存储器系统及其操作方法技术方案

本发明专利技术涉及一种非易失性存储器系统和存储器操作的设计，其能够分配与来自存储器单元的硬数据值相关联的可靠性值，并基于该可靠性值对硬数据执行错误校正操作。存储器系统的一个示例包括：非易失性存储器装置，包括多个存储器单元；控制器，基于存储器单元的硬读取电压通过执行硬读取操作来获得硬数据，并且基于可靠性值对硬数据执行错误校正操作。

Memory system and its operation method

The invention relates to a design of a nonvolatile memory system and a memory operation that can allocate reliability values associated with hard data values from memory units and perform error correction operations on hard data based on the reliability values. An example of a memory system includes: a non-volatile memory device comprising multiple memory units; a controller that obtains hard data by performing hard read operations based on the hard read voltage of the memory unit, and performs error correction operations on hard data based on reliability values.

【技术实现步骤摘要】
存储器系统及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2017年10月11日提交的申请号为10-2017-0130123的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
公开的技术和各个实施例总体涉及一种存储器系统，更特别地，涉及一种包括非易失性存储器装置的存储器系统。
技术介绍
存储器系统响应于写入请求存储由外部装置提供的数据。存储器系统还可响应于读取请求将存储的数据提供给外部装置。使用存储器系统的外部装置的示例包括计算机、数码相机、移动电话等。存储器系统可在外部装置的制造期间被嵌入在外部装置中，或者可被单独制造，并且然后连接到外部装置。
技术实现思路
本专利文件提供了非易失性存储器系统和存储器操作的设计，其能够分配与来自存储器单元的硬数据值相关联的可靠性值，并基于该可靠性值对硬数据执行错误校正操作。在一个实施例中，存储器系统可包括：非易失性存储器装置，包括多个存储器单元，并且可进行操作以在读取操作中向存储器单元施加读取电压以读取数据；以及控制器，与非易失性存储器装置通信以控制存储器单元的操作。控制器基于施加到存储器单元的硬读取电压通过执行硬读取操作来获得硬数据；基于施加到存储器单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器系统，包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储器单元，并且可进行操作以在读取操作中向所述存储器单元施加读取电压以读取数据；以及控制器，与所述非易失性存储器装置通信以控制所述存储器单元的操作，所述控制器：通过基于施加到所述存储器单元的硬读取电压执行硬读取操作来获得硬数据；通过基于施加到所述存储器单元的第一过采样读取电压和第二过采样读取电压执行过采样读取操作，而从所述存储器单元获得过采样数据；通过处理所述硬数据和所述过采样数据，基于所述存储器单元的阈值电压分布来估计所述硬读取电压相对于参考电压的偏离方向；基于所述偏离方向将可靠性值分配给多个阈值电压区间；并且基于所述可靠性值对所述硬数...

【技术特征摘要】
2017.10.11 KR 10-2017-01301231.一种存储器系统，包括：非易失性存储器装置，其包括多个存储器单元，并且可进行操作以在读取操作中向所述存储器单元施加读取电压以读取数据；以及控制器，与所述非易失性存储器装置通信以控制所述存储器单元的操作，所述控制器：通过基于施加到所述存储器单元的硬读取电压执行硬读取操作来获得硬数据；通过基于施加到所述存储器单元的第一过采样读取电压和第二过采样读取电压执行过采样读取操作，而从所述存储器单元获得过采样数据；通过处理所述硬数据和所述过采样数据，基于所述存储器单元的阈值电压分布来估计所述硬读取电压相对于参考电压的偏离方向；基于所述偏离方向将可靠性值分配给多个阈值电压区间；并且基于所述可靠性值对所述硬数据执行错误校正操作。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中从具有大于所述第一过采样读取电压且小于所述第二过采样读取电压的阈值电压的存储器单元获得所述过采样数据作为第一值，并且从具有小于所述第一过采样读取电压或大于所述第二过采样读取电压的阈值电压的存储器单元获得所述过采样数据作为第二值。3.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述第一过采样读取电压比所述硬读取电压小偏移值，并且所述第二过采样读取电压比所述硬读取电压大所述偏移值。4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器进一步：对阈值电压大于所述第一过采样读取电压且小于所述硬读取电压的存储器单元进行计数，并且生成计数数量作为第一估计值；对阈值电压大于所述硬读取电压且小于所述第二过采样读取电压的存储器单元进行计数，并且生成计数数量作为第二估计值；并且通过比较所述第一估计值和所述第二估计值来估计所述偏离方向。5.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述控制器进一步：当所述第一估计值小于所述第二估计值时，将所述偏离方向估计为正值；并且当所述第一估计值大于所述第二估计值时，将所述偏离方向估计为负值。6.根据权利要求4所述的存储器系统，其中所述控制器进一步：当所述偏离方向为正向时，将对应于所述阈值电压区间的初始可靠性值调整正向调整值；并且当所述偏离方向为负向时，将所述初始可靠性值调整负向调整值。7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中所述控制器进一步：基于所述第一估计值和所述第二估计值的绝对差来额外地估计所述硬读取电压的偏离程度；并且基于所述偏离程度，不均匀地调整对应于所述阈值电压区间的初始可靠性值。8.根据权利要求7所述的存储器系统，其中所述控制器进一步：将与所述阈值电压区间中的一些阈值电压区间相对应的初始可靠性值调整第一调整值；并且将与剩余阈值电压区间相对应的初始可靠性值调整第二调整值，其中，所述一些阈值电压区间和所述剩余阈值电压区间之间的边界位于与基于所述硬读取电压的所述偏离方向相反的方向上，并且其中，所述第一调整值的量值大于所述第二调整值的量值。9.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器进一步：通过基于施加到所述存储器单元的多个软读取电压执行软读取操作来获得与所述存储器单元的所述硬数据相关联的软数据；基于所述硬数据和所述软数据，确定所述存储器单元中的每一个所处的阈值电压区间；并且通过将分配给所述阈值电压区间的可靠性值分配给对应的所述存储器单元来生成所述错误校正操作的可靠性数据。10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中所述阈值电压区间通过所述硬读取电压和所述软读取电压划分。11.根据权利要求1所述的存储器系统，其中所述控制器包括：估计单元，其基于施加到所述存储器单元的第一过采样读取电压和第二过采样读取电压执行所述过采样读取操作，以从所述存储器单元获得所述过采样数据，并且基于所述硬数据和所述过采样数据来估计所述硬读取电压的偏离方向；以及可靠性值分配单元，其与所述估计单元通信，并且可进行操作以基于所述偏离方向将所述可靠性值分配给多个阈值电压区间。12.一种操作存储器系统的方法，其包括：通过基于施加到所述存储器单元的硬读取电压执行硬读取操作而从存储器单元获得硬数据；通过处理从所述存储器单元获得的所述硬数据和所述过采样数据，基于所述存储器单元的阈值电压分布来估计所述硬读取电压相对于参考电压的偏离方向；基于所述偏离方向将可靠性值分配给多个阈值电压区间；并且基于所述可靠性值对所述硬数据执行错误校正操作。13.根据权利要求12所述的方法，其中：通过基于施加到所述存储器单元的第一过采样读取电压和第二过采样读取电压执行过采样读取操作来获得过所述采样数据；并且从具有大于所述第一过采样读取电压且小于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李载允，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR