芯片组件、封装结构及其成型方法技术

技术编号:21005791 阅读:60 留言:0更新日期:2019-04-30 21:57
本发明专利技术揭示了一种芯片组件、封装结构及其成型方法,芯片组件包括芯片及屏蔽层,芯片包括相对设置的芯片正面、芯片背面及设置于芯片正面及芯片背面之间的芯片侧面,芯片正面设有芯片连接端子,屏蔽层包括背面屏蔽层、侧面屏蔽层及正面屏蔽层,背面屏蔽层覆盖芯片背面,侧面屏蔽层覆盖芯片侧面,正面屏蔽层位于芯片正面且正面屏蔽层与芯片连接端子相互间隔分布。本发明专利技术的芯片正面、芯片背面及芯片侧面均设置有屏蔽层,可将电磁信号对芯片的干扰降至最低。

Chip Modules, Packaging Structures and Modeling Methods

【技术实现步骤摘要】
芯片组件、封装结构及其成型方法
本专利技术涉及封装
,尤其涉及一种芯片组件、封装结构及其成型方法。
技术介绍
芯片是一种把电路小型化的结构,芯片对外界电磁信号较为敏感,一般的,可以在芯片上设置屏蔽层以减小外界电磁信号的影响。芯片一般埋入至基板中而形成封装结构,而芯片埋入主要分为基板级及芯片级。以基板级埋入来看,一般是将芯片直接埋入到基板的绝缘介质层中,在绝缘介质层上下两面上形成线路,芯片的正面连通到其中一层线路。线路的一种设计方式是:两层线路包含多种功能作用的线路,如信号线、输入输出线、接地线等,其中,部分功能线路对芯片工作运行存在一定干扰和影响,进而影响产品的功能表现。线路的另一种设计方式是:绝缘介质层上下两面上的线路均改为接地线,接地线的四周通过通孔连接,这样设计可以将线路对芯片的干扰降至最低,但是会增加基板层数和尺寸,进而增加产品成本。可以看到,以上两种线路设计方式均未考虑基板自身线路产生的电磁信号、产品内部芯片产生的电磁信号对埋入芯片的影响。从芯片级埋入来看,业界主要采用芯片级制造工艺,通常将屏蔽层覆盖在芯片的背面和芯片的四个侧面,为五个面的屏蔽层覆盖并接地,而芯片正面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片组件,其特征在于,包括芯片及屏蔽层,所述芯片包括相对设置的芯片正面、芯片背面及设置于所述芯片正面及所述芯片背面之间的芯片侧面,所述芯片正面设有芯片连接端子,所述屏蔽层包括背面屏蔽层、侧面屏蔽层及正面屏蔽层,所述背面屏蔽层覆盖所述芯片背面,所述侧面屏蔽层覆盖所述芯片侧面,所述正面屏蔽层位于所述芯片正面且所述正面屏蔽层与所述芯片连接端子相互间隔分布。

【技术特征摘要】
1.一种芯片组件,其特征在于,包括芯片及屏蔽层,所述芯片包括相对设置的芯片正面、芯片背面及设置于所述芯片正面及所述芯片背面之间的芯片侧面,所述芯片正面设有芯片连接端子,所述屏蔽层包括背面屏蔽层、侧面屏蔽层及正面屏蔽层,所述背面屏蔽层覆盖所述芯片背面,所述侧面屏蔽层覆盖所述芯片侧面,所述正面屏蔽层位于所述芯片正面且所述正面屏蔽层与所述芯片连接端子相互间隔分布。2.根据权利要求1所述的芯片组件,其特征在于,所述背面屏蔽层、所述侧面屏蔽层及所述正面屏蔽层相互连接。3.一种封装结构,其特征在于,包括基板及如权利要求1或2所述的芯片组件,所述基板设有接地线,所述屏蔽层连接所述接地线。4.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述基板包括容纳所述芯片组件的容纳腔,所述屏蔽层与所述接地线之间通过通孔导通。5.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,对应芯片正面边缘区域的正面屏蔽层与所述接地线相互导通。6.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述屏蔽层还包括连接所述正面屏蔽层和/或所述侧面屏蔽层的延伸屏蔽层,所述延伸屏蔽层朝向所述芯片的外侧延伸,且所述延伸屏蔽层与所述接地线相互导通。7.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述芯片组件还包括至少一元器件及预包封层,所述预包封层至少包覆所述元器件,且所述屏蔽层位于所述预包封层远离所述元器件或所述芯片的一侧。8.根据权利要求3所述的封装结构,其特征在于,所述背面屏蔽层暴露出所述封装结构。9.根据权利要求8所述的封装结构,其特征在于,所述背面屏蔽层远离所述芯片的一侧设有散热层。10.一种芯片组件的成型方法,其特征在于,包括步骤:提供一芯片,所述芯片包括相对设置的芯片正面、芯片背面及设置于所述芯片正面及所述芯片背面之间的芯片侧面,所述芯片正面设有芯片连接端子;提供屏蔽层,所述屏蔽层包括背面屏蔽层、侧面屏蔽层及正面屏蔽层,所述背面屏蔽层覆盖所述芯片背面,所述侧面屏蔽层覆盖所述芯片侧面,所述正面屏蔽层位于所述芯片正面且所述正面屏蔽层与所述芯片连接端子相互间隔分布。11.一种封装结构的成型方法,其特征在于,包括步骤:提供一承载板,所述承载板具有承载面;提供一芯片,所述芯片包括相对设置的芯片正面、芯片背面及设置于所述芯片正面及所述芯片背面之间的芯片侧面,所述芯片正面设有芯片连接端子;将芯片置于承载板上,且所述芯片正面面对所述承载面;形成第一屏蔽层,所述第一屏蔽层覆盖所述芯片背面...

【专利技术属性】
技术研发人员:周青云沈锦新周海锋吴昊平张江华
申请(专利权)人:江苏长电科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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