The present invention relates to margin testing of a primary programmable memory (OTPM) array with a common mode current source. The present disclosure relates to a structure comprising a current mirror control node configured to adjust the current margin and provide the adjusted current margin to at least one primary programmable memory (OTPM) unit.
【技术实现步骤摘要】
用于具有共模电流源的一次可编程存储器(OTPM)阵列的裕度测试
本公开涉及裕度(margin)测试，更特别地，涉及一种用于具有共模电流源的一次可编程存储器(OTPM)阵列的裕度测试的电路以及方法。
技术介绍
一次可编程存储器(OTPM)被编程操作编程，随后是验证测试。编程后的数据状态的稳定性是通过编程后执行读取裕度测试来确定的。裕度测试用于预测存在的用于补偿感测噪声、泄漏和其他信号劣化(detractor)的过剩读取信号的量。在裕度测试中，必须克服预定的感测不平衡以读取正确的数据。如果数据没有通过裕度测试，则执行附加的编程操作。OTPM数据单元阵列通过真和补位线对连接到差分电流感测放大器。存储的数据由将差分单元电流分解为逻辑“1”或逻辑“0”数据的感测放大器感测。此外，OTPM数据单元可以由一对场效应晶体管(FET)组成，其中通过将FET阈值电压中的一个编程为高于或低于另一个来存储“1”和“0”数据状态，这导致在FET对内的电流的正或负的差。由此，建立了可以由电流感测感测放大器感测的差分数据电流。然而，OTPM中的多重编程可能造成对FET的氧化物的损坏。专利技术内...
【技术保护点】
1.一种包括电流镜控制节点的结构，所述电流镜控制节点被配置为调节电流裕度并且将所述调节后的电流裕度提供给至少一个一次可编程存储器(OTPM)单元。
【技术特征摘要】
2017.10.11 US 15/7301071.一种包括电流镜控制节点的结构，所述电流镜控制节点被配置为调节电流裕度并且将所述调节后的电流裕度提供给至少一个一次可编程存储器(OTPM)单元。2.根据权利要求1所述的结构，进一步包括：位于所述OTPM单元中的双单元存储器，所述双单元存储器被配置为使用基于所述调节后的电流裕度的多个写入操作来编程；以及电流感测放大器，其连接到所述双单元存储器并且被配置为感测所述双单元存储器的电流差分以及锁存基于所述电流差分的差分电压。3.根据权利要求2所述的结构，其中所述电流感测放大器包括多个PFET器件，并且所述PFET器件中的每一个具有共同连接到所述电流镜控制节点的栅极。4.根据权利要求3所述的结构，其中所述多个PFET器件被配置为调节到所述电流感测放大器的真位线(BLT)和补位线(BLC)的所述电流裕度以产生所述差分电压。5.根据权利要求2所述的结构，其中所述电流感测放大器包括被配置为存储所述差分电压的锁存器。6.根据权利要求2所述的结构，其中所述双单元存储器阵列包括具有不同阈值电压的一对NFET器件。7.根据权利要求2所述的结构，其中所述电流感测放大器通过真位线(BLT)和补位线(BLC)连接到所述双单元存储器阵列。8.根据权利要求1所述的结构，进一步包括裕度调节电路，其包括多个晶体管并且通过真位线(BLT)、补位线(BLC)和所述电流镜控制节点连接到所述电流感测放大器。9.根据权利要求8所述的结构，其中所述裕度调节电路中的所述多个晶体管是PFET器件，所述PFET器件基于多个感测放大器输入裕度信号来确定所述电流裕度的大小。10.一种结构，包括：位于一次可编程存储器(OTPM)单元中的双单元NFET存储器，所述一次可编程存储器(OTPM)单元被配置为基于电流裕度对至少一个写入操作进行编程；以及电流感测放大器，其被配置为调节所述电流裕度并基于...
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