【技术实现步骤摘要】
半导体装置设备及其形成方法
本专利技术涉及包含半导体装置的封装，例如经封装的半导体装置设备。
技术介绍
随着电子器件领域向更小的尺寸、更高的效率和更低的成本发展，在包含功率管理空间的各种空间中制造更小、更智能且更有效的产品非常需要集成技术。最高性能的装置(例如功率装置)通常被离散地制造，而不是集成在集成电路(IC)工艺中。生产此类离散装置的成本可为使用此类复杂工艺生产的装置的一小部分，因为离散装置中使用的掩模层一般是更复杂的IC工艺中使用的掩模层的数量的一小部分(例如，一半、三分之一)。许多已知方法已经使用例如引线框封装和铜夹片来实现集成，但此类封装的缺点是成本更高、热性能较差、电感更高、尺寸更大且集成度通常更低。因此，需要解决本技术的缺点并提供其它新颖且具创造性特征的系统、方法和设备。
技术实现思路
在一般方面中，一种设备可包含：封装，其包含共同栅极导体；第一半导体裸片，其具有裸片栅极导体；及第二半导体裸片，其具有裸片栅极导体。所述设备可包含：第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一半导体裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二...
【技术保护点】
1.一种半导体装置设备，其包括：封装，其包含：共同栅极导体，第一半导体裸片，其具有裸片栅极导体，及第二半导体裸片，其具有裸片栅极导体；及第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一半导体裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二半导体裸片的所述裸片栅极导体之间；所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。
【技术特征摘要】
2017.10.20 US 15/789,2541.一种半导体装置设备，其包括：封装，其包含：共同栅极导体，第一半导体裸片，其具有裸片栅极导体，及第二半导体裸片，其具有裸片栅极导体；及第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一半导体裸片的所述裸片栅极导体之间；及第二导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第二半导体裸片的所述裸片栅极导体之间；所述第一导电路径具有大体上等于所述第二导电路径的长度的长度。2.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片沿着相同平面对准且经电耦合到引线框，所述共同栅极导体包含在所述引线框中。3.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其中所述第一半导体裸片的所述裸片栅极导体相对于所述共同栅极导体定向，使得最小化所述第一导电路径的长度。4.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片沿着相同平面对准，所述第一半导体裸片具有平行于所述第二半导体裸片的边缘的边缘。5.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片沿着相同平面对准，所述第一半导体裸片具有不平行于且不垂直于所述第二半导体裸片的边缘的边缘。6.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其进一步包括：多个半导体裸片，其包含所述第一半导体裸片、所述第二半导体裸片和具有裸片栅极导体的第三半导体裸片，所述共同栅极导体居于所述多个半导体裸片的所述裸片栅极导体之间的中心。7.根据权利要求1所述的半导体装置设备，其中所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片沿着相同平面对准，所述半导体装置设备进一步包括：多个二极管，其沿着相同平面对准且沿着包含所述第一半导体裸片和所述第二半导体裸片的所述封装外侧的周边安置。8.根据权利要求1的半导体装置设备，其中所述封装为第一封装，所述半导体装置设备进一步包括，第二封装，其包含栅极...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·泰塞伊雷，M·C·埃斯塔西奥，林承园，
申请(专利权)人：半导体组件工业公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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