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本申请涉及半导体装置设备及其形成方法。在一般方面中，一种半导体装置设备可包含：封装，其包含共同栅极导体；第一碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体；及第二碳化硅裸片，其具有裸片栅极导体。所述设备可包含：第一导电路径，其在所述共同栅极导体与所述第一碳...
该专利属于半导体组件工业公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体组件工业公司授权不得商用。

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