【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件和半导体器件的制造方法、电子装置
本专利技术涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种半导体器件和半导体器件的制造方法、电子装置。
技术介绍
半导体芯片的封装通过在芯片上形成电路导通的焊盘将芯片连接到芯片封装的外部原件。目前，半导体领域多采用引线键合将与顶部金属层相连接的焊盘与外部电路导通。在引线键合工艺中，通常采用位于顶部金属层底部的通孔阵列将顶部金属层与次顶部金属层相连，一方面顶部金属层与下部的互连层进行电连接，另一方面用以固定焊盘。然而，在引线键合工艺过程中，焊盘在引线拉力的作用下，位于顶部金属层和次顶部金属层之间的通孔阵列与所述次顶部金属层之间的连接点处往往发生断裂，造成焊盘和顶层金属的变形或脱落。为此，本专利技术提供了一种半导体器件和半导体器件的制造方法，用以解决现有技术中的问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术提供了一种半导...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的次顶部金属层和顶部金属层；位于所述次顶部金属层和顶部金属层之间的层间介质层，所述层间介质层中形成有导电通孔，用以电连接所述次顶部金属层和顶部金属层；位于所述顶部金属层之上的焊盘；以及覆盖所述焊盘的钝化层，所述钝化层具有露出部分所述焊盘的开口；其中，所述导电通孔形成在所述开口垂直下方以外的区域。
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的次顶部金属层和顶部金属层；位于所述次顶部金属层和顶部金属层之间的层间介质层，所述层间介质层中形成有导电通孔，用以电连接所述次顶部金属层和顶部金属层；位于所述顶部金属层之上的焊盘；以及覆盖所述焊盘的钝化层，所述钝化层具有露出部分所述焊盘的开口；其中，所述导电通孔形成在所述开口垂直下方以外的区域。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述层间介质层为二氧化硅层。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述次顶部金属层和所述顶部金属层为板状结构。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述次顶部金属层和所述顶部金属层位于所述焊盘的垂直下方，所述开口在垂直方向上的投影位于所述顶部金属层和所述次顶部金属层上。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述导电通孔形成在所述开口的垂直投影区域的四周。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括位于所述钝化层与顶部金属层之间的另一钝化层，所述另一钝化层具有露出部分所述顶部金属层的另一开口，所述焊盘填充所述另一开口以及部分覆盖所述另一钝化层。7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成次顶部金属层；在所述半导体衬底上形成层间介质层...
【专利技术属性】
技术研发人员：齐伟华，张传宝，杜亚，王奇峰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31
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