的元件尺寸设计得较大，导致有机薄膜晶体管的技术在产品的应用上和设计上有一定的难度，且在高解析度的产品上尤其明显。有机薄膜晶体管包含单栅极结构与双栅极结构两种形式。具有单栅极结构的有机薄膜晶体管的稳定性较差。然而在制造方面，相较于单栅极结构，双栅极结构的有机薄膜晶体管其工艺需采用多道黄光工艺与接触窗(Contacthole)的蚀刻工艺，工艺复杂度高且工站时间(Tacttime)较长。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种可以增加电容、降低寄生电容，进而提高像素区的显示面积，又能减少开发和生产的复杂程度及工站时间的有机薄膜晶体管与显示装置。本专利技术的一方面是提供一种有机薄膜晶体管。根据本专利技术一实施方式，一种有机薄膜晶体管包含漏极、半导体层、源极、栅极绝缘层与栅极。漏极具有邻接的顶面与端面。半导体层具有邻接的水平部与直...
【技术保护点】
1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包含：漏极，具有邻接的顶面与端面；半导体层，具有邻接的水平部与直立部，所述水平部与所述直立部分别位于所述漏极的所述顶面与所述端面上，且所述漏极往远离所述半导体层的所述直立部的第一方向凸出所述半导体层的所述水平部；源极，沿所述半导体层背对所述漏极的表面设置，所述源极具有延伸部，且所述延伸部往与所述第一方向相反的第二方向延伸，其中所述漏极、所述半导体层与所述源极定义出堆叠结构，所述堆叠结构具有上表面与相对的两个侧面；栅极绝缘层，覆盖所述堆叠结构，且至少一部分的所述栅极绝缘层沿所述堆叠结构的所述上表面与所述两个侧面设置；以及栅极，位于所述栅极绝...
【技术特征摘要】
1.一种有机薄膜晶体管，其特征在于，包含：漏极，具有邻接的顶面与端面；半导体层，具有邻接的水平部与直立部，所述水平部与所述直立部分别位于所述漏极的所述顶面与所述端面上，且所述漏极往远离所述半导体层的所述直立部的第一方向凸出所述半导体层的所述水平部；源极，沿所述半导体层背对所述漏极的表面设置，所述源极具有延伸部，且所述延伸部往与所述第一方向相反的第二方向延伸，其中所述漏极、所述半导体层与所述源极定义出堆叠结构，所述堆叠结构具有上表面与相对的两个侧面；栅极绝缘层，覆盖所述堆叠结构，且至少一部分的所述栅极绝缘层沿所述堆叠结构的所述上表面与所述两个侧面设置；以及栅极，位于所述栅极绝缘层上，使得一部分的所述栅极绝缘层位于所述堆叠结构与所述栅极之间。2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的剖面形状为L形。3.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述源极具有依序连接的第一部分、第二部分与所述延伸部，所述第一部分位于所述半导体层的所述水平部上，所述第二部分位于所述半导体层的所述直立部上。4.如权利要求3所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的所述水平部具有端面，且与所述源极的所述第一部分具有的端面共平面。5.如权利要求3所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层具有顶部与相对的两个侧壁，所述栅极绝缘层的所述顶部位于所述栅极与所述源极的所述第一部分之间，所述堆叠结构位于所述栅极绝缘层的所述两个侧壁之间。6.如权利要求3所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述源极的所述第一部分与所述漏极至少部分重叠。7.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述源极的剖面形状为阶梯状。8.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层的剖面形状为U形。9.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体层的所述水平部具有背对所述直立部的端面，所述半导体层的所述水平部的厚度小于所述水平部的所述端面与所述直立部之间的距离。10.如权利要求11所述的有机薄膜晶体管，...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈柏炜，唐文忠，许毓麟，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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