电子组件封装体制造技术

本发明专利技术提供一种电子组件封装体，包括承载板、电子组件、第一绝缘层以及阻隔层。承载板包括中心区、内边缘区以及外边缘区，其中内边缘区位于中心区与外边缘区之间。电子组件配置于承载板上且位于中心区。第一绝缘层配置于承载板上并重叠于电子组件，且第一绝缘层由中心区延伸至内边缘区。阻隔层设置于承载板上，且阻隔层露出中央区，其中阻隔层包括侧壁接触部以及延伸部。侧壁接触部围绕第一绝缘层的侧表面，且延伸部由侧壁接触部以远离第一绝缘层的方向延伸至外边缘区。本发明专利技术的电子组件封装体可降低电子组件受到从侧面来的水气而破坏的机率。

Electronic component package

The invention provides an electronic component package, which includes a bearing board, an electronic component, a first insulating layer, and a barrier layer. The bearing plate consists of the central area, the inner edge area and the outer edge area, and the inner edge is located between the central and the outer edge. The electronic components are arranged on the bearing board and located in the central area. The first insulating layer is arranged on the bearing plate and overlaps the electronic component, and the first insulating layer extends from the central area to the inner edge area. The barrier layer is arranged on the bearing plate, and the barrier layer exposed central area, wherein the barrier layer comprises a side wall contact part and the extending part. The side wall contact part is around the side surface of the first insulating layer, and the extension part extends from the side wall contact part to the outer edge area in the direction far away from the first insulating layer. The electronic component package of the invention can reduce the probability that the electronic component is damaged by the water gas from the side.

