一种原子层沉积装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种原子层沉积装置，包括安装台、加热腔室和气体过滤装置，在所述安装台设置有预热腔。本发明专利技术通过将载片舟及其托架结构设计为水平结构，能够使得放置在载片舟本体内凹槽内的硅片的背面不会被镀上Al2O3膜的工艺，且在后续丝网印刷的工艺过程中只需要使用普通的浆料即能达到较佳的效果，大大降低了生产成本；通过将硅片预先加热到较高温度有利于进入后续的加热腔室时硅片快速升温到预定温度，且有助于Al2O3成膜效果。

An Atomic Layer Deposition Device

【技术实现步骤摘要】
一种原子层沉积装置
本专利技术涉及原子层沉积设备
，特别涉及一种原子层沉积装置。
技术介绍
现有的用于生产太阳能电池片的原子层沉积(ALD)装置主要包括安装台、加热腔室和气体过滤装置，这种结构主要适用于硅片垂直放置在载片舟上，在加热腔室内硅片的正反两面均被镀上Al2O3膜，常规工艺中为了进一步提升电池片的转化效率，需要对镀膜后的硅片进行背钝化工艺，即使用浆料将硅片背面的Al2O3膜去除，采用此方法处理后的硅片在后续的丝网印刷步骤中需要特定的浆料进行处理，否则效率就很难提升，这就大大增加了生产成本，因此需要提供一种能够直接在硅片表面蒸镀单面Al2O3膜的载片舟。为了使Al2O3膜只在硅片表面蒸镀，需要将硅片水平放置在载片舟上，这就增大了载片舟的使用面积，而通常一次镀膜过程中需要往加热腔室内放入上百片硅片，也就意味着需要放入大量载片舟，且载片舟通常使用铝制，大量铝制的载片舟放入常规加热腔室内升温速度较慢，达到工艺温度需要的时间较长，且这种方式镀出的Al2O3膜不均匀，效果不佳。因此，需要提供一种适用于硅片单面镀Al2O3膜的原子层沉积装置。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种适用于硅片单面镀Al2O3膜的原子层沉积装置。为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种原子层沉积装置，包括安装台、加热腔室和气体过滤装置，在所述安装台进料端设置有预热腔。优选的，所述预热腔预热温度设置为180-220℃。优选的，所述安装台上设有用于放置载片舟的载舟板，所述载片舟包括载片舟本体，所述载片舟本体上端面设有若干内凹的凹槽，所述凹槽尺寸略大约硅片的尺寸，所述载片舟安装在托架结构上后放置在所述载舟板上。优选的，所述托架结构包括托架本体，所述托架本体包括左右设置的侧板，所述侧板相对的内侧设有卡槽。优选的，所述载片舟本体和托架本体为航空铝材、碳纤维材质或石墨材质。优选的，所述托架本体为垂直设置的三列，列与列之间共用一块所述侧板。采用上述技术方案，(1)通过将载片舟及其托架结构设计为水平结构，能够使得放置在载片舟本体内凹槽内的硅片的背面不会被镀上Al2O3膜，从而就不需要后续的背钝化工艺，且在后续丝网印刷的工艺过程中只需要使用普通的浆料即能达到较佳的效果，大大降低了生产成本；(2)通过将硅片预先加热到较高温度有利于进入后续的加热腔室时硅片快速升温到预定温度，且有助于Al2O3成膜效果。附图说明图1为本专利技术的结构示意图；图2为本专利技术的载舟板的结构示意图；图3为本专利技术的载片舟的主视图；图4为本专利技术的载片舟的左视图；图5为图4中A部分放大的结构示意图；图6为本专利技术的托架结构的结构示意图。图中，1-安装台，2-加热腔室，3-气体过滤装置，4-预热腔，5-载舟板，6-载片舟本体，7-托架本体，8-硅片。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互组合。如图1所示，一种原子层沉积装置，包括安装台1、加热腔室2和气体过滤装置3，为了使本专利技术的原子层沉积装置适用于硅片8的单层蒸镀，在所述安装台1进料端设置有预热腔4，优选的，所述预热腔4预热温度设置为180-220℃，通过将硅片8预先加热到较高温度有利于进入后续的加热腔室2时硅片8快速升温到预定温度，且有助于Al2O3成膜效果。如图1-6所示，所述安装台1上设有用于放置载片舟的载舟板5，所述载片舟包括载片舟本体6，优选的，所述载片舟本体6为航空铝材、碳纤维材质或石墨材质，使得能够保证有效的支撑力、质量轻且在高温下不会发生变形等情况，优选的，所述载片舟本体6厚度为1-8mm，通过将载片舟本体6设计成较薄的结构能够节约加热腔室2内的空间，所述载片舟本体6上端面设有若干内凹的凹槽，所述凹槽尺寸略大约硅片8的尺寸，使用时，硅片8水平放置在所述凹槽内，优选的，所述凹槽深度为0.2-1mm，优选的，所述载片舟本体6上端面设有并列内凹的凹槽，即所述载片舟本体6能容纳硅片8，通过将载片舟本体6设计为能容纳硅片8的结构，能够在最大化利用加热腔室2内空间的前提下，保证每片硅片8的蒸镀质量，不会出现相邻硅片8蒸镀不均匀的情况；所述载片舟安装在托架结构上，所述托架结构包括托架本体7，优选的，所述托架本体7为航空铝材，使得能够保证有效的支撑力、质量轻且在高温下不会发生变形等情况，所述托架本体7包括左右设置的侧板，所述侧板相对的内侧设有卡槽，所述载片舟本体通过左右两侧的卡槽水平放置在所述托架本体7内，优选的，所述卡槽上下间的间距为2mm，所述托架本体7为垂直设置的三列，列与列之间共用一块侧板，通过这种结构设计能够在最大化利用加热腔室内空间的前提下，保证每片硅片8的蒸镀质量。以上结合附图对本专利技术的实施方式作了详细说明，但本专利技术不限于所描述的实施方式。对于本领域的技术人员而言，在不脱离本专利技术原理和精神的情况下，对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型，仍落入本专利技术的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种原子层沉积装置，包括安装台(1)、加热腔室(2)和气体过滤装置(3)，其特征在于：在所述安装台进料端设置有预热腔(4)。

【技术特征摘要】
1.一种原子层沉积装置，包括安装台(1)、加热腔室(2)和气体过滤装置(3)，其特征在于：在所述安装台进料端设置有预热腔(4)。2.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于：所述预热腔(4)预热温度设置为180-220℃。3.根据权利要求1所述的原子层沉积装置，其特征在于：所述安装台(1)上设有用于放置载片舟的载舟板(5)，所述载片舟包括载片舟本体(6)，所述载片舟本体(6)上端面设有若干内凹的凹槽，所述凹槽尺寸略大约硅片(8)的尺寸，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丙科，
申请(专利权)人：无锡松煜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32