【技术实现步骤摘要】
电子组件封装体
本专利技术涉及一种封装体，尤其涉及一种电子组件封装体。
技术介绍
随着电子产品中电子组件的设计日趋精密，一些电子组件对于水气较为敏感。以有机薄膜晶体管数组为例，水气的渗入容易造成有机薄膜晶体管的老化而无法正常运作。一般来说，有机薄膜晶体管数组是由依序堆叠的多个膜层构成。这些膜层有一部分可以由数组的中央连续地延伸至边缘。水气及氧气可能通过延伸到边缘的膜层的侧边渗入至内部，从而加速有机薄膜晶体管的老化，这将造成电子产品寿命的减短，以致无法符合市场的需求。
技术实现思路
本专利技术提供一种电子组件封装体，可降低电子组件受到从侧面来的水气而破坏的机率。本专利技术是针对一种电子组件封装体，电子组件封装体包括承载板、电子组件、第一绝缘层以及阻隔层。承载板包括中心区、内边缘区以及外边缘区，其中内边缘区位于中心区与外边缘区之间。电子组件配置于承载板上且位于中心区。第一绝缘层配置于承载板上并重叠于电子组件，且第一绝缘层由中心区延伸至内边缘区。阻隔层设置于承载板上，且阻隔层露出中央区，其中阻隔层包括侧壁接触部以及延伸部。侧壁接触部围绕第一绝缘层的侧表面，且延伸部由侧壁接触部以远离第一绝缘层的方向延伸至外边缘区。根据本专利技术的一实施例中，上述的阻隔层还包括覆盖部，其由侧壁接触部以远离延伸部的方向延伸而覆盖于第一绝缘层上方，且覆盖部暴露出中心区。根据本专利技术的一实施例中，上述的电子组件包括有机薄膜晶体管，其中有机薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及有机半导体有源层。栅极的面积重叠于有机半导体有源层的面积。第一绝缘层位于栅极与有机半导体有源层之间。源极与漏极连接有机半导体有源层。根据本专利技术的一实施例中，上述的侧壁接触部覆盖第一绝缘层的侧表面。根据本专利技术的一实施例中，上述的电子组件封装体还包括第二绝缘层，第一绝缘层配置于第二绝缘层与承载板之间。根据本专利技术的一实施例中，上述的第二绝缘层的面积超出第一绝缘层的侧表面而具有一侧壁部分，侧壁部分位于第一绝缘层的侧表面与侧壁接触部之间。根据本专利技术的一实施例中，上述的电子组件封装体还包括侧壁阻挡结构，设置在内边缘区中，且贯穿第一绝缘层并构成挡墙状。根据本专利技术的一实施例中，上述的侧壁阻挡结构包括在垂直该承载板的方向上堆叠的多个子阻挡结构。子阻挡结构的材质包括金属。根据本专利技术的一实施例中，上述的阻隔层的延伸部在远离承载板的上侧具有凹凸表面。其中凹凸表面为锯齿状、微杯状、阶梯状或以上任选一种以上的组合。根据本专利技术的一实施例中，上述的阻隔层的材料为氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或多层氮化硅/氧化硅(SiNx/SiOx)薄膜。根据本专利技术的一实施例中，上述的电子组件封装体还包括有机缓冲层、底阻隔层、显示介质层以及保护层。有机缓冲层配置于电子组件与承载板之间。底阻隔层配置于有机缓冲层与承载板之间。显示介质层配置于电子组件上，其中显示介质层与电子组件电性相连接并用以显示影像。保护层配置于显示介质层上。根据本专利技术的一实施例中，上述的阻隔层的延伸部接触底阻隔层。根据本专利技术的一实施例中，上述的阻隔层的侧壁接触部覆盖有机缓冲层的侧表面。本专利技术是针对另一种电子组件封装体，电子组件封装体包括承载板、电子组件、多个绝缘层以及侧壁阻挡结构。承载板包括中心区以及边缘区。电子组件配置于承载板上并位于中心区。多个绝缘层配置于承载板上并重叠于电子组件，其中多个绝缘层分别由中心区延伸至边缘区中。侧壁阻挡结构设置在边缘区中，其中侧壁阻挡结构贯穿多个绝缘层并构成挡墙状。根据本专利技术的一实施例中，上述的侧壁阻挡结构包括在垂直承载板的方向上堆叠的多个子阻挡结构。根据本专利技术的一实施例中，上述多个子阻挡结构的其中一者电性连接电子组件。各子阻挡结构的材质包括金属。根据本专利技术的一实施例中，上述的侧壁阻挡结构电性浮置。根据本专利技术的一实施例中，上述的电子组件包括有机薄膜晶体管。多个绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层。有机薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及有机半导体有源层。栅极的面积重叠于有机半导体有源层的面积。第一绝缘层位于栅极与有机半导体有源层之间。源极与漏极连接有机半导体有源层，且第一绝缘层配置于第二绝缘层与承载板之间。根据本专利技术的一实施例中，上述的电子组件封装体还包括有机缓冲层、底阻隔层、显示介质层以及保护层。有机缓冲层设置于电子组件与承载板之间。底阻隔层设置于有机缓冲层与承载板之间。显示介质层设置于电子组件上，其中显示介质层与电子组件电性相连接并用以显示影像。保护层设置于显示介质层上。基于上述，本专利技术电子组件封装体中，阻挡结构在垂直于承载板所在平面上具有一定高度，而可在电子组件封装体的周围形成挡墙一般的结构。如此一来，可降低电子组件封装体中电子组件受到从侧面来的水气而破坏的机率。附图说明图1为本专利技术第一实施例的电子组件封装体的剖面示意图；图2为本专利技术第二实施例的电子组件封装体的剖面示意图；图3为本专利技术第三实施例的电子组件封装体的剖面示意图；图4为第三实施例的电子组件封装体10c的上视示意图；图5为本专利技术第四实施例的电子组件封装体的剖面示意图；图6为本专利技术第五实施例电子组件封装体的局部构件放大图；图7为本专利技术第六实施例电子组件封装体的局部构件放大图；图8为本专利技术第七实施例电子组件封装体的局部构件放大图；图9为本专利技术第八实施例电子组件封装体的局部构件放大图。附图标记：10a、10b、10c、10d、10e、10f、10g、10h：电子组件封装体；100：承载板；102A：软性基板；102B：支撑基板；104：底阻隔层；106：有机缓冲层；110：电子组件；112：有机薄膜晶体管；122：第一绝缘层；124：第二绝缘层；126：侧壁部分；130、130a～130d：阻隔层；132、132a～132c：侧壁接触部；134、134a～134c：延伸部；136：覆盖部；138a、138b、138c：凹凸表面；140、142、144：接口；150a、150b：侧壁阻挡结构；152a、152b、152c：子阻挡结构；AA：中心区；CG：封装板；CH：有机半导体有源层；D：漏极；EPL：显示介质层；G：栅极；IB：内边缘区；IN：绝缘层；M1：走线；M2：导电层；OB：外边缘区；PT：凸块；PV：保护层；S：源极；S1、S2、S3：侧表面；SE：框胶。具体实施方式现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同组件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。图1为本发第一实施例的电子组件封装体的剖面示意图。请参照图1，电子组件封装体10a包括承载板100、电子组件110、第一绝缘层122以及阻隔层130。承载板100包括中心区AA以及在中心区AA周边的边缘区。边缘区可以划分成内边缘区IB以及外边缘区OB。内边缘区IB位于中心区AA与外边缘区OB之间。在本实施例中，承载板100可为硬质基板，例如为玻璃基板或是其他具备良好机械强度的基板，但不以此为限。承载板100用以提供电子组件封装体10a合适的支撑。电子组件110设置于承载板100上且位于承载板100的中心区AA。第一绝缘层122配置于承载板100上并重叠于电子组件110，且第一绝缘层122由承载板100的中心区AA延伸至内边缘区IB。阻隔层130设置于承载板100上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子组件封装体，其特征在于，包括：承载板，所述承载板包括中心区、内边缘区以及外边缘区，所述内边缘区位于所述中心区与所述外边缘区之间；电子组件，配置于所述承载板上且位于所述中心区；第一绝缘层，配置于所述承载板上，重叠于所述电子组件且所述第一绝缘层由所述中心区延伸至所述内边缘区；以及阻隔层，设置于所述承载板上，且所述阻隔层露出所述中央区，其中所述阻隔层包括侧壁接触部以及延伸部，所述侧壁接触部围绕所述第一绝缘层的侧表面，且所述延伸部由所述侧壁接触部以远离所述第一绝缘层的方向延伸至所述外边缘区。

【技术特征摘要】
1.一种电子组件封装体，其特征在于，包括：承载板，所述承载板包括中心区、内边缘区以及外边缘区，所述内边缘区位于所述中心区与所述外边缘区之间；电子组件，配置于所述承载板上且位于所述中心区；第一绝缘层，配置于所述承载板上，重叠于所述电子组件且所述第一绝缘层由所述中心区延伸至所述内边缘区；以及阻隔层，设置于所述承载板上，且所述阻隔层露出所述中央区，其中所述阻隔层包括侧壁接触部以及延伸部，所述侧壁接触部围绕所述第一绝缘层的侧表面，且所述延伸部由所述侧壁接触部以远离所述第一绝缘层的方向延伸至所述外边缘区。2.根据权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，所述阻隔层还包括覆盖部，所述覆盖部由所述侧壁接触部以远离所述延伸部的方向延伸而覆盖于所述第一绝缘层上方且所述覆盖部暴露出所述中心区。3.根据权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，所述电子组件包括一有机薄膜晶体管，其中所述有机薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极以及有机半导体有源层，所述栅极的面积重叠于所述有机半导体有源层的面积，所述第一绝缘层位于所述栅极与所述有机半导体有源层之间，所述源极与所述漏极连接所述有机半导体有源层。4.根据权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，所述侧壁接触部覆盖所述第一绝缘层的所述侧表面。5.根据权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，所述电子组件封装体还包括第二绝缘层，所述第一绝缘层配置于所述第二绝缘层与所述附加电路板之间。6.根据权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，所述第二绝缘层的面积超出所述第一绝缘层的所述侧表面而具有侧壁部分，所述侧壁部分位于所述第一绝缘层的所述侧表面与所述侧壁接触部之间。7.根据权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，所述电子组件封装体，还包括侧壁阻挡结构，设置在所述内边缘区中，且贯穿所述第一绝缘层并构成挡墙状。8.根据权利要求7所述的电子组件封装体，其特征在于，所述侧壁阻挡结构包括在垂直所述附加电路板的方向上堆叠的多个子阻挡结构。9.根据权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，各所述子阻挡结构的材质包括金属。10.根据权利要求1所述的电子组件封装体，其特征在于，所述阻隔层的所述延伸部在远离所述附加电路板的上侧形成凹凸表面。11.根据权利要求10所述的电子组件封装体，其特征在于，所述凹凸表面为锯齿状、微杯状、阶梯状或以上任选一种以上的组合。12.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张国彦，叶佳俊，郑国兴，吴幸怡，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71